逆变器fp



场效应管好坏测量

1．判定栅极G

将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。

2．判定源极S、漏极D

由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。

3．测量漏-源通态电阻RDS（on）

将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。

由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

检查跨导

将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。

注意事项：

（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。

（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。

（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。

（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。

（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。

（6）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。

晶体管FP75R12N2T4BPSA1/FP75R12N2T7BPSA2 1200 V 75 A PIM三相输入整流 IGBT模块

晶体管FP75R12N2T4BPSA1/FP75R12N2T7BPSA2 1200 V 75 A PIM三相输入整流 IGBT模块解析

答案：

晶体管FP75R12N2T4BPSA1和FP75R12N2T7BPSA2是两款高性能的1200V、75A PIM（Power Integrated Module）三相输入整流IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块。这两款模块分别采用了不同世代的IGBT技术，专为工业驱动应用和太阳能系统设计，以实现更高的功率密度和更低的静态损耗。

一、模块特性

电压与电流等级：两款模块均具备1200V的额定电压和75A的额定电流，适用于高电压、大电流的应用场景。IGBT技术：

FP75R12N2T4BPSA1采用了高速TRENCHSTOP? IGBT4技术，结合第四代发射极控制二极管和NTC（负温度系数热敏电阻）以及导热热界面材料，优化了模块的散热性能和温度监控能力。

FP75R12N2T7BPSA2则采用了更先进的TRENCHSTOP? IGBT7技术，发射极控制7二极管和NTC，进一步提升了模块的开关性能和可靠性。

功率密度与损耗：两款模块均通过优化设计和提高允许的最高工作温度（高达175°C），显著提高了功率密度，并降低了静态损耗，从而提升了整体能效。应用领域：这两款模块特别适用于辅助逆变器、电机驱动器、伺服驱动器、商用农业车辆、大功率转换器以及不间断电源系统等应用场景。

二、模块优势

高性能：采用先进的IGBT技术，具有出色的开关性能和低损耗特性，适用于高频、大功率的电力电子系统。高可靠性：集成式温度传感器和优化的散热设计，确保模块在恶劣工况下仍能稳定运行，延长使用寿命。易于集成：PIM设计将IGBT、二极管、温度传感器等元件集成在一个模块内，简化了系统设计，降低了安装和维护成本。环保节能：通过提高能效和降低损耗，有助于减少能源消耗和碳排放，符合绿色能源的发展趋势。

三、选购建议

原装正品：为确保模块的性能和可靠性，建议选购原装正品，避免散新或翻新产品。原厂外标签：优先选择带有原厂外标签的产品，以确保产品的来源和质量可追溯性。专业咨询：在选购过程中，如有任何疑问或需求，建议咨询专业的电子元件分销商或制造商，以获得更准确的建议和支持。

综上所述，晶体管FP75R12N2T4BPSA1和FP75R12N2T7BPSA2是两款高性能、高可靠性的PIM三相输入整流IGBT模块，适用于多种工业驱动和太阳能系统应用场景。在选购时，请务必注意产品的来源和质量，以确保系统的稳定运行和长期效益。

微硕开发出高Bs宽温低损耗新材料 可全面替代95材

微硕开发的高Bs宽温低损耗FP95B新材料可全面替代现有95材，其性能在抗饱和特性、磁通密度及损耗方面显著提升，同时FP91材料作为高Bs低损耗的改进型，进一步拓展了应用场景。

