逆变器封装



逆变器封装

氮矽科技积极布局逆变器领域，推出国际首款采用TO247-4封装的集成驱动氮化镓器件DXC3065S2TB，并与微型逆变器设计厂商涞顿科技、生产厂商安科讯达成战略合作，共同开发新一代氮化镓微型逆变器。以下是具体信息：

一、合作背景与目标市场驱动：能源转型和新能源技术发展推动市场对高效、小型化逆变器的需求增长，传统Si MOSFET器件已无法满足功率提升和小型化需求。合作目标：通过整合氮矽科技的氮化镓技术、涞顿科技的设计能力及安科讯的生产能力，解决逆变器“体积大、效率低”的问题，满足消费者对“体积小、效率高”的需求，推动电力电子应用领域发展。二、核心产品：DXC3065S2TB集成驱动氮化镓器件封装与参数：

采用TO247-4封装，内置650V耐压、80mΩ导阻、最大漏源极电流30A的增强型氮化镓晶体管。

集成驱动器开关速度超10MHz，具备零反向恢复损耗。

技术创新：

埋阻封装工艺：首次在TO系列封装中集成上拉电阻，节省PCB占板面积，保证开关波形稳定，同时减小寄生电感和电阻，提升可靠性和效率。

宽电压输入支持：PWM输入电压范围为0~18V，兼容市面上绝大多数PWM控制器输出，简化电源设计。

UVLO欠压锁定功能：阈值为3.8V，当供电电压VDD低于该值时，内部电路进入待机状态，避免因电压波动导致器件误开启，增强可靠性。

三、产品优势与应用场景高效能源转化：

充分发挥氮化镓高频和零反向恢复特性，提高能源转换效率，减少损耗。

应用领域：

微型逆变器市场：家庭应用占据60%以上市场份额，预计2025年市场规模超50亿美元。DXC3065S2TB可解决传统器件在功率提升和小型化方面的瓶颈。

工业领域：为数据中心、通信基站、电动汽车充电桩等提供高可靠性解决方案。

四、合作意义与行业影响技术突破：DXC3065S2TB的推出标志着氮矽科技在工业领域布局的深化，推动电力电子技术创新。绿色能源贡献：通过提升逆变器效率，助力能源转型和可持续发展。战略协同：三方合作整合了研发、设计与生产资源，加速氮化镓技术的商业化应用，引领行业革命性突破。五、未来展望

氮矽科技通过与涞顿科技、安科讯的战略合作，将持续引领氮化镓技术发展，为用户提供更高效、可靠的产品和解决方案，共同推动绿色能源未来。

逆变器sg3525a用sg3525an会不会更好

SG3525AN是否比SG3525A更好，取决于具体使用场景和需求。

1. 核心结论

SG3525A和SG3525AN的功能与电气特性一致，但封装形式不同：

- SG3525AN采用DIP-16封装，适合手工焊接、实验调试或小批量制作；

- SG3525A泛指该系列芯片，封装选择更灵活，适用于对封装无特殊要求的大规模生产场景。

2. 差异与应用场景对比

2.1 封装特性

•SG3525AN：DIP-16直插式封装，引脚间距大，便于实验板焊接、维修替换；

•SG3525A：可能包含多种封装（如贴片型），需根据具体型号匹配生产需求。

2.2 适用场景优先级

•优选SG3525AN的情况：

研发调试、DIY制作、需频繁更换芯片的场合；

•优选SG3525A的情况：

量产时对体积/成本敏感，或需采用特定封装（如表面贴装）的设计。

3. 决策建议

若您当前注重操作便利性（如焊接、测试），SG3525AN更合适；

若追求生产兼容性或成本优化，可优先选择SG3525A系列中对应封装的具体型号。

储能系统的关键零部件——IGBT介绍

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是储能系统逆变器的核心功率半导体器件，其性能直接影响储能系统的效率与可靠性。以下从技术特性、应用价值、分类及市场现状四个维度展开分析：

一、技术特性：复合型功率器件的典型代表

IGBT由BJT（双极型三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）复合而成，兼具高输入阻抗（MOSFET特性）和低导通压降（GTR特性）的优势。其核心功能是通过栅极电压控制电子流动，实现高效开关操作：

导通机制：正向栅极电压形成沟道，为PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通；关断机制：反向栅极电压消除沟道，切断基极电流，实现快速关断。

