最先进的逆变器igbt



igbt逆变模块

逆变器IGBT是什么意思？

逆变器IGBT，全名为绝缘栅双极型晶体管，是一种高性能的低压降功率开关器件。其主要用于能源转换、高电压直流输电等领域。

逆变器IGBT工作原理主要是通过控制其栅极信号来实现电流的开关。具体来说，通过控制栅极电压，可以控制设备的导通和截止，从而实现电流的开关操作。

逆变器IGBT广泛用于工业自动化和能源电力等领域，如交流电源、变频器、UPS、太阳能逆变器、风力发电、电机驱动器等。以其性能稳定、控制精度高和效率好等特点，逆变器IGBT已经成为现代电力控制和转换领域的重要元器件之一。

国产igbt有哪些品牌 英飞凌IGBT模块选型指南

国内功率电子设备市场近年来显著增长，绝缘栅双极晶体管（IGBT）尤为突出。IGBT因能源效率和系统性能优势被广泛应用，颖特新介绍中国主流国产IGBT品牌：嘉兴斯达半导体、江苏宏微科技、南京银茂微电子、比亚迪半导体和上汽英飞凌汽车功率半导体。

1.嘉兴斯达半导体股份有限公司

自2005年成立以来，嘉兴斯达半导体股份有限公司作为国家级高新技术企业，一直专注于IGBT芯片和模块的研发、生产与销售服务。该公司成功研发出全系列IGBT芯片、FRD芯片及IGBT模块，实现了进口替代，并在新能源汽车、变频器、逆变焊机、UPS、光伏/风力发电、SVG、白色家电等领域得到广泛应用。

2.江苏宏微科技股份有限公司

长期从事电力电子产品研发和生产的江苏宏微科技股份有限公司，自设立以来一直专注于设计、研发、生产和销售功率半导体芯片、单管和模块，具有强大的解决方案能力。同时，它还为国家IGBT和FRED标准起草单位提供了强大的支持。

3.南京银茂微电子制造有限公司

南京银茂微电子制造有限公司专注于工业和其他应用的功率IGBT和MOSFET模块产品的设计和制造。2016年通过TS16949认证之后，开始进入新能源汽车级IGBT/SIC功率模块生产制造领域。他们的产品广泛用于工业变频、新能源、电源装备、公共交通、航空航天和国防领域等多个领域。

4.比亚迪半导体有限公司

比亚迪半导体股份有限公司是一家国内领先的半导体企业，其产品涵盖MOSFET、IGBT、IPM、SiC功率器件等多个领域。目前，基于高密度Trench FS的IGBT 5.0技术已实现量产，而且正在积极布局新一代IGBT技术。比亚迪是国内少数能够实现车规级IGBT量产装车的IDM厂商。

5.上汽英飞凌汽车功率半导体（上海）有限公司

上汽英飞凌汽车功率半导体有限公司是由上汽集团和英飞凌共同出资成立的合资企业。他们从事车规级IGBT功率模块的生产、销售、本土化的应用服务与开发支持。工厂全方位引进了德国英飞凌的先进设备、生产工艺与质量保证体系，建立了国内第一家具备国际领先水平的车规级全自动IGBT模块封装测试产线和高度集成的生产制造系统。

英飞凌是电子元器件行业的领导者，IGBT产品线应用广泛，包括交流驱动、塔瓦转换器、电机控制、太阳能逆变器和电源供应等。要选择合适的英飞凌IGBT，需要注意以下基本指南：

1. 确定应用场景：不同的应用场景可能会有不同的特性需求如开关速度、耗散功率和工作温度等。

2. 选择合适的电压和电流等级：了解系统最大承受压力以及正常运行时所需电流将帮助您选出相应的IGBT。

3. 考虑开关频率：高频率开关通常效率更高但可能导致更大损耗。因此，选择开关频率主要取决于特定应用对效率和损耗重视程度。

4. 考虑封装类型：根据设备设计需要选择适合的封装类型如TO-220, TO-247, SOT-227, D2PAK等。

5. 查阅数据手册：每个英飞凌IGBT产品都有详细规格和性能参数，这些参数可帮助您做出精确选择。

6. 使用在线选型工具：在英飞凌网站上提供在线选型工具，用户输入特定需求后即可获得推荐组件。

逆变器igbt是什么意思？

逆变器IGBT全名为绝缘栅双极型晶体管，是一种高性能的低压降功率开关器件。以下是关于逆变器IGBT的详细解释：

定义与用途：

定义：逆变器IGBT是一种特殊的晶体管，结合了MOSFET和双极晶体管的优点。用途：主要用于能源转换、高电压直流输电等领域，特别是在逆变器中扮演关键角色。

工作原理：

栅极控制：逆变器IGBT通过控制其栅极信号来实现电流的开关。具体来说，栅极电压的变化可以控制设备的导通和截止状态。开关操作：当栅极电压达到某一阈值时，IGBT开始导通；当栅极电压降低至低于阈值时，IGBT则截止，从而实现电流的精确控制。

