加长逆变器



一文清晰了解Mosfet与IGBT的区别

MOSFET和IGBT虽然都可以作为开关元件使用，但二者在定义、工作原理、性能、应用及选型注意事项方面存在明显区别，具体如下：

定义MOSFET：全称金属-氧化物半导体场效应晶体管，因栅极被绝缘层隔离，又称绝缘栅场效应管。可分为N沟道耗尽型和增强型、P沟道耗尽型和增强型四大类。具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，常用作放大器、电子开关等。IGBT：全称绝缘栅双极型晶体管，由晶体三极管和MOS管组成复合型半导体器件。具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制电路简单、耐高压、承受电流大等特点，常用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。工作原理MOSFET：由源极、漏极和栅极端子组成，通过改变栅极电压控制漏极和源极间电流。当栅极电压为正，N型区形成导电通道，电流从漏极流向源极；当栅极电压为负，通道截止，电流无法通过。IGBT：由发射极、集电极和栅极端子组成，通过控制栅极电压控制集电极和发射极间电流。当栅极电压为正，P型区向N型区注入电子，形成导电通道，电流从集电极流向发射极；当栅极电压为负，通道截止，电流无法通过。性能对比功率处理能力

MOSFET：在低、中等功率应用中更具优势，电流可达上KA，但耐压能力不如IGBT。

IGBT：处理高电压和大电流效率高，在高功率应用领域性能优越，电流和电压承受能力都较强，但频率不太高。

开关速度

MOSFET：开关速度快，工作频率可达几百KHZ、上MHZ甚至几十MHZ。

IGBT：硬开关速度可达100KHZ，虽不及MOSFET，但仍能提供良好性能。

导通关断损耗

MOSFET：在具有最小Eon损耗的ZVS和ZCS应用中，因开关速度快，导通时间短，能在较高频率下工作，关断损耗比IGBT低得多。

IGBT：存在拖尾电流，死区时间加长，导致关断损耗较高。

温度特性和电压降

MOSFET：温度系数比IGBT低，高温环境下性能更稳定。

IGBT：正向电压降较MOSFET大，但在高电压应用中，其高瞬态电压承受能力和较低导通损耗可抵消高压降的影响。

成本方面

MOSFET：成本较低，在成本敏感、低功率和高开关频率的应用场景中更具优势。

IGBT：制造过程复杂，功率处理能力高，成本高于MOSFET。

应用优势MOSFET：在高频开关应用中具备优势，适合对开关速度要求高的场景，如开关电源领域，其寄生参数影响转换时间、导通电阻等性能。IGBT：在高压大电流应用中具备优势，处理和传导中至超高电压和大电流能力强，栅极绝缘特性高，电流传导时正向压降低，运行不受浪涌电压干扰，但开关速度较慢，不适合高频应用。选型时的注意事项MOSFET选型

作为电源开关：要选择具有极低导通电阻、低输入电容以及较高栅极击穿电压的MOSFET，以处理电感产生的峰值电压；同时，漏极和源极之间的寄生电感越低越好，可降低开关过程中的电压峰值。

门驱动器或逆变器应用：一般选择低输入电容（利于快速切换）以及较高驱动能力的MOSFET，保证更好的驱动能力。

IGBT选型

额定电压：在开关工作条件下，额定电压通常要高于直流母线电压的两倍。

额定电流：由于负载电气启动或加速时容易电流过载，要求IGBT在1分钟内能够承受1.5倍的过流。

开关速度：良好的开关速度有利于发挥更好的性能。

栅极电压：IGBT的工作状态与正向栅极电压关系密切，一般电压越高，开关损耗越小，正向压降也更小。

MOSFET和IGBT在外形及特性参数上虽有相似之处，但应用和作用有很大不同，不能简单用好坏区分，应根据具体应用领域选择合适的产品。

MOS管和IGBT的区别

MOS管和IGBT在多个方面存在区别，具体如下：

定义与组成MOS管：即MOSFET，中文全称是金属 - 氧化物半导体场效应晶体管，属于绝缘栅场效应管。它可分为N沟耗尽型和增强型、P沟耗尽型和增强型四大类。有的MOSFET内部会有体二极管，也叫寄生二极管、续流二极管。IGBT：绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。其内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。结构特点MOS管：是单一的半导体器件结构。IGBT：通过在MOSFET的漏极上追加层而构成，实际是MOSFET和晶体管三极管的组合。这种结构使IGBT克服了MOSFET导通电阻高的缺点，在高压时仍具有较低的导通电阻。不过，相似功率容量的IGBT和MOSFET相比，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，关断拖尾时间长会使死区时间加长，从而影响开关频率。特性MOS管