技术优势包括：

高开关速度：适用于高频变压、变频场景；大通态电流：支持高功率传输；低导通损耗：减少能量损耗，提升系统效率；驱动电路简单：与MOSFET驱动方式兼容，降低设计复杂度。二、储能应用价值：逆变器性能的关键决定因素

IGBT在储能系统中承担变压、变频、交直流转换等核心功能，其价值量占逆变器成本的20%-30%。与光伏系统相比，储能系统对IGBT的需求更高：

独立储能系统：功率半导体用量是光伏的1.5倍，因需同时处理DCDC（直流-直流）和DCAC（直流-交流）转换；光储一体系统：目前占比超60%-70%，通过共享IGBT模块降低整体成本；效率优势：IGBT在储能逆变器中逐步取代MOSFET，成为主流选择，推动新能源发电行业（如光伏、风电）的快速发展。三、产品分类：多样化结构满足不同场景需求

IGBT按结构形式和应用场景可分为以下类型：

按结构形式：

单管：适用于小功率场景（如家用电器、分布式光伏逆变器）；

模块：由IGBT芯片与FWD（续流二极管）封装而成，占比约75%（IHS数据），应用于大功率场景（如工业变频器、新能源汽车电机控制器）；

智能功率模块（IPM）：集成驱动电路和保护功能，广泛用于白色家电（如变频空调、洗衣机）。

按电压等级：

超低压/低压/中压：覆盖新能源汽车、工业控制、家用电器等领域；

高压：用于轨道交通、新能源发电和智能电网等高电压场景。

四、市场现状：国产替代加速，自给率逐步提升

全球竞争格局：

海外主导：英飞凌、三菱电机、富士电机占据主要市场份额，2022年英飞凌在中国市场占比达15.9%；

模组市场集中度高：CR3（前三名）达56.91%，国产厂商斯达半导和中车时代合计占比5.01%；

分立器件市场：全球CR3为53.24%，士兰微以3.5%进入前十。

国产替代进展：

自给率提升：2022年中国IGBT产量0.41亿只，需求量1.56亿只，自给率26.3%；

驱动因素：

海外供应紧张：光伏芯片大厂交期延长，推动逆变器企业加速验证国产IGBT；

性能需求升级：新能源发电对效率要求高，客户更关注性能而非价格；

本土化优势：国产企业与逆变器厂商合作紧密，服务响应更快。

未来趋势：

技术突破：高压、大功率IGBT模块国产化进程加速；

市场渗透：依托中国逆变器全球领先地位，国产IGBT有望进一步提升市场份额。

总结

IGBT作为储能系统的“心脏”，其技术特性与市场格局深刻影响着行业发展趋势。随着国产替代加速和高压模块技术突破，中国IGBT产业有望在全球竞争中占据更重要地位，为新能源转型提供核心支撑。

