达林顿低频逆变器

复合电子元件（EBR)的介绍和分类；

复合电子元件（EBR）的介绍

复合电子元件，简称“EBR”，英文全称“Epitaxial Base Reflow”，是指在集成电路（IC）中，将几个不同的晶体管连接起来构成具有一定功能的复合型电子元件，也可称为“复合晶体管”。在分析这类元件时，通常将其视为一个整体来处理。

复合电子元件（EBR）的分类

目前常用的复合晶体管包括达林顿（Darlington）晶体管、CC-CE复合管、复合p-n-p晶体管等。以下是一些常见的复合电子元件产品：

结构与原理：IGBT可视为双极型大功率晶体管GTR与功率场效应晶体管MOSFET的复合。通过施加正向门极电压形成沟道、提供晶体管基极电流使IGBT导通；反之，若提供反向门极电压则可消除沟道、使IGBT因流过反向门极电流而关断。

特点：IGBT集GTR通态压降小、载流密度大、耐压高和功率MOSFET驱动功率小、开关速度快、开关损耗低、输入阻抗高、热稳定性好的优点于一身。

应用：IGBT的研制成功为提高电力电子装置的性能，特别是为逆变器的小型化、高效化、低噪化提供了有利条件。

结构与原理：IGCT是常规可关断晶闸管GTO的替代品。与常规GTO晶闸管相比，IGCT在器件结构上对GTO采取了一系列改进措施，如门极和阴极之间的电感仅为常规GTO的1/10。

特点：IGCT具有不用缓冲电路能实现可靠关断、存贮时间短、开通能力强、关断门极电荷少和应用系统总的功率损耗低等优良特性。其开通和关断能力远比GTO优良。

应用：在大功率MCT未问世以前，IGCT是高功率高电压低频变流器的优选功率器件之一。

结构与原理：MCT是由功率场效应晶体管MOSFET与晶闸管SCR复合而成的新型器件。每个MCT器件由成千上万的MCT元胞组成，而每个元胞又是由一个PNPN晶闸管、一个控制MCT导通的MOSFET和一个控制MCT关断的MOSFET组成。

特点：MCT既具备功率MOSFET输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快的特性，又兼有晶闸管高电压、大电流、低压降的优点。其通态压降不过是IGBT或GTR的1/3，而开关速度则超过GTR。MCT具有很强的导通di/dt和阻断dV/dt能力，其值高达2000A/s和2000V/s。其工作结温亦高达150～200℃。

同类器件：与MOS控制晶闸管（MCT）同类的器件还有基极电阻控制晶闸管（BRT）及射极开关晶闸管（EST）。

结构与原理：IEGT在芯片设计上除了采用IGBT的元胞结构外，还使用了“电子注入增强效应”，较好地解决了大电流、高耐压的矛盾。

特点：IEGT兼有IGBT和GTO两者的某些优点，如低的饱和压降、宽的安全工作区（吸收回路容量仅为GTO的1/10左右）、低的栅极驱动功率（比GTO低2个数量级）和较高的工作频率。加之该器件采用了平板压接式结构，可望有较高的可靠性。

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