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硅基逆变器 碳化硅前景广阔,国内碳化硅企业全力赶超

发布时间:2023-12-12 06:20:22 人气:

碳化硅前景广阔,国内碳化硅企业全力赶超

本文章由湖南贝哲斯信息咨询有限公司研究发布,转载请注明来源。

以碳化硅为代表的第三代半导体具有出色的性能,例如高频、高效率、高输出、耐高压、耐高温和强抗辐射性,众多特点切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求,它们支撑新一代移动通信、新能源 汽车 、高速轨道列车等产业自主创新发展和转型升级的中心核心材料和电子元器件,已成为全球半导体技术和产业竞争焦点。

碳化硅性能优势明显

由于碳化硅的禁止宽度是硅的三倍,所以碳化硅器件的泄漏电流明显小于硅器件的泄漏电流,从而降低了功率损耗。其次,碳化硅能耐高压,并且其击穿电场强度是硅的十倍以上。最后,碳化硅能耐高温。 碳化硅的热导率比硅更高,这使其更易于散发器件的热量。 但是,目前各种碳化硅器件的成本是硅基器件的2.4-8倍,其中衬底成本和外延成本最高,分别占47%和23%。

从全球碳化硅衬底市场格局来看,美国的CREE在2018年以62%的市场份额领先,其次是美国的II-VI,市场份额约为16%。 总体而言,美国制造商主导着碳化硅市场。

电动 汽车 推动碳化硅市场爆发

第三代半导体另一个重要产品碳化硅,则将受益于电动 汽车 行业的快速成长而迎来爆发机会。

随着新能源 汽车 的发展,对功率半导体器件的需求日益增长。数据显示,传统燃料 汽车 中,半导体器件的平均价值为355美元,而新能源 汽车 中,半导体器件的价值为695美元,几乎翻了一番,其中,功率器件的增长最为显著,从17美元增加到265美元,增长幅度近15倍。目前市场上,用于新能源 汽车 的大多数功率半导体都是硅基器件,例如硅基IGBT和硅基MOSFET。随着技术和产品的成熟,第三代半导体将逐渐取代大多数硅基产品,市场对碳化硅的需求量越来越大。

在2019年,以碳化硅为代表的第三代半导体电力电子设备应用在电动 汽车 领域取得了快速进展。全球有20多家 汽车 制造商在其车载充电器中使用碳化硅器件。特斯拉Model 3逆变器使用ST Microelectronics的全碳化硅功率模块。各 汽车 制造商都计划于未来几年内将碳化硅电力电子器件用于主逆变器中。在充电基础设施方面,台达联手通用等合作开发,将碳化硅功率半导体器件应用于400KW的拆快读充电器中。在电驱动方面,Cree联手,双方都已达成战略合作协议,促进使用基于碳化硅的逆变器开发电驱动动力总成。

碳化硅在光伏产业中的应用

在太阳能应用中,基于硅器件的传统逆变器的成本约占系统的10%,但却是导致系统能量损耗的主要原因之一。将碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器可将转换效率从96%提高到99%以上,能源消耗有50%以上的降幅,并且设备使用寿命能够提升50%,达到减少系统体积、增加功率密度、延长设备寿命和降低制造成本的效果。高效率、高功率密度,高可靠性和低成本是太阳能逆变器的未来发展趋势。在组串式和集中式光伏逆变器中,碳化硅产品有望逐步取代硅基器件。

碳化硅产业链依次为上游衬底,中游外延晶片制造,下游器件制造。从整个碳化硅产业来看,美国、日本和欧洲是产业内部的三老巨头。其中,美国全球独大,占世界碳化硅产量的70%至80%。CREE在碳化硅晶片市场中的市场份额高达60%;欧洲拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件和应用程序的产业链,并且在全球电力电子市场中拥有较强的影响力。日本是设备和模块开发方面的绝对领导者。自上世纪八十年代以来,美国、日本和欧洲等发达国家一直将宽禁带半导体技术置于极其重要的战略地位,以保持在航空航天、军事和技术上的领先地位。这些国家和地区在碳化硅半导体领域,已走在世界前列。碳化硅半导体器件产业化主要以英飞凌、Cree公司、GE和罗姆公司、丰田公司等为代表。