逆变器玻璃稳压二极管型号

逆变器中玻璃稳压二极管的具体型号需根据电路电压、功率及封装形式综合选择。

1. 按品牌/系列划分

•ONsemi（安森美）：1N47xx系列（1W，3.3V-100V）、1N5221-1N5281系列（500mW，2.4V-200V）

•Vishay：BZX55Cxxx/BZX85Cxxx系列（1W，2.4V-75V，精度±5%）

•STMicro：BZT52Cxxx/BZX84Cxxx系列（SMD封装，200mW-500mW）

•Diodes Inc.：MMBZxxx/BZT52Cxxx系列（SOT-23封装，200mW-300mW）

•Rohm：UDZVxxx/HZxxx系列（SOT-23/SMAF封装，200mW-500mW）

•Littelfuse：1N5333B-1N5388B系列（5W高功率，3.3V-200V）

2. 按标称电压划分

| 标称电压 | 1W系列型号 | 500mW系列型号 | 贴片小功率型号 |

|----------|----------------|---------------|-------------------|

| 3.3V | 1N4728A | 1N5226B | BZT52C3V3 |

| 5.1V | 1N4733A | 1N5231B | BZX84C5V1 |

| 6.2V | 1N4735A | 1N5233B | MMBZ5262B |

| 9.1V | 1N4739A | 1N5239B | BZT52C9V1 |

| 12V | 1N4742A | 1N5242B | BZX84C12 |

| 15V | 1N4744A | 1N5245B | BZT52C15 |

| 24V | 1N4749A | 1N5251B | SMBJ24A |

3. 按功率等级划分

•小功率（＜1W）：BAS70-04（0.5W）、LL4148（0.3W），封装多为SOD-123/SOD-323

•中功率（1W-3W）：1N4733A（1W）、MMSZ5231B（1.3W），封装多为SMA/SMB

•大功率（＞3W）：SMCJ53A（5W）、P6KE200A（6W），封装多为SMC/TO-277

4. 按封装形式划分

•插件式：DO-41（1N4007系列）、DO-15（1N5333B），适合大电流场景

•贴片式：SOD-123（BZX84C5V6）、SMA（MMBZ5231BLT1G），适合高密度PCB设计

逆变器功率密度100 kW/L，SiC少用一半，它是怎么做到的？

逆变器功率密度达到100 kW/L，同时SiC少用一半，主要是通过以下技术实现的：

双面冷却技术：这是提升功率密度的关键技术。通过双面冷却，可以更有效地散发热量，从而提高功率密度。双面冷却模块的设计减少了热阻，使得热量能够更快速地传递出去，从而提高了整个系统的效率。

减少有源元件数量：在双面冷却模块中，通过优化设计减少了有源元件的数量，这进一步降低了热阻RthJC，并优化了功率密度和电感。这种设计不仅提高了功率密度，还减少了SiC芯片的使用量。

创新的封装方法：GQ Lu团队在芯片贴装上采用了低温烧结的多孔银短金属柱，这种封装方法相较于传统方法具有更好的导热性和可靠性。同时，他们还使用了纳米银烧结技术，提高了凝聚力和附着力，并采用低热膨胀系数的密封剂和场分级材料，增强了模块的绝缘性能。这些创新封装方法不仅提高了功率密度，还降低了对SiC和Cu等材料的依赖。

综上所述，通过双面冷却技术、减少有源元件数量以及创新的封装方法，逆变器实现了100 kW/L的高功率密度，并减少了SiC芯片的使用量，从而降低了成本并提高了效率。

