逆变器的DCM模式

碳化硅模块DCM与HPD针对新能源汽车800V平台系列1200V至1700V高压大电流800A/MODULE（pin丹弗斯）

碳化硅MOS模块ASC800N1200DCS12汽车级碳化硅功率模块，致力于减小半导体器件尺寸，同时提升逆变器功率密度、可靠性和耐用性，为新能源汽车提供强大动力。（pin丹弗斯DCM1200V800A） DCS12模块特点包括：1. 采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温达175℃；

2. 功率密度高，适用于高温、高频应用，损耗极低；

3. 集成NTC温度传感器，方便系统集成。

ASC800N1200DCS12模块支持高温、高湿、偏置操作，损耗低于7nH，适用于高频操作，MOSFET的零关断尾电流，正常关闭和故障安全设备操作，易于并行，采用铜底板和氮化硅体。该模块适用于纯电动汽车（BEV）、插电式混合动力汽车（PHEV）和混合动力汽车（HEV）的牵引应用。

DCS12模块结合了银烧结工艺、并联水道设计、半桥灵活结构、高耐用封装等技术，实现更高的结温温度和更佳的极限结温循环，满足提高功率密度和新能源汽车市场对更高功率输出和更快充电能力的需求。从系统层面看，DCS12可兼容硅（Si）和碳化硅（SiC）的芯片封装，实现逆变器的更高效率。这种自由度允许客户采用多个半导体方案，在保证效率最大化、成本效益最优化和供应安全化的同时提升模块性能。

碳化硅器件在新能源汽车应用中表现出更高的效率、功率密度和性能，尤其在800V电池系统和大电池容量中，可提高逆变器效率，延长续航里程或降低电池成本。SiC MOSFET在新能源汽车中的应用场景包括主驱逆变器、OBC（车载充电器）、无线充电器、快速充电桩和大功率DC/DC。尤其是800V主电机控制器，应用SiC已成为趋势。

1. 高耐压：碳化硅具有高击穿电场，碳化硅MOSFET具有高耐压能力，适用于高电压应用场景；

2. 大电流密度：碳化硅具有大电子迁移率，碳化硅MOSFET具有大电流密度，能承受更大电流；

3. 高工作频率：碳化硅具有低载流子迁移率，碳化硅MOSFET具有高工作频率，适用于高频率应用场景；

4. 良好的热稳定性：碳化硅具有高热导率，碳化硅MOSFET在高温环境下仍具有较好性能表现。

车规级碳化硅MOSFET系列DCM模块助力新能源汽车

一. 碳化硅功率器件在新能源汽车中的应用及其优势

碳化硅（SiC）器件在新能源汽车领域表现出高效率和高功率密度的性能特点。在800V电池系统和大电池容量应用中，它们能提高逆变器效率，增加续航里程或降低电池成本。SiC功率半导体具有关键的效率特性，能够减少成本，提升电动汽车充电器、太阳能逆变器、电动汽车电机驱动器等多种应用中的系统性能，预计其使用量将快速增长。与基于IGBT的电源模块相比，SiC具有多项优势：

1. 开关速度更快，开关损耗更低，减少系统面积。

2. 适用于高开关频率应用。

3. 高阻断电压。

4. 结温更高。

5. 高电流密度。

6. 降低开关损耗，实现最高效的功率转换率。

7. 高功率密度，结合高开关频率、最小化损耗和最大化效率，实现卓越的输出功率和功率密度。

8. 降低整体系统成本，减少无源滤波器元件数量，降低功率损耗，减少散热器面积，减少冷却需求。

SiC功率模块的典型应用包括大功率电源、电动汽车充电器、太阳能逆变器、电机驱动器、储能、电动汽车等。

二. 车规级碳化硅MOSFET系列DCM模块

车规级碳化硅MOSFET系列DCM模块，专为新能源汽车主驱逆变器应用设计，具有高功率密度，广泛用于新能源乘用车、商用车等的电力驱动系统及燃料电池能源转换系统。DCS12模块的特点包括：

1. 采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃。

2. 功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗。

3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成。

三. 新能源汽车市场应用

目前，商用车规级SiC功率模块多采用基于硅器件的传统模块封装技术，三相全桥HPD模组封装块仍是主流。但随着800V+SiC时代的到来，以半桥结构和塑封工艺为主的封装模式或将成为大趋势。SiC塑封半桥模块更灵活，配合关键技术，可实现更均匀的电流密度分布，热容热阻和杂散电感等方面表现也更好。通过采用双面水冷等技术，还可大幅降低SiC芯片成本。蔚来发布的旗舰车型ET9，搭载1200V SiC功率模块，采取半桥封装工艺，功率模块密度达到1315kW/L，拥有高达30万次的功率循环能力。比亚迪汽车也在更新SiC主驱功率模块技术路线，逐渐从HPD模式向半桥模式转移，并推出相关产品。最近小米汽车SUV正式亮相，主驱电控的SiC功率模块采用SiC半桥模块。据“行家说三代半”调研，国内比亚迪、蔚来和小米，北汽、长安、赛力斯、长城等车企也在主驱中导入SiC半桥模块。

四. 爱仕特碳化硅MOS系列模块

爱仕特推出了新一代车规级SiC模块—DCS12系列，采用半桥式结构，工作额定电压范围为650V-1700V，工作电流范围为400A-1000A，契合大多数新能源汽车的使用场景。DCS12模块具有以下优势：

- 散热架构优越，整体可靠性强。

- 密封性良好，杂散电感低。

- 功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗。

作为SiC器件头部厂商，爱仕特目前已完成A+轮融资，基于自主设计的6英寸SiC芯片，现已量产650V、1200V、1700V、3300V全系列SiC MOSFET及功率模块，并自建车规级SiC功率模块生产基地。

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