国内碳化硅半导体企业正全力赶超

与美日欧相比之下,我国碳化硅企业在技术、产能等方面虽然仍有欠缺,国内拥有全球最大的消费市场,增长速度高于世界平均水平。国第三代半导体产业从 2015 年开始高速增长,从终端市场看未来应用将广泛扩展到人工智能、新能源 汽车 、自动驾驶、5G 技术、车联网等领域。第三代半导体器件在新兴应用领域的渗透迅猛,国内市场化进度显著快于国外。当前我国碳化硅产业链已初具规模,具备将碳化硅产业化的基础,国内企业有望在本土市场应用中实现弯道超车,一些代表性的企业如天科合达、山东天岳、河北同光等竞争力不断提高。

碳化硅半导体具有广泛的潜在应用,在新能源 汽车 、太阳能发电和其他电力相关领域均具有潜在价值。随着下游行业对具有轻量化、高转换效率和低发热特性的半导体功率器件的需求不断增长,工业发展不可避免地要用碳化硅代替功率器件中的硅。然而,碳化硅单晶和外延材料的高成本、材料缺陷等问题尚未完全解决,制造难度高,不成熟的器件封装无法满足高频和高温应用的需求,全球碳化硅技术与产业距离成熟尚有一定的差距,因此碳化硅器件市场的扩张步伐在一定程度上受到限制。

碳化硅材料具有出色的耐热性、耐腐蚀性和导热性,应用前景非常广阔。作为第三代半导体材料,碳化硅得到外界越来越多的关注和重视,现已成为国内外研究热点。未来发展空间不可限量。在各国加紧布置的同时,国内也需要加快碳化硅半导体的整体研究与开发,创建一个独立且具有国际竞争力的碳化硅材料和器件产业。

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逆变器硅有什么型号

通常逆变器的输入电压为12V、24V、36V、48V也有其他输入电压的型号,而输出电压一般多为220V,当然也有其他型号的可以输出不同需要的电压。逆变器的关键参数是:输出功率、转换效率、输出波形质量。只要比较一下这些参数就知道这款逆变器质量如何了。逆变器是一种常用设备,只要是属于常用型号,一般在电气维修点以及几乎所有的电子市场都会有售的,而且只要是技术还可以的电气维修店都是可以维修的,电子市场就更可以维修了。如果是非常用型号或者功率很大的情况下就只能去电子市场或者网上定制了。
逆变器是把直流电能转换为交流电能(一般情况下为220V,50Hz的正弦波)的设备。它与整流器的作用相反,整流器是将交流电能转换为直流电能。逆变器由逆变桥、控制单元和滤波电路组成。广泛应用于空调、电动工具、电脑、电视、洗衣机、冰箱,、按摩器等电器中。
逆变器在选择和使用时必须注意以下几点:
1)直流电压一定要匹配;
每台逆变器都有标称电压,如12V,24V等,
要求选择蓄电池电压必须与逆变器标称直流输入电压一致。如12V逆变器必须选择12V蓄电池。
2)逆变器输出功率必须大于用电器的最大功率;
尤其是一些启动能量需求较大的设备,如电机、空调等,需要额外留有功率裕量。
3)正负极必须接线正确
逆变器接入的直流电压标有正负极。一般情况下红色为正极(+),黑色为负极(—),蓄电池上也同样标有正负极,红色为正极(+),黑色为负极(—),连接时必须正接正(红接红),负接负(黑接黑)。连接线线径必须足够粗,并且应尽可能减少连接线的长度。
4)充电过程与逆变过程不能同时进行,以避免损坏设备,造成故障。
5)逆变器外壳应正确接地,以避免因漏电造成人身伤害。
6)为避免电击伤害,严禁非专业人员拆卸、维修、改装逆变器。

请教:可控硅(晶闸管)逆变器

第一,你要充电就不是逆变是整流
第二,40A电流你要选额定至少120A以上的管,额定电压取决于你的电路结构
第三,晶闸管是半控器件,用来进行无源逆变需要辅助电路的,还不如用MOSFET或IGBT

碳化硅前景广阔,国内碳化硅企业全力赶超

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以碳化硅为代表的第三代半导体具有出色的性能,例如高频、高效率、高输出、耐高压、耐高温和强抗辐射性,众多特点切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求,它们支撑新一代移动通信、新能源 汽车 、高速轨道列车等产业自主创新发展和转型升级的中心核心材料和电子元器件,已成为全球半导体技术和产业竞争焦点。

碳化硅性能优势明显

由于碳化硅的禁止宽度是硅的三倍,所以碳化硅器件的泄漏电流明显小于硅器件的泄漏电流,从而降低了功率损耗。其次,碳化硅能耐高压,并且其击穿电场强度是硅的十倍以上。最后,碳化硅能耐高温。 碳化硅的热导率比硅更高,这使其更易于散发器件的热量。 但是,目前各种碳化硅器件的成本是硅基器件的2.4-8倍,其中衬底成本和外延成本最高,分别占47%和23%。