新能源汽车：如何选择碳化硅模块封装？

选择新能源汽车碳化硅模块封装时，需结合应用场景、功率需求、成本、供应链及系统集成复杂度综合决策。以下是具体分析：

一、主流封装类型对比1. HPD封装（High Power Density，全桥）特点与优势：

大电流支持：电流可达1000A以上，耐压1200V-1700V，适用于重卡、大功率新能源车主驱逆变器。

高效散热：采用氮化硅（Si3N4）或氮化铝（AlN）陶瓷基板，热阻降低50%（如AlN基板），满足高功率密度需求。

低杂散电感：寄生电感可降至8nH以下（爱仕特科技推出2.5nH超低杂散电感LPD模块），降低开关损耗和EMI噪声，适合高频应用（10kHz以上）。

兼容性强：管脚兼容IGBT版本驱动设计，车企可直接替换原有IGBT模块，降低研发成本和周期。

劣势与挑战：

成本较高：陶瓷基板和复杂封装工艺推高成本，需配套液冷系统。

体积较大：相比塑封模块，尺寸偏大，可能限制车型结构布局。

量产风险：全桥设计需筛选Vth值，晶圆不良可能导致整个模块损坏。

适用场景：

成本、稳定性、快速量产优先的项目。

需兼容IGBT驱动设计的车型。

超高电流需求（如重卡），需配套高效液冷系统。

2. DCM丹佛斯塑封模块（半桥）特点与优势：

低杂散电感与热阻优化：通过双面散热设计，杂散电感低至5nH以下，热阻降低30%，支持MHz级别开关频率，减少滤波元件体积。

成本优势：塑封工艺成熟，材料成本低，适合规模化量产（欧洲车型已有成熟应用）。

大电流突破：爱仕特科技推出1200V/1000A模块，打破传统技术壁垒。

劣势与挑战：

散热能力有限：塑封材料导热性低于陶瓷基板，依赖外部散热设计，高温环境下可靠性可能受限。

电流范围中等：传统产品电流范围20A-600A，难以满足超高压大电流需求（如800V平台）。

适用场景：

对可靠性要求高、功率输出较大的场景（如商用车、无人机）。

高端车型或800V平台，需多供应商策略分摊风险。

3. TPAK模块（ST）特点与优势：

高灵活性与可扩展性：尺寸20mm×28mm×4mm，支持多芯片并联，适配400V/800V电压平台。

先进互连技术：银/铜烧结Clip工艺，热阻低至0.1K/W，支持175℃高温运行，寿命比传统焊料提升30%。

供应链弹性：支持多芯片供应商（如ST、英飞凌），避免单一供应商风险。

劣势与挑战：

系统复杂度高：需配套高精度驱动电路（如集成NTC温度检测），散热系统需定制化（如微通道液冷）。

成本与量产难度：银/铜烧结工艺成本高，激光焊设备要求高，量产良率控制难度大。

适用场景：

需定制化设计、多拓扑需求的项目。

追求高性能与灵活扩展的车型。

二、选型决策建议1. 应用场景与功率需求HPD封装：

优先选择场景：成本敏感、需快速量产、兼容IGBT驱动设计的项目。

典型应用：中低端乘用车、轻型商用车。

DCM模块：

优先选择场景：对可靠性要求高、功率输出较大的场景（如商用车、无人机）。

典型应用：高端车型、800V平台。

TPAK模块：

优先选择场景：需定制化设计、多拓扑需求的项目。

典型应用：特斯拉等追求高性能与灵活扩展的车型。

2. 成本与供应链HPD封装：

产能充足，主流厂商（如斯达、中车、比亚迪）均支持，成本压力时可切换IGBT。

DCM模块：

塑封工艺成本低，但大电流产品（如1200V/1000A）需依赖技术突破。

TPAK模块：

国内生产厂商较少（如翠展微），端子焊接需激光焊设备，成本较高。

3. 系统集成复杂度HPD模块：

集成度高，配套驱动电路成熟，适合简化设计。

TPAK模块：

支持灵活并联，适配多拓扑需求，但设计门槛高。

三、最终选择建议高端车型或800V平台：优先采用DCM丹佛斯模块，通过多供应商策略分摊风险，并配套铜烧结技术提升可靠性。成本控制和快速量产：选择HPD模块，技术成熟，供应链资源丰富。超大电流需求（如重卡）：HPD封装是当前最优解，需配套高效液冷系统。定制化需求：TPAK模块支持灵活并联，但需权衡成本与量产难度。

Tesla Model 3 动力系统（主逆变器）解析（二）

Tesla Model 3主逆变器采用高度集成化设计，以单块PCB为核心整合控制与驱动功能，结合SiC MOSFET、定制化铜排及传感器组件，实现高功率密度与简化生产工艺。 以下从结构组成、核心器件、连接工艺及设计特点展开分析：

3.1 电机端传感器旋转变压器：用于检测电机转子位置，定子部分通过弹片接地，防止电机绕组高频电压（du/dt）在轴上产生感生电流导致轴承电腐蚀。温度传感器：通过弹簧压紧在电机绕组上，实时监测温度。冷却设计：旋变转子处设冷却孔，与电机油冷系统一体化，提升集成度。电机极数：旋变转子形状表明电机为三对极设计。3.2 逆变器整体结构单PCB集成：控制、驱动、电源等功能集成于一块PCB，通过焊接直接连接SiC MOSFET，减少连接器成本并提升可靠性。壳体组件：安装膜电容、SiC MOSFET、DC滤波模块、交直流母排及低压接插件，结构简洁且工序简化。3.3 PCB设计功能分区：

左上角：控制部分（MCU TMS320F28377）。

右上角：电源部分（DC-DC转换器、变压器）。

中间：放电电阻。

下半部分：驱动电路（6路门极驱动STGAP1AS）。

核心器件清单：

SiC MOSFET：ST GK026（24颗，每半桥4并联）。

旋变信号放大器：ON Semi TCA0372BDW。

温度放大器：TI LMV844。

高压采样：Broadcom ACPL-C87BT-000E。

通信接口：CAN（TI SN65HVD1040A）、LIN（NXP TJA1021）。

3.4 SiC MOSFET及铜排器件封装：采用ST GK026裸片，特斯拉定制封装，其他厂商无法获取。排列方式：每半桥4颗SiC MOSFET并联，通过激光焊接连接输入母排、输出三相铜排及PCB。三明治结构：

最下层：SiC MOSFET固定于散热板。

中间层：白色塑料组件固定输入/输出铜排，实现电气连接。

最上层：PCB焊接MOSFET栅极（GS极）。

3.5 电流传感器定制化设计：两相电流传感器直接焊接于PCB下方，输出铜排穿过传感器孔洞，实现电流采样。3.6 膜电容参数：550μF主电容，集成0.68μF Y2电容，耐压430VDC，用于滤波与稳定直流母线电压。4 总结集成度优势：Model 3逆变器集成度显著高于Model S/X，采用SiC MOSFET提升功率密度，为全球最高水平之一。工艺简化：单PCB设计减少装配工序，但激光焊接工艺对生产设备要求较高，形成技术壁垒。成本与可靠性：SiC器件成本仍高于IGBT，若无需更高容量密度需求，其优势不明显；系统可靠性设计需克服集成化带来的挑战。行业影响：特斯拉率先应用SiC器件，推动行业技术发展，但成本下降需时间，短期内普及受限。