FP95B材料的核心优势与替代逻辑

性能提升与损耗降低FP95B是95材料的升级版，通过调整配方（采用高铁低锌设计）和优化烧结工艺（控制升降温速度及添加剂使用），实现了以下突破：

损耗降低近20%：通过促进晶粒均匀生长、减少缺陷和气孔，提高晶界电阻率，从而降低磁滞损耗。

磁通密度（Bs）提高：配方调整与工艺优化使材料抗饱和特性更强，可承载更高功率密度。

宽温性能优化：高铁低锌配方提升了居里温度，使材料在高温环境下仍能保持稳定性能。

全面替代95材的依据

抗饱和特性更强：FP95B的磁通密度更高，在高频、大功率应用中不易达到磁饱和，适合光储充、新能源汽车等对性能要求严苛的领域。

兼容性设计：微硕在开发过程中注重与现有95材生产工艺的衔接，确保客户无需大幅调整设备或参数即可切换使用。

量产保障：FP95B已进入量产阶段，微硕襄阳和肇庆厂区总产能达20000吨/年，二期扩产完成后可达25000吨/年，可充分满足市场需求。

图：FP95B材料适用于电子变压器、PFC、扼流圈等领域FP91材料的特性与应用场景

技术定位与改进基础FP91基于TDK PC90材升级，定位为高Bs低损耗材料，核心改进包括：

高抗饱和特性：通过高铁低锌配方提升居里温度，增强高温稳定性。

高直流叠加能力：优化晶粒结构，减少直流偏置下的性能衰减。

工艺创新点

低温高密度烧结：添加高活性添加剂促进晶粒生长，在较低温度下实现高密度，降低能耗并提升材料致密性。

机械性能优化：通过控制烧结气氛和升降温速度，减少内部应力，降低机械脆性，提高抗热震性。

典型应用领域

PFC功率校正电感：高直流叠加能力可有效抑制谐波失真，提升电源效率。

扼流圈与大功率电感：高Bs特性支持大电流通过，减少体积和重量。

微硕的技术导向与市场策略

研发驱动的生产迭代微硕常务副总经理谭福清强调，公司定位为技术导向型企业，近年加速磁性材料迭代步伐：

配方创新：通过微量元素添加（如高铁低锌）和添加剂优化，精准调控材料性能。

工艺控制：烧结过程中严格管理升降温速度、气氛配合，确保晶粒生长均匀性。

产能动态调整机制FP95B和FP91目前处于市场成长阶段，微硕根据客户需求灵活调整产能：

现有产能基础：襄阳新厂二期扩产完成后规模达15000吨/年，未来可扩展至25000吨/年。

配套设备支持：成型设备、烧结设备均适配新能源汽车和充电桩用磁性材料生产，为业务增长提供保障。

终端市场布局

新能源汽车与充电桩：微硕过去半年在充电桩领域增速达50%，车载充电机增速36%，FP95B和FP91可直接应用于这些高增长场景。

光储充与数据中心：材料的高频化、低损耗特性满足光伏逆变器、储能系统及服务器电源对效率的要求。

行业背景与材料升级的必要性

磁性材料对产业链的制约光伏龙头企业工程师曾指出，磁性材料性能不足限制了光储充、新能源汽车等终端领域的发展。传统材料在高频、高温、大功率场景下易出现磁饱和、损耗过高等问题，成为产业升级瓶颈。

新能源产业的需求驱动随着新能源产业蓬勃发展，终端应用对磁性材料提出更高要求：

高频化：提升开关电源效率，减少能量损耗。

宽温化：适应极端温度环境（如新能源汽车电池组周边）。

低损耗：降低系统发热，提高可靠性和寿命。

微硕通过FP95B和FP91的研发，精准回应了行业痛点，其技术路径（配方优化+工艺控制）和量产能力为磁性材料升级提供了可复制的范本。未来，随着新能源市场持续扩张，高性能磁性材料的需求将进一步释放，微硕的技术储备与产能布局有望巩固其市场地位。

英飞凌IGBT芯片简史

英飞凌IGBT芯片简史

英飞凌（Infineon）作为半导体行业的佼佼者，其IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片技术经历了从初代到第七代的不断演进，每一代都带来了显著的性能提升和技术革新。以下是英飞凌IGBT芯片的简史：

