安森美逆变器

碳化硅是什么材料?

碳化硅是一种由碳和硅组成的化合物，化学式为SiC。它是一种高性能陶瓷材料，具备耐高温、高硬度、优异的抗腐蚀性能和耐磨损特性。广泛应用于电子和光学器件中。

作为陶瓷材料，碳化硅具有多种优点。它的体积小、功率大、频率高、能耗低、损耗小、耐高压等特性在各种应用中展现出极高的效能。当前，碳化硅主要应用于各类电源及服务器、光伏逆变器、风电逆变器、新能源汽车车载充电机、电机驱动系统、直流充电桩、变频空调、轨道交通、军工等领域。

碳化硅器件在高压、大电流应用领域展现出卓越性能，能有效提升电动汽车与再生能源设备系统效率。安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）等与汽车、能源业者合作项目，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长率高达41.4%。

据TrendForce集邦咨询统计，2022年SiC功率元件主要应用领域为电动汽车和再生能源，分别达到10.9亿美元和2.1亿美元，占整体市场产值的67.4%和13.1%。至2026年，SiC功率元件市场产值有望达到53.3亿美元。电动汽车和再生能源领域预计仍将是主要应用方向，电动汽车产值可达39.8亿美元，年复合增长率（CAGR）约38%；再生能源领域产值达4.1亿美元，CAGR约19%。

电瓶车稳压器真的有用吗？

“电瓶车稳压器真的有用。 稳压器主要是未来稳定电压,使电动车的电量供应在安全的电压范围之内。如果电动车没有稳压器会加速设备的老化、影响使用寿命甚至烧毁配件,使业主面临需要维修的困扰或短期内就要更新设备,浪费资源;严重者甚至发生安全事故,造成不可估量的损失。

安富利代理哪些品牌

安富利代理品牌：Super Semi(超致)、赛普微、奥伦德、RUNIC(润石)、Honeywell(霍尼韦尔)，分销品牌：TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体) 等等，Strong Product Line：DSP、MCU、FPGA、SENSOR、OPA、TPS、LOGIC、MOS、PWM、AD-DC、DC-DC等等。多年来，公司专注于电源行业、LED照明、路灯电源、防水电源、UPS逆变器、PC POWER、电动工具、矿机、消费电子。坚持为客户负责，为员工着想的经营之道，不断进行业务创新，提高销售业绩，为成为分销行业基业长青的卓越企业进行始终如一的努力!产品广泛应用于通讯、仪器、音频视频显示、数据采集、网络、ARM开发等领域，在电力系统产品、程控交换器、通讯设备解码器、税控设备、数控设备和工控设备等领域有着丰富的配套经验。

安森美深力科一款1200V 40A NGTB40N120FL2WG IGBT单管数据手册参数解析

安森美深力科推出了一款高性能的1200V 40A IGBT单管产品，型号为NGTB40N120FL2WG。这款IGBT的特点在于其采用了成本效益极高的Field Stop II沟槽工艺，旨在提供在严苛工作条件下如UPS和太阳能应用中的出色性能。它的设计注重开关效率，具有低导通电压和最小的开关损耗，特别适合对速度有高要求的快速切换场景。

NGTB40N120FL2WG的优势在于其内置的软快速反向恢复二极管，能够快速恢复电流，有助于降低功率损耗。该IGBT的最高工作温度限制为175°C，具有10秒的短路保护能力，确保了设备的可靠性和安全性。值得注意的是，它是一款无铅设计，符合环保标准。

这款IGBT适用于广泛的领域，包括在太阳能逆变器中进行高效能能量转换，为不间断电源（UPS）提供稳定的电力供应，以及在焊接应用中提供强大的电流控制。无论是对高效率还是耐久性有高要求的用户，NGTB40N120FL2WG都是理想的选择。

安森美 | 带你了解主流商用组串式太阳能逆变器的拓扑结构

随着全球变暖及碳排放问题的日益严峻，清洁能源的广泛应用显得尤为重要。太阳能作为清洁能源的一种，其逆变器在不同终端应用中扮演着关键角色。其中，组串式逆变器以其灵活、易于维护的特点，正在成为主流太阳能逆变器类型，广泛应用于住宅、商业及公用事业。