英飞凌IGBT封装家族新成员——Easy3B封装大揭秘

英飞凌IGBT封装家族新成员——Easy3B封装大揭秘

英飞凌一直是IGBT封装标准开发的践行者，其Easy系列封装引领着封装工业标准。随着各终端领域竞争的日益激烈，客户对IGBT模块封装的需求也在不断提升。为了综合应对这些挑战，英飞凌在Easy1B和Easy2B的基础上，推出了无基板Easy封装家族的衍生系列——Easy3B封装。

一、Easy3B封装的六大特点

延续模块高度

Easy3B延续了Easy1B/2B的12mm模块高度，这一设计方便客户进行平台化结构设计，使得新旧产品之间能够无缝对接，降低了设计和生产的复杂度。

标配PressFIT压接pin脚

Easy3B标配PressFIT压接pin脚，这种设计适合自动化产线工艺，能够大大提高安装效率，并且比焊接方式提高可靠性上百倍。压接pin脚与PCB之间实现可靠连接，同时保证低接触电阻，进一步降低了客户的生产成本。

高度集成

Easy3B封装集成了2个Easy 2B尺寸的DCB（直接覆铜板），即一个Easy3B可用DCB面积是Easy2B的两倍。这一设计不仅方便客户安装，提高生产效率，还使得散热器设计更加紧凑，优化了空间利用。

灵活多变的pin脚布局

Easy3B封装提供了多达298个pin脚位置可以出针，这一设计方便提供客制化方案，满足客户对拓扑及pin脚布局的不同需求，同时也方便客户PCB板布局设计，提高了设计的灵活性和适应性。

系统bonding

Easy3B封装的左/右两个DCB之间可以实现系统bonding，这一设计可有效应对复杂拓扑的优化布局，提供更多芯片布局方案选择，从而提供最贴近客户需求的客制化方案。

新的外壳材料

Easy3B封装采用了新的外壳材料，其CTI（相对电痕指数）>400，这一设计有效应对了高母线电压的应用场合，提高了产品的安全性和可靠性。

二、Easy3B封装的机械特性优化

除了上述六大优点外，Easy3B封装还针对其机芯特性从设计上做了性能提升。优化后的结构带来了以下两大优势：

减小模块与散热器之间的热阻Rth_ch

当锁紧模块在散热器上时，两个DCB中间的弓度补偿器将会分别对DCB施加向下的压力，以减小DCB与散热器之间的空隙，从而尽可能地降低Rth_ch，提高了散热效率。

降低DCB衬底的压裂风险

两个弓度补偿器固定在图示的弹性梁上，而弹性梁只有定义的形变空间，因此模块安装时的最大锁紧力会受形变空间而受到限制。在经过弹性梁和弓度补偿器，进而传递到DCB上时，可以很好地控制DCB上的最大受力，大大降低了无铜基板模块的DCB衬底的压裂风险。

三、Easy3B封装在光伏逆变器中的应用

最近几年，国内的光伏发电应用发展迅猛，产品和技术已基本领先全球同行。光伏逆变器作为光伏发电系统的核心部件，其单机功率不断提升，拓扑多样且多变化。这些都对传统的器件封装提出了新的挑战，即设计灵活、成本优化，且能满足各大客户的客制化需求。

Easy3B封装的上述结构特点，极好的适应了光伏逆变器的应用需求与发展趋势。其高度集成、灵活多变的pin脚布局、系统bonding以及优化的机械特性等，都使得Easy3B封装日益成为大功率组串式光伏逆变器的应用主流。

四、了解更多信息

想要了解更多英飞凌IGBT的内容，请访问英飞凌官网：https://www.infineon.com/cms/cn/product/power/igbt/?utm_source=zhihu&utm_medium=social&utm_campaign=gc_cn_ipc

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CXBD3517S高性能600V 2A双通道MOS/IGBT栅极驱动芯片-SOP16封装适用于电机驱动与逆变器

