逆变器发声原理

电路图符号大全

电阻器与电位器；

符号详见图 1 所示；

1，( a )表示一般的阻值固定的电阻器。

2，( b )表示半可调或微调电阻器。

3，( c )表示电位器。

4，( d  )表示带开关的电位器。

5，电阻器的文字符号是“ R ”。

6，电位器是“ RP ”，即在 R 的后面再加一个说明它有调节功能的字符“ P ”。

电容器的符号；

1，( a )表示容量固定的电容器。

2，( b )表示有极性电容器，例如各种电解电容器。

3，( c )表示容量可调的可变电容器。

4，( d  )表示微调电容器。

5，( e )表示一个双连可变电容器。

6，电容器的文字符号是 C 。

电感器的符号；

电感线圈在电路图中的图形符号见图 3 。

1，( a )是电感线圈的一般符号。

2，( b )是带磁芯或铁芯的线圈。

3，( c )是铁芯有间隙的线圈。

4，( d  )是带可调磁芯的可调电感。

5，( e )是有多个抽头的电感线圈。

6，电感线圈的文字符号是“ L ”。

变压器的图形符号；

1，( a )是空芯变压器。

2，( b )是滋芯或铁芯变压器。

3，( c )是绕组间有屏蔽层的铁芯变压器。

4，( d  )是次级有中心抽头的变压器。

5，( e )是耦合可变的变压器。

6，( f )是自耦变压器。

7，( g )是带可调磁芯的变压器。

8，( h  )中的小圆点是变压器极性的标记。

送话器、拾音器和录放音磁头的符号；

1，送话器的符号见图 5 ( a )( b )( c )。

2，( a )为一般送话器的图形符号。

3，( b )是电容式送话器。

4，( c  )是压电晶体式送话器的图形符号。

5，送话器的文字符号是“ BM ”。

拾音器俗称电唱头；

图 5 ( d )是立体声唱头的图形符号，它的文字符号是“ B ”。

图 5 ( e  )是单声道录放音磁头的图形符号。如果是双声道立体声的，就在符号上加一个“ 2 ”字，见图( f )。

扬声器、耳机的符号；

扬声器、耳机都是把电信号转换成声音的换能元件。

耳机的符号见图 5 ( g )。

它的文字符号是“ B E ”。

扬声器的符号见图 5 ( h  )，它的文字符号是“ BL ”。

接线元件的符号；

电子电路中常常需要进行电路的接通、断开或转换，这时就要使用接线元件。

接线元件有两大类：

一类是开关。

另一类是接插件。

( 1 )开关的符号

在机电式开关中至少有一个动触点和一个静触点。当我们用手扳动、推动或是旋转开关的机构，就可以使动触点和静触点接通或者断开，达到接通或断开电路的目的。动触点和静触点的组合一般有  3 种：

① 动合(常开)触点，符号见图 6 ( a );

② 动断(常闭)触点，符号是图 6 ( b );

③ 动换(转换)触点，符号见图 6 ( c  )。

一个最简单的开关只有一组触点，而复杂的开关就有好几组触点。

开关在电路图中的图形符号见图 7 。

1，( a )表示一般手动开关;

2，( b )表示按钮开关，带一个动断触点;

3，( c  )表示推拉式开关，带一组转换触点;图中把扳键画在触。

点下方表示推拉的动作;

1，( d )表示旋转式开关，带 3 极同时动合的触点;

2，( e )表示推拉式 1×6 波段开关;

3，( f )表示旋转式 1×6  æ³¢æ®µå¼€å…³çš„符号。

4，开关的文字符号用“ S ”，对控制开关、波段开关可以用“ SA ”，对按钮式开关可以用“ SB ”。

( 2 )接插件的符号

接插件的图形符号见图 8 ；

1，( a )表示一个插头和一个插座，(有两种表示方式)左边表示插座，右边表示插头。

2，( b )表示一个已经插入插座的插头。

3，(  c )表示一个 2 极插头座，也称为 2 芯插头座。

4，( d )表示一个 3 极插头座，也就是常用的 3 芯立体声耳机插头座。

5，( e )表示一个 6  æžæ’头座。为了简化也可以用图( f )表示，在符号上方标上数字 6 ，表示是 6 极。

6，接插件的文字符号是 X 。为了区分，可以用“ XP ”表示插头，用“ XS  â€è¡¨ç¤ºæ’座。

继电器的符号；

因为继电器是由线圈和触点组两部分组成的，所以继电器在电路图中的图形符号也包括两部分：

一个长方框表示线圈;

