发布时间：2025-06-11 21:10:01 人气：
IR2110国产替代芯片ID7S625高压逆变器驱动芯片
IR2110替代ID7S625芯片在高压逆变器驱动领域具有广泛的应用。驱动方式包括非隔离直接驱动、自举驱动、隔离变压器驱动及光耦隔离驱动。
IR2110驱动芯片替代ID7S625，具备以下特征：
1. 工作电压范围为10V至20V。
2. 兼容3.3V、5V及15V的输入逻辑。
3. 输出电流能力高达2.5A。
4. 高侧浮动偏移电压达到600V。
5. 具备自举工作的浮地通道。
6. 所有通道均具有延时匹配功能。
7. 每个通道均配备欠压保护功能(UVLO)。
ID7S625芯片具有独立的高低侧输出通道，其浮地通道能在高压环境下正常工作，适用于驱动N沟道功率MOSFE或IGBT半桥拓扑结构，特别适合硬开关逆变器驱动器及DCDC变换器。
与ID7S625相比，IR2110芯片的驱动方式采用外部自举电容上电，这种设计优势在于体积小、启动速度快，有效减少驱动电源路数目，降低成本，提升系统可靠性。因此，IR2110已成为多数中小功率变换装置中驱动器件的首选。
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