一、史前时代-PT

PT是最初代的IGBT，它使用重掺杂的P+衬底作为起始层，工艺复杂且成本高，需要载流子寿命控制。由于其饱和压降呈负温度系数，不利于并联，因此在80年代后期逐渐被NPT取代。目前，英飞凌所有的IGBT产品均不使用PT技术。

二、初代盟主——IGBT2（NPT-IGBT）

NPT-IGBT于1987年推出，很快在90年代成为市场主流。与PT不同，NPT使用低掺杂的N-衬底作为起始层，通过研磨减薄工艺和离子注入工艺形成P+ collector。NPT不需要载流子寿命控制，具有低饱和压降、正温度系数和高鲁棒性等优点。其中，S4（尽管名字容易让人误以为是IGBT4）作为IGBT2的代表产品，至今仍在高频开关应用中有着广泛的市场。

三、性能飞跃——IGBT3

IGBT3的出现标志着IGBT技术的又一次巨大变革。其元胞结构从平面型变成了沟槽型，消除了JFET结构，增加了表面沟道密度和近表面载流子浓度，从而优化了性能。同时，场截止（Field Stop）技术的引入，减少了漂移区厚度，降低了饱和电压。IGBT3具有低导通压降、高开关频率和优化的开关性能等特点，在中低压领域已被IGBT4取代，但在高压领域仍占主导地位。

四、中流砥柱——IGBT4

IGBT4是目前使用最广泛的IGBT芯片技术，适用于各种电压和电流范围的应用。它继承了IGBT3的沟槽栅和场截止结构，并优化了背面结构，进一步降低了开关损耗和提高了开关软度。IGBT4的最高允许工作结温从IGBT3的125℃提高到了150℃，增加了器件的输出电流能力。根据应用需求，IGBT4分为T4（小功率系列）、E4（中功率应用）和P4（大功率应用）等不同型号。

五、土豪登场——IGBT5

IGBT5是英飞凌IGBT系列中的豪华产品，其表面金属化使用了厚铜代替铝，大大提高了通流能力和热容。因此，IGBT5允许更高的工作结温和输出电流。同时，芯片结构经过优化，厚度进一步减小，使得饱和压降更低。IGBT5的芯片只封装在PrimePACK™里，电压等级包括1200V和1700V，代表产品有FF1200R12IE5和FF1800R12IP5。

六、真假李逵——TRENCHSTOP™5

虽然名字中带有“5”，但TRENCHSTOP™5并不属于IGBT5系列，而是另一个家族的产品。它采用了精细化沟槽栅和场截止技术，沟道更密、电流密度更高。TRENCHSTOP™5不具备短路能力，但可以根据应用需求取得极低的导通损耗或极高的开关频率。目前，TRENCHSTOP™5只有650V的器件，并且都是分立器件。

七、后起之秀——IGBT6

IGBT6是IGBT4的优化版本，依然采用沟槽栅和场截止结构。通过优化背面P+注入，IGBT6得到了新的折衷曲线。它具有175℃的最大工作结温、Rg可控和3us的短路时间等特点。目前，IGBT6只有单管封装的产品，如IKW15N12BH6和IKW40N120CS6等。

八、万众瞩目——IGBT7

2018年，英飞凌推出了万众瞩目的IGBT7。IGBT7采用了微沟槽栅技术，沟道密度更高、元胞间距经过精心设计，并优化了寄生电容参数。这使得IGBT7在5kv/us下具有最佳的开关性能。IGBT7的Vce(sat)相比IGBT4降低了20%，可实现最高175℃的暂态工作结温。代表产品有FP25R12W1T7等，广泛应用于电机驱动器、电动商用车主驱和光伏逆变器等领域。

以下是IGBT各代产品的对比表格：

综上所述，英飞凌IGBT芯片技术经历了从PT到IGBT7的不断演进和发展。每一代产品都带来了显著的性能提升和技术革新，满足了不同应用领域的需求。随着技术的不断进步和创新，相信英飞凌将继续引领IGBT技术的发展潮流。