应用领域：

工业自动化：在交流电源、变频器等设备中广泛应用，用于精确控制电机的转速和功率。能源电力：在UPS、太阳能逆变器、风力发电等系统中作为核心元器件，实现电能的转换和调节。其他应用：还广泛应用于电机驱动器等领域，以其高性能和可靠性受到广泛认可。

特点与优势：

性能稳定：逆变器IGBT具有较高的稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境中保持稳定的性能。控制精度高：通过精确控制栅极电压，可以实现高精度的电流开关操作。效率高：逆变器IGBT的低压降特性使其具有较高的能量转换效率，有助于降低系统能耗。

综上所述，逆变器IGBT作为一种高性能的功率开关器件，在能源转换和电力控制领域发挥着重要作用。

光伏技术IGBT光伏发电逆变电路原理

IGBT光伏发电逆变电路的原理主要是通过IGBT的电压控制特性，实现高效、稳定的电能转换。以下是具体原理的几点说明：

IGBT的基本特性：

IGBT是在MOSFET的基础上增加了一个P+区形成的，具有反向偏置、高耐压和低阻状态的特点。IGBT能够通过电压控制实现导通或关断，适用于中、高压容量系统，在通态电流和高正反向电压方面表现出色。

IGBT在光伏发电逆变电路中的作用：

在光伏发电系统中，IGBT作为逆变电路的关键元件，负责将光伏电池板产生的直流电转换为交流电。IGBT的大通态电流和高正反向电压特性使其在高压大容量系统中能够减少损耗，优化工作状态。

电路设计优化：

在逆变电路设计中，通常采用单片机作为DCDC变换器控制器，DSP芯片控制全桥逆变电路。通过优化驱动电路，如使用EXB841集成电路设计，调整栅极电阻，可以降低损耗，提高效率。

软开关技术的应用：

软开关技术使用PWM变换器，通过相位控制使IGBT在导通或关断时电流和电压接近零，从而显著减少损耗。这种技术有助于提高逆变器的效率，使输出波形更接近正弦波，减少系统损耗，提高工作效率。

实验结果与验证：

实验结果表明，采用IGBT和优化设计的逆变电路，输出波形稳定，接近正弦波。理想正弦波的总谐波畸变度为零，验证了设计的可行性，达到了预期效果。

综上所述，IGBT光伏发电逆变电路通过IGBT的电压控制特性、电路设计优化以及软开关技术的应用，实现了高效、稳定的电能转换，提高了光伏发电系统的整体效率。

MOSFET对比

MOSFET，全称为功率场效应晶体管，拥有源极（S）、漏极（D）和栅极（G）三个基本极。它的主要优势在于热稳定性优良，能够承受较大的安全工作区。然而，MOSFET的缺点在于击穿电压较低，且工作电流容量相对较小。

相比之下，IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种更为先进的功率器件，它是在MOSFET和GTR（功率晶管）的基础上创新而来。IGBT的结构包括集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)，其显著特点是击穿电压高达1200V，这远超MOSFET。而且，它的集电极最大饱和电流已经可以达到惊人的1500A以上，这意味着IGBT在电流处理能力上具有显著提升。

在实际应用中，IGBT因其出色的性能被广泛用于变频器中，特别当其作为逆变器件时，能够驱动容量高达250kVA的系统，工作频率甚至可以达到20kHz，这无疑提升了设备的效率和性能。IGBT的这些特性使其在工业控制、电力电子等领域占据了重要地位。

扩展资料

金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

IGBT能做逆变器吗？

IGBT确实可以用于逆变器，不过它只是逆变器中的功率器件之一。在逆变器的设计中，IGBT发挥着关键作用，其能够将直流电转换为交流电，这一过程对于许多电力转换应用至关重要。

IGBT作为一种电压控制型半导体开关，具有高效率、高功率密度和快速开关速度的特点，这使得它非常适合在逆变器中使用。逆变器的核心功能是将稳定的直流电转换成交流电，以满足不同设备的需求。在这个过程中，IGBT起到了至关重要的角色，确保了电力转换的高效和稳定。

除了IGBT，逆变器中还有其他重要的元件，如电容、电感、变压器和控制电路等。这些元件协同工作，确保逆变器能够高效地将直流电转换为交流电。在逆变器的设计和制造过程中，IGBT的选择和匹配对于整个系统的性能至关重要。

逆变器的应用场景非常广泛，包括家用电器、工业设备、可再生能源系统等。在这些应用场景中，IGBT的可靠性和效率显得尤为重要。通过使用高质量的IGBT和其他元件，逆变器能够实现高效的电力转换，从而提高能源利用效率。

总之，IGBT在逆变器中扮演着重要角色，其高效的性能和可靠性使得它成为逆变器设计中的关键部件。在选择和使用IGBT时，工程师需要综合考虑其特性和应用场景，以确保逆变器能够高效、稳定地运行。

igbt逆变器工作原理是什么

1. IGBT逆变器的工作原理是什么？

IGBT逆变器是一种高性能的电力变换器，常用于将直流电源转换为交流电源。IGBT逆变器由三个主要部分组成：输入整流器、中间环节电路和输出逆变器。输入整流器将输入的直流电压转换为中间环节电路所需的电压，而输出逆变器则将中间环节电路的直流电压转换为交流电压。在逆变过程中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）起到关键的作用。