CXBD3517S是一款高性能、高可靠性的双通道MOS/IGBT栅极驱动芯片，采用SOP16（宽体）封装，适用于电机驱动与逆变器等场景，以下从产品特性、应用领域、应用设计三方面展开介绍：

产品特性强劲驱动与高耐压

高端悬浮自举设计，耐压高达600V，能轻松应对高压侧驱动需求。

输出电流能力强，IO+/-为2A/2A，可快速开关大功率MOSFET/IGBT，降低开关损耗。

卓越的可靠性与安全性

内建死区时间控制电路，自动插入死区时间，有效防止桥臂直通短路，保护功率器件。

自带闭锁功能，杜绝上下管输出同时导通的风险，确保系统安全运行。

输入通道（HIN/LIN）内置200K下拉电阻，当输入悬空时，默认关闭上下管输出，增强系统可靠性。

灵活的兼容性与低功耗

适应5V和3.3V逻辑输入电平，方便连接微控制器或数字逻辑电路。

低端Vcc供电范围宽达2.8V - 20V，兼容多种电源方案。

极低静态电流，小于5uA，显著降低待机功耗，非常适合电池供电应用。

简化设计

外围器件少，有效节省PCB空间，降低BOM成本和设计复杂度。

最高支持500kHz开关频率，满足高频应用需求。

清晰的输入逻辑

HIN输入高电平有效，直接控制高端输出HO。

LIN输入高电平有效，直接控制低端输出LO，逻辑清晰，易于控制。

封装优势：采用SOP16 (宽体)封装，提供良好的散热和焊接可靠性。应用领域无刷直流电机 (BLDC) 驱动器 / 电动车控制器：可高效驱动电机中的功率器件，实现电机的稳定运行和精确控制。正弦波逆变器：为逆变器中的MOSFET或IGBT提供可靠的驱动，保证逆变器输出高质量的正弦波。变频水泵控制器 / 风机控制器：通过精确控制功率器件的开关，实现水泵和风机的变频调速，提高系统效率和节能效果。方波逆变器：满足方波逆变器对功率器件驱动的需求，实现电能的转换和输出。高压 Class-D 类音频功率放大器：为音频功率放大器中的功率器件提供驱动，实现高质量的音频放大。应用设计Vcc端电源电压

针对不同的MOS管，选择不同的驱动电压。高压开启MOS管推荐电源Vcc工作电压典型值为10V - 15V；低压开启MOS管推荐电源Vcc工作电压2.8V - 10V。

输入逻辑信号要求和输出驱动器特性

逻辑信号输入端高电平阈值为2.5V以上，低电平阈值为1.0V以下，要求逻辑信号的输出电流小，可使MCU输出逻辑信号直接连接到CXBD3517S的输入通道上。

高端上桥臂和低端下桥臂输出驱动器的最大灌入电流可达2A，最大输出电流可达2A，高端上桥臂通道可以承受600V的电压。

输入逻辑信号与输出控制信号之间的传导延时小，低端输出开通传导延时为280nS、关断传导延时为100nS，高端输出开通传导延时为250nS、关断传导延时为200nS。低端输出开通的上升时间为120nS、关断的下降时间为80nS，高端输出开通的上升时间为120nS、关断的下降时间为100nS。

从真值表可知，当输入逻辑信号HIN为“1”和LIN为“0”时，驱动器控制输出HO为“1”上管打开，LO为“0”下管关断；当输入逻辑信号HIN为“0”和LIN为“1”时，驱动器控制输出HO为“0”上管关断，LO为“1”下管打开；在输入逻辑信号HIN和LIN同时为“0”或同时为“1”情况下，驱动器控制输出HO、LO为“0”将上、下功率管同时关断；内部逻辑处理器杜绝控制器输出上、下功率管同时导通，具有相互闭锁功能。

自举电路

CXBD3517S采用自举悬浮驱动电源结构，只用一路电源电压Vcc即可完成高端N沟道MOS管和低端N沟道MOS管两个功率开关器件的驱动。

可以使用外接一个自举二极管和一个自举电容自动完成自举升压功能。假定在下管开通、上管关断期间C自举电容已充到足够的电压（Vc = Vcc），当HO输出高电平时上管开通、下管关断时，Vc自举电容上的电压将等效一个电压源作为内部驱动器VB和VS的电源，完成高端N沟道MOS管的驱动。

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