逆变器用4个mos管



想自己制作个简易逆变器

制作简易逆变器的核心在于将直流电转换为50Hz的交流电。这个过程涉及芯片驱动和功率管的精确控制。如果你对电学原理了解不多，这个项目确实有一定的挑战性，但对于一个爱好者来说，它绝对值得尝试。

以80W修正波逆变器为例，这是目前市场上最小功率的逆变器之一。制作这种逆变器所需的硬件包括：两个12V/2200UF的电容，一个80W高频变压器（12V转300），两颗直流MOS管3205，四颗交流MOS管740，两个PWM驱动芯片TL594，一个400V/100UF的高压电容，以及一颗LM324用于过欠压控制。此外，还需要一些三极管8050和8550作为驱动电路，一块电路板。

自己动手制作逆变器并非易事，但成本控制在100元以内是完全可能的。除了上述硬件，还需要一块万用表，用于测量电路参数。另外，一个继电器可以实现逆变器与市电的切换，但需要一个控制电路。切换时间必须控制在继电器反应时间以内，即20MS以内。

对于不间断电源来说，通常采用可控硅控制，其反应速度更快，可以实现相位跟踪，这对于一些高标准设备非常有利。给电池充电的控制可以通过电压采样控制电路实现，再加一个继电器即可。

以上就是简单的制作步骤，希望对你有所帮助！

4个mos管选型电路案例讲解，参数计算+选型步骤，手把手教你选型

选择MOS管需关注导通电阻Rds(on)和栅极电荷Qg这两个核心参数。Rds(on)表示MOS管导通状态下的漏极和源极之间的电阻，其值越低，传导损耗越小。Qg则是栅极驱动器打开或关闭器件所需电荷，决定开关损耗。品质因数FoM则是Rds(on)和Qg的乘积，直接影响MOS管效率。击穿电压BVDSS表示器件在关断状态下的最大漏源电压，对功率二极管操作至关重要。选择功率MOS管的步骤涉及计算峰值负载、总负载、峰值电流、电压，以及电流的安全系数，以确保器件在实际应用中的稳定运行。

为家用12V逆变器选择MOS管时，首先需考虑峰值负载，计算总负载以包含损耗，确定峰值电流。选择适当电压（通常为2倍最大电池电压）以确保系统稳定。同时，增加电流的安全系数以应对短路或峰值电流情况。根据计算结果，选择额定电流和电压至少满足需求的MOSFET，以确保系统的安全与稳定运行。

选择驱动LED指示灯或蜂鸣器的MOS管时，考虑到微控制器的逻辑电平驱动限制，选择微控制器可以直接驱动的逻辑电平MOS管。筛选和选择MOS管的过程包括去除特定类型、检查驱动电压、电流以及确保与微控制器逻辑兼容性，最终目标是选择能满足特定应用需求且易于集成的MOS管。

选择用于非PWM高功率负载的MOS管时，需关注Rds(on)、栅极电荷Qg、驱动电压以及电流规格。在不考虑栅极损耗的情况下，MOS管的开关损耗与开关频率有关，频率越高，损耗越大。选择具有低Rds(on)、低栅极电荷以及满足驱动电压需求的MOS管，能够提高效率和性能。计算MOS管的结温，确保在预期工作环境下的安全运行，选择合适的MOS管型号以适应特定的功率和频率需求。

以上是MOS管选型的实际案例，涉及参数计算、步骤选择、具体应用分析等关键内容。希望本文能够帮助您更好地理解MOS管选型过程，提高系统设计的效率和可靠性。如果您有任何疑问或需要进一步的指导，请随时提问。关注我们的分享，点赞以支持我们，期待在评论区与您交流，感谢您的参与。

电机驱动---H桥电路

电机驱动---H桥电路

H桥电路是一种重要的电路结构，广泛应用于电机驱动、逆变器等场合。其核心部件由4个三极管/MOS管组成，因其形似大写字母“H”而得名。

一、H桥电路的基本结构

H桥电路的基本结构如下图所示：

该电路由4个三极管（或MOS管）Q1、Q2、Q3、Q4组成，它们分别连接在电源VCC和地GND之间，形成一个“H”形的通路。电机的两个端口A和B分别连接在H桥的中间节点上。

二、H桥电路的工作原理

以电机控制为例，H桥电路的工作原理如下：

电机正转：

当给端口1和4加高电平，端口2和3加低电平时，三极管Q1和Q4导通，Q2和Q3不导通。

电流方向为VCC->Q1->电机->Q4->GND，此时电机正转。

如果端口1和4外接PWM控制，那么设置不同的占空比，还可以实现转速的控制。

电机反转：

当给端口1和4加低电平，端口2和3加高电平时，三极管Q1和Q4不导通，Q2和Q3导通。

电流方向为VCC->Q3->电机->Q2->GND，此时电机反转。

电机停止：

当端口1和2（或3和4）的电平相同时，对应的输出引脚电压也相同，电机停止转动。

三、H桥电路的集成芯片——L298N

在实际应用中，为了保证电路的稳定可靠，通常会使用专用的集成电路来实现H桥的功能。L298N就是一种常用的集成双H桥芯片。

L298N的内部结构：

L298N芯片内部由2个完全一样的H桥组成，使用一个芯片可以控制2个电机，或2个H桥并联控制一个电机，以提供更大的驱动电流。

L298N的外部引脚及功能：

以左侧H桥为例，芯片对外的引脚包括ENABLE（使能引脚）、INPUT1和INPUT2（控制引脚）、OUTPUT1和OUTPUT2（输出引脚）等。

ENABLE为低电平时，H桥的4个三极管不导通，电机不转；ENABLE为高电平时，电机状态由INPUT1和INPUT2控制。

L298N的真值表：

当INPUT1和INPUT2的电平不同时，对应的OUTPUT1和OUTPUT2也不同，驱动电机正/反转；当INPUT1和INPUT2的电平相同时，对应的OUTPUT1和OUTPUT2也相同，电机停止。