从全球碳化硅衬底市场格局来看,美国的CREE在2018年以62%的市场份额领先,其次是美国的II-VI,市场份额约为16%。 总体而言,美国制造商主导着碳化硅市场。

电动 汽车 推动碳化硅市场爆发

第三代半导体另一个重要产品碳化硅,则将受益于电动 汽车 行业的快速成长而迎来爆发机会。

随着新能源 汽车 的发展,对功率半导体器件的需求日益增长。数据显示,传统燃料 汽车 中,半导体器件的平均价值为355美元,而新能源 汽车 中,半导体器件的价值为695美元,几乎翻了一番,其中,功率器件的增长最为显著,从17美元增加到265美元,增长幅度近15倍。目前市场上,用于新能源 汽车 的大多数功率半导体都是硅基器件,例如硅基IGBT和硅基MOSFET。随着技术和产品的成熟,第三代半导体将逐渐取代大多数硅基产品,市场对碳化硅的需求量越来越大。

在2019年,以碳化硅为代表的第三代半导体电力电子设备应用在电动 汽车 领域取得了快速进展。全球有20多家 汽车 制造商在其车载充电器中使用碳化硅器件。特斯拉Model 3逆变器使用ST Microelectronics的全碳化硅功率模块。各 汽车 制造商都计划于未来几年内将碳化硅电力电子器件用于主逆变器中。在充电基础设施方面,台达联手通用等合作开发,将碳化硅功率半导体器件应用于400KW的拆快读充电器中。在电驱动方面,Cree联手,双方都已达成战略合作协议,促进使用基于碳化硅的逆变器开发电驱动动力总成。

碳化硅在光伏产业中的应用

在太阳能应用中,基于硅器件的传统逆变器的成本约占系统的10%,但却是导致系统能量损耗的主要原因之一。将碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器可将转换效率从96%提高到99%以上,能源消耗有50%以上的降幅,并且设备使用寿命能够提升50%,达到减少系统体积、增加功率密度、延长设备寿命和降低制造成本的效果。高效率、高功率密度,高可靠性和低成本是太阳能逆变器的未来发展趋势。在组串式和集中式光伏逆变器中,碳化硅产品有望逐步取代硅基器件。

碳化硅产业链依次为上游衬底,中游外延晶片制造,下游器件制造。从整个碳化硅产业来看,美国、日本和欧洲是产业内部的三老巨头。其中,美国全球独大,占世界碳化硅产量的70%至80%。CREE在碳化硅晶片市场中的市场份额高达60%;欧洲拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件和应用程序的产业链,并且在全球电力电子市场中拥有较强的影响力。日本是设备和模块开发方面的绝对领导者。自上世纪八十年代以来,美国、日本和欧洲等发达国家一直将宽禁带半导体技术置于极其重要的战略地位,以保持在航空航天、军事和技术上的领先地位。这些国家和地区在碳化硅半导体领域,已走在世界前列。碳化硅半导体器件产业化主要以英飞凌、Cree公司、GE和罗姆公司、丰田公司等为代表。

国内碳化硅半导体企业正全力赶超

与美日欧相比之下,我国碳化硅企业在技术、产能等方面虽然仍有欠缺,国内拥有全球最大的消费市场,增长速度高于世界平均水平。国第三代半导体产业从 2015 年开始高速增长,从终端市场看未来应用将广泛扩展到人工智能、新能源 汽车 、自动驾驶、5G 技术、车联网等领域。第三代半导体器件在新兴应用领域的渗透迅猛,国内市场化进度显著快于国外。当前我国碳化硅产业链已初具规模,具备将碳化硅产业化的基础,国内企业有望在本土市场应用中实现弯道超车,一些代表性的企业如天科合达、山东天岳、河北同光等竞争力不断提高。

碳化硅半导体具有广泛的潜在应用,在新能源 汽车 、太阳能发电和其他电力相关领域均具有潜在价值。随着下游行业对具有轻量化、高转换效率和低发热特性的半导体功率器件的需求不断增长,工业发展不可避免地要用碳化硅代替功率器件中的硅。然而,碳化硅单晶和外延材料的高成本、材料缺陷等问题尚未完全解决,制造难度高,不成熟的器件封装无法满足高频和高温应用的需求,全球碳化硅技术与产业距离成熟尚有一定的差距,因此碳化硅器件市场的扩张步伐在一定程度上受到限制。