TO-220封装，编号后缀解读

TO-220封装编号后缀解读

TO-220是一种常见的功率半导体器件封装形式，广泛应用于MOSFET、晶体管等元件中。在读取Datasheet时，我们经常会遇到不同的TO-220封装编号后缀，这些后缀代表了封装的具体形式和引脚数量。以下是对TO-220封装编号后缀的详细解读：

一、TO-220AB

解读：TO-220AB是特定的JEDEC（固态技术协会）编码，“AB”表示该封装符合特定的测量规范，并且具有3个直插脚。特点：这种封装形式通常用于需要较高功率处理的场合，如电源管理、电机驱动等。

二、TO-220-X（X代表引脚数量）

解读：TO-220-X是通用的编码方式，其中“X”代表引脚的数量。例如，TO-220-3表示具有TO-220本体和3个引脚的零件。常见规格：

TO-220-2：表示2脚封装。

TO-220-3：表示3脚封装，是最常见的规格之一。

TO-220-5：表示5脚封装，通常用于需要更多控制或监测功能的场合。

TO-220-7：表示7脚封装，提供了更多的引脚用于复杂的电路连接。

特点：这种编码方式便于识别和选择不同引脚数量的封装形式，以满足不同的电路设计需求。

三、其他JEDEC编码

TO-220AA：已不再使用的编码，“AA”表示弯成直角的2脚封装形式。TO-220AC：仍在使用的2脚封装编码，具有特定的尺寸和引脚排列方式。

四、全绝缘型封装

TO-220F/TO-220FP：这些编码表示全绝缘型封装，其中“F”和“FP”分别代表不同的绝缘等级和封装形式。特点：全绝缘型封装提供了更高的电气隔离性能，适用于需要高电压隔离的场合，如高压电源、逆变器等。

五、展示

以下是一些TO-220封装形式的展示，以便更直观地了解不同编号后缀的封装形式：

综上所述，TO-220封装编号后缀代表了不同的封装形式和引脚数量，选择合适的封装形式对于确保电路的稳定性和性能至关重要。在设计和选择电路时，应仔细查阅Datasheet，了解不同封装形式的特点和适用场合，以便做出正确的决策。

a股十大潜力公司

2025年A股市场被提及的十大潜力公司如下：

博实结（301608）核心题材聚焦共享单车、两轮车及消费电子概念，主营物联网智能化硬件，覆盖智能交通、智慧出行和智能支付领域，技术适配性广。

欣旺达（300207）国内消费类锂电池模组制造龙头，业务延伸至钠离子电池和固态电池领域，两轮车市场渗透率持续提升，技术储备深厚。

东山精密（002384）PCB业务全球排名前四，同时布局共封装光学（CPO）和PCB概念，电子电路、光电显示及精密制造领域具备综合优势。

西子洁能（002534）国内余热锅炉行业龙头，核电、光热发电及“一带一路”项目贡献核心增长，技术壁垒高且政策支持明确。

国机精工（002046）隶属国机集团，航天特种轴承领域占据主导地位，同时作为中国超硬材料行业开创者，军民融合与培育钻石业务潜力显著。

阳光电源（300274）全球光伏逆变器出货量第一，储能业务与光伏形成协同，技术迭代能力支撑长期竞争力。

浪潮信息（000977）全球AI服务器市占率达46.6%，液冷技术领先，深度绑定英伟达、阿里、腾讯等科技巨头，算力需求爆发下优势突出。

中际旭创（300308）全球800G光模块市占率第一，1.6T产品进入测试阶段，海外订单占比超60%，受益于数据中心升级周期。

特锐德（300001）“智能制造+充电服务+数据价值”三位一体模式，充电桩运营规模超79万台，获沙特国家电网7亿元高压移动变电站订单，国际化突破显著。

海光信息（688041）CPU兼容x86指令集，DCU全面适配CUDA生态，深算三号性能超越英伟达A800，FP64算力领先，国产替代需求强烈。

其他潜力领域或公司：卧龙电驱在智能机械、仿生动力领域技术领先，业绩增幅36.76%；拓维信息依托华为生态，布局国产服务器与算力服务；安徽合力叉车技术及市场地位稳固；德业股份在光伏储能细分领域技术突出。以上公司综合行业地位、财务表现及技术优势筛选，供参考。