L298N的防短路功能：

L298N芯片内部增加了逻辑门电路，防止了同一侧的2个三极管同时导通的情况，从而避免了短路场景的出现。

四、L298N的典型应用电路

L298N芯片的典型应用电路如下图所示：

电源输入端增加100nf的去耦电容，提高电源质量，保证芯片逻辑功能正常。SENSE引脚增加采样电阻，为控制器提供电流检测接口。4个二极管用作输出保护，释放异常的高压/低压，防止损坏电机和芯片。

综上所述，H桥电路及其集成芯片L298N在电机驱动领域具有广泛的应用价值。通过灵活控制H桥电路的输入电平，可以实现电机的正/反转切换和转速控制等功能。而L298N芯片则进一步简化了电路的设计和实现，提高了电路的可靠性和稳定性。

怎样用双12V的变压器制作简单的逆变器，变压器的功率5W，逆变器功率不限。

如何使用5W功率的12V变压器制作简单的逆变器？

首先，逆变器的工作原理是将直流电通过芯片驱动和功率管的控制，转换成50Hz的交流电。对于电力电子知识不熟悉的爱好者来说，制作过程具有一定的挑战性。但是，如果你对此有热情，这是值得鼓励的。下面我将提供一个简单的指导，希望对你有所帮助。

所需材料包括：

- 两个12V/2200μF电容

- 一个80W高频变压器（12V转300V）

- 两个直流MOS管3205

- 四个交流MOS管740

- 两个PWM驱动芯片TL594

- 一个400V/100μF高压电容

- 一个LM324（用于过欠压控制）

- 一些三极管8050和8550，用于驱动电路

- 一块电路板

虽然可以自行制作，但这个过程仍然相当具有挑战性，且成本控制在100元以内。

你需要一块万用表。

可以通过一个继电器实现逆变和市电的切换，但需要一个控制电路。切换时间由继电器的反应时间决定，通常在20ms以内。

对于不间断电源，通常使用可控硅进行控制，这具有快速的反应时间，可以实现相位跟踪，对于要求较高的设备有益。而电池充电控制可以通过电压采样控制电路实现，加上一个继电器。

希望以上信息对您有所帮助！

逆变器用什么管好

逆变器一般使用MOS管或IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为主要的功率开关管。以下是对这两种管子以及选择依据的详细解释：

一、MOS管

MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种电压控制型器件。它通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的通断，从而实现电流的开关。MOS管具有高频特性好、输入阻抗高、驱动功率小等优点，因此非常适合用于高频逆变器中。

二、IGBT

IGBT结合了BJT（双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的优点，具有输入阻抗高、驱动功率小、饱和压降低、开关速度快等特点。IGBT能够承受较高的电压和电流，因此在中大功率逆变器中得到广泛应用。

三、选择依据

功率大小：逆变器的功率大小是决定使用何种晶体管的关键因素。一般来说，小功率逆变器多采用MOS管，因为其高频特性好且成本低；而大功率逆变器则更倾向于使用IGBT，因为其能够承受更高的电压和电流。

使用方式：逆变器的工作频率、工作环境以及成本预算等因素也会影响晶体管的选择。例如，在需要高频开关的场合，MOS管可能更为合适；而在需要承受大电流冲击的场合，IGBT则更具优势。

综上所述，逆变器在选择晶体管时应综合考虑功率大小、使用方式以及成本等因素，以确保逆变器的性能和可靠性。

逆变器风扇转指示灯亮就是按开关没反应请各位大神帮忙解决下

首先你要确定继电器有没有问题，有没有闭合，继电器闭合你能听到一声脆响，你可以听听看。

继电器没有问题输入端的直流电才能流到升压电路，那个变压器就是升压变压器，输出接4个二极管整流得到300多V高压电，你可以测测电解电容两端有没有电(红色的两个大电解两端）。确定升压电路有没有问题。

升压电路后面是逆变电路，那两个散热片上面的4个MOS管组成逆变桥。如果是逆变电路有问题，原因就多了，控制电路问题，驱动问题，MOS管都可能出问题，你要懂得逆变电路的原理才行。

逆变器中IFR840用管什么可代替，几个管可以用同一型号替换吗

其实，IRF840这个N沟道MOS管是最常用的管，找参数接近的代替管反而更难找到，如果，的确没找到IRF840，也可以用耐压较低的IRF640、IRF740来代替，需要注意到的是，更换成其他型号的MOS管时，建议四个推动管同时更换。

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