碳化硅材料具有出色的耐热性、耐腐蚀性和导热性,应用前景非常广阔。作为第三代半导体材料,碳化硅得到外界越来越多的关注和重视,现已成为国内外研究热点。未来发展空间不可限量。在各国加紧布置的同时,国内也需要加快碳化硅半导体的整体研究与开发,创建一个独立且具有国际竞争力的碳化硅材料和器件产业。

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浙商证券:SiC碳化硅产业化黄金时代已来,衬底为产业化突破的核心

智通 财经 APP获悉,浙商证券发布研究报告指出,受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临。Yole预计2026年SiC功率器件市场规模将达45亿美元,2020-2026年CAGR为36%。SiC衬底的市场空间方面,预计2025年新能源车加光伏逆变器市场需求达261亿元,2021-2025年CAGR达到79%。目前国内外差距在逐步缩小,国产替代可期。目前海外龙头(Wolfspeed、II-VI占据60%以上市场份额)已实现6英寸规模化供应、向8英寸进军;国产厂家(天岳先进、天科合达、晶盛机电、露笑 科技 等)以小尺寸为主、向6英寸进军。浙商证券重点推荐晶盛机电(***.sz)。

1)高压、高功率应用场景下性能优越,适用于600V以上高压场景。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,尺寸减小至原来1/10,导通电阻降低至原来1/100,总能损耗降低70%,能源转换效率提高。下游应用新能源车、充电桩、光伏、风电、轨道交通等领域。

2)受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临。Yole预计2026年SiC功率器件市场规模将达45亿美元,2020-2026年CAGR=36%。新能源 汽车 是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动,应用端:解决续航痛点。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本。客户端:特斯拉等车企相继布局。目前特斯拉仅使用在主逆变器上、未来有进一步应用提升空间。

3)性价比是决定SiC器件大批量使用的关键,衬底制备为碳化硅性价比提升的核心。在碳化硅器件的成本占比当中:衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心、也是技术壁垒最高环节,是未来SiC降本、大规模产业化推进的核心关键。

SiC衬底:新能源车+光伏需求潜力巨大;国内外差距逐步缩小、国产替代可期

1)市场空间:预计2025年新能源车+光伏逆变器市场需求达261亿元,2021-2025年CAGR=79%。新能源车:目前单特斯拉Model 3/Y一年需求量就能消耗全球SiC晶圆绝大产能。我们测算如2025年SiC在新能源车渗透率达60%,预计6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。光伏逆变器:“大组件、大逆变器、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,碳化硅功率器件有望成为标配。我们假设2025年碳化硅渗透率提升至50%,对应SiC衬底市场达30亿元。行业核心瓶颈在于供给端不足。

2)竞争格局:国内外差距在逐步缩小,国产替代可期。目前海外龙头(Wolfspeed、II-VI占据60%以上市场份额)已实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家(天岳先进、天科合达、晶盛机电、露笑 科技 等)以小尺寸为主、向6英寸进军。但可观测到,国内外差距正在缩小、且整体差距小于传统硅基半导体。国内外差距已从过去的10-15年(4英寸)、缩小至5-10年以内(6英寸)。预计未来向8英寸进军过程中,差距是、有望进一步缩小。

3)生产工艺:较硅基半导体难度大幅增加;长晶环节是关键。碳化硅衬底属于技术密集型行业。核心难点在于:长晶工艺复杂(只有4H型等少数几种是所需的晶型),生长速度慢(每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅慢近百倍以上),产出良率低(硬度与金刚石接近,切磨抛难度大)。“产学研用”为国内碳化硅衬底发展的重要推进动力。国内高校和科研单位主要包括中科院物理所、山东大学、上海硅酸盐所等。

4)行业趋势:降本是产业化核心,向大尺寸延伸。目前6英寸SiC衬底价格在1000美金/片,数倍于传统硅基半导体。未来降本方式包括:提升材料使用率(大尺寸化,由4英寸向6英寸、8英寸延伸)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟长晶工艺)。

SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒

主要包括:长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具一定相通性、但工艺难度更高。碳化硅衬底第三方设备厂商较少,企业更多为设备+制造一体化布局为主,便于将核心工艺机密掌握自己手里。设备+工艺联合研发、形成互哺是关键。

投资建议

风险提示:研发进度不及预期风险;国际贸易争端加剧风险。

湖北仙童科技有限公司 高端电力电源全面方案供应商 江生 13997866467

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