2. IGBT逆变器与其他逆变器有何不同？

与其他逆变器相比，IGBT逆变器的主要优势在于其高效率和高性能。IGBT逆变器结合了晶体管的优点，即具有开关功率器件的高速开关能力，以及双极性晶体管的耐高电压的特性。这种组合使得IGBT逆变器能够在高电压和高频率下工作，并提供较高的输出功率。此外，IGBT逆变器还具有噪音低、可靠性高和体积小等优点。

3. IGBT逆变器的工作过程是怎样的？

IGBT逆变器的工作过程可以分为以下几个步骤：首先，输入整流器将输入的直流电源转换为中间环节电路所需的电压。然后，中间环节电路将直流电压提供给输出逆变器，输出逆变器再将中间环节电路的直流电压转换为交流电压。最后，输出逆变器将交流电压输出给负载。整个过程中，IGBT作为关键的功率开关器件，在不同的状态下控制着电流的流动。

4. IGBT逆变器的应用领域有哪些？

IGBT逆变器广泛应用于工业自动化、交通运输、太阳能发电、风力发电等领域。在工业自动化中，IGBT逆变器常用于控制电机的速度和转向。在交通运输中，IGBT逆变器用于电动汽车和混合动力汽车的电动驱动系统。在太阳能发电和风力发电中，IGBT逆变器将直流输入转换为交流输出，以满足电网的要求。

5. IGBT逆变器的未来发展趋势是什么？

随着科技的不断进步和应用需求的增加，IGBT逆变器正朝着更高效、更可靠、更智能化的方向发展。未来，IGBT逆变器有望实现更高的功率密度和更低的能耗。此外，随着电动汽车市场的扩大，对IGBT逆变器的需求也将大幅增长。同时，智能化的IGBT逆变器将通过集成更多的控制和监测功能来提高系统的性能和可靠性。

IGBT是什么

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

定义

IGBT结构图左边所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

[编辑本段]工作特性

静态特性

IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示 Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh 式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。 通态电流Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos 式中Imos ——流过MOSFET 的电流。 由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。

动态特性

IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。 IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。 IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间 t(off)=td(off)+trv十t(f) 式中，td(off)与trv之和又称为存储时间。 IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。 正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。

[编辑本段]发展历史

1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构（P-N-P-N四层组成），其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。 80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS（双扩散形成的金属-氧化物-半导体）工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT（非穿通）型设计。后来，通过采用PT（穿通）型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进，这是随着硅片上外延的技术进步，以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的[3]。几年当中，这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其设计规则从5微米先进到3微米。 90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成（LSI）工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通（PT）型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。 硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是采用非穿通（NPT）结构，继而变化成弱穿通（LPT）结构，这就使安全工作区（SOA）得到同表面栅结构演变类似的改善。 这次从穿通（PT）型技术先进到非穿通（NPT）型技术，是最基本的，也是很重大的概念变化。这就是：穿通（PT）技术会有比较高的载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面，非穿通（NPT）技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率，不过其载流子注入系数却比较低。进而言之，非穿通（NPT）技术又被软穿通（LPT）技术所代替，它类似于某些人所谓的“软穿通”（SPT）或“电场截止”（FS）型技术，这使得“成本—性能”的综合效果得到进一步改善。 1996年，CSTBT（载流子储存的沟槽栅双极晶体管）使第5代IGBT模块得以实现[6]，它采用了弱穿通（LPT）芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。目前，包括一种“反向阻断型”（逆阻型）功能或一种“反向导通型”（逆导型）功能的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。 IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。 现在,大电流高电压的IGBT已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,现在已制造出集成化的IGBT专用驱动电路.其性能更好,整机的可靠性更高及体积更小。

[编辑本段]输出特性与转移特性

IGBT与MOSFET的对比MOSEFT全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

[编辑本段]模块简介

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

[编辑本段]等效电路

IGBT模块的选择

IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。

使用中的注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点： 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。 在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。

保管时的注意事项

一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75％左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合； 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方； 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物； 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。 IGBT模块由于具有多种优良的特性，使它得到了快速的发展和普及，已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能，了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。

光伏逆变器IGBT Top10厂商排名出炉！

2022年光伏逆变器IGBT Top10厂商排名如下：

闻泰科技：凭借安世半导体的技术优势，位居榜首。扬杰科技：通过并购和研发投入，形成了完整的IDM模式，排名第二。士兰微：作为集成电路和功率器件的领军企业，构建了IDM经营模式，位列第三。斯达半导体：以全球领先的IGBT模块芯片供应能力，稳居前列。新洁能：以产品质量和客户认可度，紧随其后。华润微：依托无锡半导体产业生态和强大的IDM能力，位列第六。吉林华微：在TrenchFS IGBT技术上取得突破，进军光伏领域。捷捷微电：凭借定制化服务，占据榜单。宏微科技：凭借技术实力，占据榜单。上海贝岭：凭借全面的功率器件解决方案，也在市场中占据一席之地。

这些企业在IGBT领域的卓越表现，为光伏行业的持续发展提供了强有力的支持。

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