优点：高频特性好，工作频率可以达到几百kHz、上MHz；输入阻抗高；开关速度快；热稳定性好；电压控制电流。

缺点：导通电阻大，在高压大电流场合功耗较大。

IGBT

优点：在低频及较大功率场合下表现卓越，导通电阻小，耐压高；输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，承受电流大。

缺点：存在关断拖尾时间，影响开关频率。

寄生二极管作用MOS管

防止VDD过压的情况下烧坏MOS管，在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。

IGBT：主要是为了保护IGBT脆弱的反向耐压。判断IGBT内部是否有体二极管，可用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的且C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。应用领域MOS管：应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域。IGBT：集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。选择依据

在电路中选择MOS管还是IGBT，可从系统的电压、电流、切换功率等因素考虑：

也可参考下图使用条件，阴影部分区域表示MOSFET和IGBT都可以选用，“？”表示当前工艺还无法达到的水平。总体而言，MOSFET高频特性好，但导通电阻大，适合高频电源领域；IGBT在低频大功率场合表现佳，导通电阻小、耐压高，适用于焊机、逆变器等领域。

太阳能逆变器在30千瓦需什么样的电缆

首先你蓄电池使用的电压为多少,如果是48V的蓄电池组 那么从蓄电池到逆变器之间的电流为30000W/48V=625A的电流,那么需要至少是300平方的电线进行连接.如果长度加长并且是地埋铺设的话还要适当增加线径

从逆变器到负载之间的电流:

AC 220V 30000W/220V/1.414=96A

AC 380V 相电流为 30000W/3.8/1.732=45A

则 220V输出使用 35平方的电缆 地埋架设需要适当增加线径

380V输出使用16平方毫米的电缆 地埋架设同样 需要适当增加线径

干货 | 详解MOS管和IGBT的区别

MOS管和IGBT的区别详解

MOS管和IGBT管在电子电路中都是常见的开关元件，它们在外形及特性参数上具有一定的相似性，但在实际应用中却各有侧重。以下是对MOS管和IGBT的详细对比：

一、定义与基本特性

MOS管

定义：MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管。由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。

特性：具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。

种类：可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。部分MOSFET内部还包含体二极管（寄生二极管、续流二极管），用于防止过压或反向感生电压击穿MOS管。

IGBT

定义：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

特性：具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制电路简单、耐高压、承受电流大等特性。

内部二极管：IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。

二、结构特点

MOS管：主要由栅极、源极和漏极构成，通过栅极电压控制源极和漏极之间的导通与截止。IGBT：IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的，实际上是MOSFET和晶体管三极管的组合。IGBT克服了MOSFET导通电阻高的缺点，在高压时仍具有较低的导通电阻。

三、性能对比

开关速度

MOS管：开关速度快，可以工作在高频环境下，频率可达几百kHz至上MHz。

IGBT：开关速度相对较慢，存在关断拖尾时间，因此死区时间也要加长，影响开关频率。

导通电阻

MOS管：导通电阻相对较大，在高压大电流场合功耗较大。

IGBT：导通电阻小，耐压高，适合在低频及较大功率场合下使用。

应用领域

MOS管：主要应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域。

IGBT：集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。

四、选择依据

在电路中选用MOS管还是IGBT管，通常需要考虑系统的电压、电流、切换功率等因素。以下是一些选择依据：

电压与电流：对于高压大电流的应用场景，IGBT更为合适；而对于低压小电流的应用场景，MOS管可能更具优势。开关频率：需要高频开关的应用场景，如高频电源领域，MOS管是更好的选择；而在低频及较大功率场合下，IGBT表现更为卓越。功耗与效率：在高压大电流条件下，IGBT的导通电阻小，功耗较低，效率更高；而MOS管在相同条件下功耗较大。

五、总结

MOS管和IGBT各有其独特的优势和适用场景。MOS管以其高频特性和良好的热稳定性在高频电源领域得到广泛应用；而IGBT则以其低导通电阻、高耐压和承受大电流的能力在低频及较大功率场合下表现出色。在实际应用中，应根据具体需求选择合适的开关元件。

以上展示了MOS管与IGBT的结构对比以及选择条件，有助于更直观地理解两者的区别和应用场景。

一块蓄电池加一个逆变器可以供一台小型电焊机正常使用吗？，如果可以，使用的大概时间是多少？

理论是没啥问题的，蓄电池输出的直流电，加逆变器之后，变成220V左右的交流电。但现实中实现起来，可能不是那么容易，原因在于：电焊机是个比较特殊的负载，其工作电流是非常大，但一般情况下持续的时间是非常短的。或者说其冲击电流是非常大的，恐怕一般的蓄电池难以承受，即使能够承受，那么，电池的寿命也会受到非常大的影响。

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