一组触点符号表示触点组合。

当触点不多电路比较简单时，往往把触点组直接画在线圈框的一侧，这种画法叫集中表示法，如图  9 ( a  )。

当触点较多而且每对触点所控制的电路又各不相同时，为了方便，常常采用分散表示法。就是把线圈画在控制电路中，把触点按各自的工作对象分别画在各个受控电路里。这种画法对简化和分析电路有利。

但这种画法必须在每对触点旁注上继电器的编号和该触点的编号，并且规定所有的触点都应该按继电器不通电的原始状态画出。

图  9 ( b )是一个触摸开关。当人手触摸到金属片 A 时， 555 时基电路输出( 3 端)高电位，使继电器 KR1 通电，触点闭合使灯点亮使电铃发声。 555  æ—¶åŸºç”µè·¯æ˜¯æŽ§åˆ¶éƒ¨åˆ†ï¼Œä½¿ç”¨çš„是 6 伏低压电。电灯和电铃是受控部分，使用的是 220 伏市电。

继电器的文字符号都是“ K ”。

有时为了区别，交流继电器用“ KA ”，电磁继电器和舌簧继电器可以用“ KR ”，时间继电器可以用“ KT ”。

电池及熔断器符号

电池的图形符号见图 10 ；

长线表示正极，短线表示负极，有时为了强调可以把短线画得粗一些。

1，图 10 ( b  )是表示一个电池组。有时也可以把电池组简化地画成一个电池，但要在旁边注上电压或电池的数量。

2，图 10 ( c )是光电池的图形符号。

3，电池的文字符号为“ GB  â€ã€‚

4，熔断器的图形符号见图 11 ，它的文字符号是“ FU ”。

二极管、三极管符号；

半导体二极管在电路图中的图形符号见图 12 。

1，( a  )为一段二极管的符号，箭头所指的方向就是电流流动的方向，就是说在这个二级管上端接正，下端接负电压时它就能导通。

2，图( b )是稳压二极管符号。

3，图( c  )是变容二极管符号，旁边的电容器符号表示它的结电容是随着二极管两端的电压变化的。

4，图( d )是热敏二极管符号。

5，图( e  )是发光二极管符号，用两个斜向放射的箭头表示它能发光。

6，图( f  )是磁敏二极管符号，它能对外加磁场作出反应，常被制成接近开关而用在自动控制方面。

7，二极管的文字符号用“ V ”，有时为了和三极管区别，也可能用“ VD  â€æ¥è¡¨ç¤ºã€‚

由于 PNP 型和 NPN 型三极管在使用时对电源的极性要求是不同的，所以在三极管的图形符号中应该能够区别和表示出来。

图形符号的标准规定：只要是 PNP  åž‹ä¸‰æžç®¡ï¼Œä¸ç®¡å®ƒæ˜¯ç”¨é”—材料的还是用硅材料的，都用图 13 ( a )来表示。

同样，只要是 NPN 型三极管，不管它是用锗材料还是硅材料的，都用图 13 ( b  )来表示。图 13 ( c )是光敏三极管的符号。图 13 ( d )表示一个硅 NPN 型磁敏三极管。

晶闸管、单结晶体管、场效应管的符号；

晶闸管是晶体闸流管或可控硅整流器的简称，常用的有单向晶闸管、双向晶闸管和光控晶闸管，它们的符号分别为图 14 中的( a )( b )( c  )。

晶闸管的文字符号是“ VS ”。

单结晶体管的符号见图 15 ；

利用电场控制的半导体器件，称为场效应管，它的符号如图 16 所示；

1，( a )表示 N 沟道结型场效应管。

2，( b )表示 N  æ²Ÿé“增强型绝缘栅场效应管。

3，( c )表示 P 沟道耗尽型绝缘栅场效应管。它们的文字符号也是“ VT ”。

扩展资料；

电路图主要由元件符号、连线、结点、注释四大部分组成 ã€‚

元件符号表示实际电路中的元件，它的形状与实际的元件不一定相似，甚至完全不一样。但是它一般都表示出了元件的特点，而且引脚的数目都和实际元件保持一致。

连线表示的是实际电路中的导线，在原理图中虽然是一根线，但在常用的印刷电路板中往往不是线而是各种形状的铜箔块，就像收音机原理图中的许多连线在印刷电路板图中并不一定都是线形的，也可以是一定形状的铜膜。 结点表示几个元件引脚或几条导线之间相互的连接关系。