组串式逆变器系统主要由光伏电池板串或阵列、DC-DC升压转换器、DC-Link电容器和逆变器(DC-AC转换器)组成。DC-DC级实现两个主要功能，即提升PV串的输出电压至DC-Link工作电压水平，并实施MPPT(最大功率点跟踪)功能，以确保在不同环境和太阳辐照度下，光伏面板能产生最大功率。逆变器则负责将直流电转换为交流电，满足住宅用电或并网需求。

组串式逆变器的直流母线电压通常为1100V，但在大型住宅、商业及分布式公用事业规模应用中，使用1500V或更高电压可以降低铜线和开关设备的成本，同时在更广的温度和辐照条件下捕获更高能量。DC-DC升压级的拓扑结构主要有三种，其中飞跨电容升压和对称升压作为三电平拓扑，可以降低开关电压，提升效率和功率密度，但需注意额外开关器件带来的成本和驱动问题。

逆变器级决定了总效率和输出质量，三电平拓扑结构在大功率三相逆变器系统中尤为关键。除了降低开关损耗和半导体需求外，三电平系统还能提供更好的正弦电压波形，减少电缆压力和高灵敏度电气设备的风险。相较于两电平系统，三电平系统中的MOSFET或IGBT所承受的电压减少，降低了大功率太阳能逆变器的成本，同时减少了EMI，并提高了输出波形质量。

为了优化太阳能逆变器设计，安森美(onsemi)提供了一系列电子元器件，包括1200V, 20mΩ的SiC MOSFET、单通道I-NPC SiC混合集成功率模块、以及2件装半桥全SiC功率集成模块，这些元器件在不同应用中展现出独特优势。此外，安森美还提供即用型SIMetrix电路仿真，帮助客户在订购任何硬件之前，获得准确数据，确保设计过程的高效性和准确性。

以阿塞米为代表的安森美FGH40N60SMD是不是一款车级IGBT？

这是汽车的IGBT

型号:FGH40N60SMD

二极管正向电流(中频):40a

功耗(ptot): 349瓦

储存温度和工作结温(Tstg，TJ):-55 ~ 175℃

集电极-发射极电压(VCES): 600伏

g？e阈值电压vge (th): 4.5v。

集电极截止电流(ices): 250ua。

g？泄漏电流(IGES): 400纳。

输入电容(CIES): 1880皮法

输出电容(COES): 180 pf

二极管直流电压(VFM): 2.3V

反向恢复时间(TRR): 36纳秒

FGH40N60SMD采用新型场阻IGBT技术。Anson的新系列场截止第二代IGBT为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和pf应用提供了最佳性能。在这些领域，低传导和开关损耗至关重要。

FGH40N60SMD特性:

最大结温:TJ = 175°c。

正温度Co？高效且易于并行操作。

高电流能力

低饱和电压:IC = 40 A时，VCE (SAT) = 1.9 V(典型值)

高输入阻抗

快速开关:eoff = 6.5μ j/a。

加强参数分配

设备是Pb？无卤素/BFR，符合RoHS标准。

FGH40N60SMD的应用；

太阳能逆变器，焊机，UPS，PFC，电信，ESS。

强源信电子原厂渠道代理各系列MOS、IGBT、FRD；

英飞凌/英飞凌:IPW65R150CFDA，IPW65R110CFDA，IPW65R080CFDA，AIGW40N65H5，AIGW50N65H5等。

ON/安森美:FCH041N65F，NVHL040N65S3F，FGH40N60SMD，ISL9R3060G2等。

ST/ STF: STW43NM60ND，STW78N65M5，STTH6010-Y，STTH30ST06-Y，STTH60RQ06-Y，STTH1506DPI，sth 15 rq 06-Y等。

IXYS/ Essex: DS145-16A等。

湖北仙童科技有限公司 高端电力电源全面方案供应商 江生 13997866467