赛晶科技：柔性输电业务和新能源发电与储能业务协调发力造就35%的增长

赛晶科技在2025年上半年实现收入8.9亿元，同比增长35.5%，其柔性输电业务和新能源发电与储能业务协调发力，是推动增长的核心动力，具体表现如下：

柔性输电业务增长显著收入情况：输配电领域营收4.67亿元人民币，同比增长30%，其中柔性输电业务贡献最大，销售收入2.9亿元人民币，收入同比增长123%。项目交付：核心增长来自多个重要项目陆续交付，包括沙特中部－南部±500千伏柔性直流输电工程、甘肃－浙江±800千伏特高压直流输电工程，以及秘鲁、智利的分布式潮流控制器项目。技术突破与市场地位：

赛晶科技是国内特高压直流输电用阳极饱和电抗器唯一拥有自主技术的企业，成功打破ABB、西门子等国际巨头的垄断，产品电压电流应用范围广泛，已应用于国家电网的哈密 - 重庆、金上 - 湖北、宁夏 - 湖南等诸多特高压直流工程。

在柔直工程核心器件干式直流支撑电容器方面实现关键技术突破，推出性能可对标国际领先水平的产品。在张北柔性直流工程中实现批量挂网运行，并配套在线监测装置进行实时状态分析，延长电容器寿命并大幅降低运维成本。在世界上首个800kV的特高压柔性输电的甘浙项目，其直流支撑电容器在国产产品中市场占有率已达到62.5%。

新能源发电与储能业务高速增长收入情况：工业和其他业务收入3.56亿元，同比增长57%，其中新能源发电与储能业务同比增长108%。增长原因：主要源于该公司自主研发产品（如功率半导体、层叠母排及直流支撑电容器）销量增加。市场应用与突破：

在华能玉环2号海上风电项目中，赛晶科技成为独家国产供应商，为全球首个220kV柔性低频输电系统提供电容器，实现了核心部件的100%进口替代。

其业务版图与国家“双碳”战略高度共振，在光伏逆变器、储能系统、新能源发电等领域均有对应的高效IGBT模块、高可靠性IGBT模块、SiC器件、高性能SiC模块等产品，满足不同场景需求。

技术支撑与产业布局优势第三代半导体贡献：在SiC领域，2025年在PCIM Europe上发布m23 1400V 100A SiC MOSFET，并展示了采用第七代精细微沟槽技术的i23系列芯片。同时拥有多种模块如ED模块、EP模块、ST模块、FP模块、TF模块等，能够满足不同场景的使用。同年7月，收购湖南虹安，进一步补齐SiC外延环节，实现产业链整合。产业布局特点：赛晶科技采取“多点突破、精准卡位”的产业布局，不仅在技术上不断突破，还深度绑定特高压、新能源、储能三大应用场景，使其不仅仅是技术追随者，更参与到重塑行业规则中，成为能源转型链条中不可忽视的关键力量。面临的挑战

尽管赛晶科技取得了显著成绩，但前路仍存在挑战。国际竞争压力依然存在，英飞凌、罗姆、三菱电机等厂商在SiC领域保持技术领先；良率与成本控制仍是国产厂商面临的共性难题；新能源、储能等行业的需求波动，也可能带来周期性的压力。不过，赛晶所构建的技术壁垒、供应链优势，以及在三大应用场景的深度绑定，使其具备应对挑战的实力，值得行业与资本市场持续关注。

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