所有和结点相连的元件引脚、导线，不论数目多少，都是导通的。 注释在电路图中是十分重要的，电路图中所有的文字都可以归入注释—类。细看以上各图就会发现，在电路图的各个地方都有注释存在，它们被用来说明元件的型号、名称等等。

参考资料；百度百科-电路图

三极管、MOS 管与 IGBT：电子世界的 “三兄弟” 有何不同？

三极管、MOS管与IGBT作为电子世界的“三兄弟”，在结构、工作原理和应用场景上存在显著差异，具体如下：

三极管：电流控制的“老大哥”三极管诞生于1947年，结构类似“三层夹心饼干”，由两个PN结组成，分为NPN和PNP两种类型。其核心结构包括基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。基极像“流量阀门”，需通入电流控制集电极到发射极的电流，属于“电流控制电流”型器件。

MOS管：电压操控的“敏捷高手”MOS管结构类似“三明治”，中间为半导体衬底，顶部覆盖绝缘氧化物（如二氧化硅），氧化物上铺设金属栅极（G），底部两端为源极（S）和漏极（D）。栅极与衬底绝缘，通过电压形成电场控制源漏极电流，属于“电压控制电流”型器件。

IGBT：强强联合的“高压猛将”IGBT是20世纪80年代诞生的“混血儿”，结合了MOS管的栅极和三极管的发射极-集电极结构。其顶部栅极通过电压控制开关，底部集电极和发射极能承受大电流和高电压，兼具电压控制与大电流特性。

三极管：“电流驱动”，需持续“喂电”三极管需基极持续通入电流维持导通，功耗较高但反应稳定，适合放大连续变化的信号（如音频、射频）。例如，老式收音机通过三极管放大微弱电波，驱动喇叭发声。

MOS管：“电压驱动”，几乎不耗电MOS管栅极绝缘，施加电压后形成电场控制电流，几乎不消耗栅极电流，开关速度极快（纳秒级），功耗极低，适合高频场景。例如，手机处理器中的MOS管每秒切换数十亿次，实现高速运算。

IGBT：“电压驱动+大电流能力”，高压场景的王者IGBT栅极通过电压控制，导通后允许大电流通过，能承受数百伏至数千伏高压及数百安培电流，开关速度（微秒级）优于三极管。例如，电动汽车电机控制器中，IGBT需频繁切换600V电压和数百安电流，响应油门信号并抗冲击。

三极管：信号放大的“老黄牛”三极管擅长连续调节电流，仍是音频放大、传感器信号处理的主力。例如，耳机放大器用三极管放大音频信号，烟雾报警器用其放大光电传感器电流触发报警。但在高压、高频场景中逐渐被取代。

MOS管：高频低压的“飞毛腿”MOS管因低功耗和高速度，成为低压高频领域的霸主。应用包括手机充电器（高频开关电源）、无人机电机驱动、固态硬盘控制电路等。例如，手机充电器中的MOS管工作在几十千赫兹频率下，高效转换220V交流电为5V直流电。

IGBT：高压强电的“擎天柱”IGBT是高压大电流场景的“刚需”，广泛应用于电动汽车、高铁、工业电机、太阳能逆变器、电焊机等。例如，高铁牵引变流器中，IGBT将25千伏高压转换为适合电机的电压，精准控制转速，堪称“高铁的心脏”。

电子世界需求多样：放大微弱信号需三极管，高速运算需MOS管，电机全力运转需IGBT。三者如同不同工具，各自适配特定场景，共同推动电子技术发展。从三极管到IGBT的革新，体现了工程师利用器件特性构建智能世界的智慧。

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