发布时间:2025-03-28 15:40:45 人气:
UPS电池计算公式
要确定UPS电池容量,有两个基本的计算方法:恒电流模式和恒功率模式。以下是详细的计算公式和步骤:
恒电流模式计算:根据能量守恒,C(Ah)= (PL × T) / (Vbat × η × K),其中PL是UPS输出功率(W),T是电池后备时间(h),Vbat是电池组电压(Vdc),η是逆变效率(0.90-0.95),K是电池放电效率系数。例如,艾默生6KVA UPS,满载4.8KW,2小时备份,计算后得到76Ah(估算值),选择12V 85Ah电池16节。
恒功率计算公式:W = PL / (N * 6 * η),其中PL是额定输出功率(KW),N是12V电池数量,η是逆变器效率。以艾默生20KVA UPS为例,满载18KW,2小时备份,计算得出每节电池需98.68 watts/cell。对比MPS系列电池的放电功率表,选取符合要求的电池型号,如12V 76Ah的C&D MPS系列电池,共需64节。
根据以上公式,你可以根据UPS的输出功率、所需运行时间以及电池规格来准确计算所需电池容量。记得在实际选择时,还要考虑电池品牌的推荐配置和电池组的电压标准。
半导体碳化硅(SiC)功率器件技术进展及趋势分析的详解;
半导体碳化硅(SiC)功率器件技术不断进步,涵盖集成度、载流子类型、功能等多个方面。SiC功率半导体分为IC和功率分立器件,根据载流子类型可分为单极型(如MOSFETSBD二极管)和双极型(如PiN二极管、IGBT、BJT、GTO),并根据功能分为二极管和晶体管。目前,SiC分立器件已实现大规模产业化,如碳化硅二极管、SiC MOSFET,而碳化硅IGBT器件实现小批量供应。与硅产品相比,SiC功率器件具有优势,但也存在挑战。
SiC二极管技术进步显著,基于SiC材料的性能优势,SiC二极管具有更高的击穿电压、低损耗、更好的散热性。SiC SBD额定电压可达1200V,远高于硅二极管,同时SiC JBS、MPS、PiN等器件的耐压更高。这些二极管广泛应用于UPS、太阳能逆变器、储能和汽车等领域,能显著提高系统效率,实现系统体积和成本的压缩。
SiC功率二极管分为单极型和双极型,单极型包括SBD二极管、JBS二极管、MPS二极管,双极型为PiN二极管。SiC二极管技术已进入第五代,从SBD到JBS、MPS、沟槽二极管、超级结二极管。SiC SBD可替代硅基PN二极管,与硅基IGBT配合使用,降低系统总开关损耗,但存在击穿电压低、反向漏电大的问题。SiC JBS通过优化结构显著降低漏电流和提高击穿电压,适合阻断电压低于3.3kV的应用。SiC MPS则侧重改善正向特性,通过设计和工艺改进,浪涌电流能力普遍达到额定电流的10倍以上,英飞凌的SiC MPS可达18倍。SiC沟槽型SBD降低肖特基结电场,进一步减小反向漏电流,但会产生严重的JFET效应。超级结SiC二极管通过电导率调制降低导通电阻,有效利用器件面积,降低生产成本。
SiC MOSFET技术也取得显著进展,主要优势在于耐压、导通电阻、开关频率等方面。与硅基MOSFET相比,SiC MOSFET在相同耐压下具有更小的芯片面积、更低的导通电阻、更高的开关性能和更好的热稳定性。SiC MOSFET在新能源汽车、光储充等领域逐步取代硅MOSFET和硅IGBT。SiC MOSFET主要由DMOSFET和UMOSFET组成,通过引入超结技术进一步降低导通电阻。SiC MOSFET有四个发展趋势:更小的元胞尺寸、更低的比导通阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护。降低导通电阻的方法包括缩小元胞尺寸、改进版图布局、提高沟道密度、优化掺杂分布和工艺技术。平面栅SiC MOSFET通过工艺进步和设计优化,比导通电阻值越来越小。而沟槽栅SiC MOSFET通过在沟槽底部创建P+屏蔽区、采用双沟道设计或半包沟槽结构,有效解决了长期使用中的可靠性问题,降低了栅氧电容值。国内企业如安海半导体在沟槽栅SiC MOSFET的研发上取得突破,实现了量产。
除了垂直平面栅SiC MOSFET,还有SiC JFET和内嵌二极管的SiC MOSFET,分别在高频特性、驱动兼容性和功率密度方面具有优势。超结SiC MOSFET通过交替排列N/P柱,优化电场分布,增大击穿电压和减小导通电阻。然而,开发SiC超结器件面临工艺复杂性和成本问题,目前有中国浙江大学和日本AIST两个团队在推动SiC SJ器件的制造,TFE法和沟槽蚀刻-侧壁注入法在商业和工业应用前景较好。
电子产品的具体分类
电子产品分类情况
(1)计算机产品:PC机、主板、光盘驱动器、外设、接插件、计算机显卡、计算机USB设备、打印机主控板等。
(2)通信类产品:GSM手机、无线电寻呼系统、卫星通信、卫星定位应用产品、遥控答录电视机、话路终端机、通信、网络线缆、智能化锂电池、冲电器、手机轴、手机镜片、手机外壳、电机马达、驻极体话筒等。
(3)广播电视及仪器仪表产品:液晶背投大屏幕电视墙、彩色电视机、背投大屏幕电视机、家庭影院、监控保安系统、IC卡电表、蓝牙耳机、视频会议系统、智能数字会议系统、高清晰度会议电视系统、电子测量仪器、信号发生器、示波器、变压器、微机监控系统、消防电子报警器、温控仪等。
(4)电子器件产品:SMD片式三级管、二极管、发光二极管,高亮度、白色、兰色、纯绿发光二极管,PDP等离子平面显示屏、IC卡芯片等新型器件等。
(5)电子元件产品:交流变频电容器、电力电容器、磁头、电位器、新颖传感器、热敏电阻、片状电感、开关、电源变压器、小体积大容量继电器、调谐器、蜂鸣器、会聚磁件等。
(6)电子材料产品:高磁能积的钕铁硼永磁材料,高光电转换效率的太阳能电池、智能化锂电池,手机电池材料等。
(7)集成电路:电子铜带、半导体器件引线框架、芯片、单晶硅、半导体器件等。
参考资料http://hi.baidu.com/177954/blog/item/2a4757274589cc01918f9dd4.html
安富利代理哪些品牌
安富利代理品牌:Super Semi(超致)、赛普微、奥伦德、RUNIC(润石)、Honeywell(霍尼韦尔),分销品牌:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体) 等等,Strong Product Line:DSP、MCU、FPGA、SENSOR、OPA、TPS、LOGIC、MOS、PWM、AD-DC、DC-DC等等。多年来,公司专注于电源行业、LED照明、路灯电源、防水电源、UPS逆变器、PC POWER、电动工具、矿机、消费电子。坚持为客户负责,为员工着想的经营之道,不断进行业务创新,提高销售业绩,为成为分销行业基业长青的卓越企业进行始终如一的努力!产品广泛应用于通讯、仪器、音频视频显示、数据采集、网络、ARM开发等领域,在电力系统产品、程控交换器、通讯设备解码器、税控设备、数控设备和工控设备等领域有着丰富的配套经验。
湖北仙童科技有限公司 高端电力电源全面方案供应商 江生 13997866467