发布时间:2025-03-14 10:10:41 人气:
逆变器有电不起振荡什么故障?
1.逆变器保险丝坏是什么原因造成的
答:过载电流过大(换保险丝)、MOS管烧坏(故障)
2.MOS管为什么会烧
答:大电流进入(MOS管击穿);没有反接功能的机子(接反 烧坏的)
3. 逆变器常见故障的几个情况是什么,是什么原因造成?
(1) 烧保险丝:过载电流过大、MOS管烧坏(故障)
(2) 红灯亮:过载、温度保护,重启可恢复、不可恢复(返厂)
(3) 风扇不转:风扇损坏,风扇控制电路三极管不良
4.修正1000W/12V/B三代逆变器 没有带负载,接上电瓶,10分钟左右风扇开始转动,而且声音很大?
答:温控出现故障,变压器空载发热
5.3000W的工频机带不起1500W的电机。蓄电池是两个200AH /12V?
答:计算电机电流1500W/220V=6.8
正常是可以使用的,是否接线出现问题,机子重新接线启动。
6.机子绿灯亮 没有输出的原因
答:(1)检测电压(2)测试其他小功率的电器(手机)
7.汽车熄火静止情况下,点烟头处可取电吗?
答:打开开关无启动车子(可以),车子全关闭(不可以)
8.逆变器正常工作时,如果LED红灯亮代表什么,绿灯亮代表什么。
答:红灯是故障 绿灯是正常
9.逆变器电源机器上有USB接口,请问USB接口输出电压是多少伏,答:电流时多少安,USB是起到 充电功能还是数据输出;电压:5V 、 电流:1-1.5A、 USB起到充电功能
10. 手机使用逆变器USB接口进行手机充电,充电半天都没有充满电,是什么原因?
答:USB接口的电流只有1-1.5A,现在手机有些都是要2A快充的,(有些是要4A)所以电流缓慢。
如:电机类、电磁炉、压缩机、风扇、小型打印机、继电器、LED灯、冰箱、冰柜、空调等这类产品在启动瞬间功率远远超过额定功率(大约3-7倍)。例如:一台正在运转时耗电150W左右的电冰箱,它的启动功率可高达到500W以上
MOS管的电流跟电压决定着逆变器的什么
逆变器MOS管发热和变压器有直接关系么
MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
1,2 导通,3,4截止,电流经如红色线路, 3,4 导通,1,2截止,电流经如绿色线路,
P(功率)等于U(电压)乘以I(电流) P=UI. 要看你的逆变器输入电压是多少伏的 目前市场上大多是12V或者24V的. 如果是12V 500W满载那大概在41A左右. 如果是24V 500W满载电流在20A左右. 当然,这是在理想状态下 具体还有其他一小部分来自逆变器本身因素...
当然还有许多参数,如工作频率?主电路形式等。
很可能是散热不好温度过高或者是输出过载亦或是输出短路导致的。通常逆变器的输入电压为12V、24V、36V、48V也有其他输入电压的型号,而输出电压一般多为220V,当然也有其他型号的可以输出不同需要的电压。逆变器的关键参数是:输出功率、转换效...
你说的是场效应管,逆变器中用MXP6008CT比较合适,它的参数是60V,109A.
最高耐压和通态饱和电流决定,首先你的直流工作电压是多少? 全桥模式理想状态,MOS管最大将承受全部工作电压,考虑开关瞬态的冲击电压保护电路不可能完全吸收,通常会选择2倍耐压以上器件。 如果是工作于300V直流状态,你必须选择600V耐压的管...
MOS管都烧了,肯定有其他部分也被烧了,即使你换了MOS现在这个逆变器还是个坏的,还要继续测试下其他位置的电压对不对。
在场馆G极前加上8550三极管做推动场馆,因为IC输出的电流不足以完全推动场馆!具体电路你可以上电源网上混混!那论坛是做逆变的大师云集的!
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超大功率低内阻mos管会在哪些方面发挥独特优势
超大功率低内阻 MOS 管在多个领域具有独特优势。
电力电子领域:在开关电源中,低内阻可减少导通损耗,提高电源转换效率,能满足大功率设备对高效稳定供电的需求。在逆变器里,可实现大功率电能转换,将直流电高效转化为交流电,为工业电机驱动、不间断电源等提供可靠支持。
电动汽车领域:用于车辆的电机控制器,低内阻特性使电流传输更高效,降低功率器件发热,提升电机驱动系统效率,增加电动汽车续航里程。在快充系统中,能承受大电流,实现快速充电功能,缩短充电时间。
工业自动化领域:在大功率电机调速系统里,可精准控制电机电流和转速,确保电机稳定运行。在自动化生产线的伺服驱动中,能快速响应控制信号,实现精确的位置控制和运动控制,提高生产精度和效率。
直流逆变手工弧焊机常见故障
直流逆变手工弧焊机常见故障排除
开关电源指示灯不亮,风机不转,无焊接输出,首先确认电源开关闭合,检查输入电缆连接的电源是否带电。
电源指示灯亮,风机不转,无焊接输出,可能是输入电源电压过高或电网不稳定,应调整电源电压或增加输入线径;也可能是电源开关到电源板间的导线松脱,需重新紧固;电源板上的24V继电器未吸合或损坏,检查24V电源和继电器,必要时更换。
风机转,焊接时输出电流不稳或不受电位器控制,电流时大时小,可能是电位器1K质量问题,需更换;连接处接触不良,需检查。
风机转,异常指示灯不亮,无焊接输出,检查机内接插线接触是否良好,输出端连接处有无断路或接触不良,测量电源板到MOS板的电压,硅桥是否断路,电解电容是否漏电,MOS板辅助电源指示灯不亮,或控制电路故障,需联系经销商或厂家。
风机转,异常指示灯亮,无焊接输出,可能是过流保护或过热保护,等待一段时间后可恢复正常;可能是逆变电路故障,拔掉MOS板上的供电插头重新开机,查找并更换损坏的场效应管;也可能是反馈电路故障,需联系经销商或厂家。
ARC系列常见故障排除
表头无显示,风机不旋转,无焊接输出,确认空气开关闭合,检查电源板,控制板上的辅助电源部分故障,需联系经销商或厂家。
表头显示正常,风机旋转正常,无焊接输出,检查机内接插线接触是否良好,输出端连接处有无断路或接触不良,逆变电路故障,拔掉逆变器板上的供电电源线重新开机,查找并更换有故障的部件。
手工弧焊飞溅大,检查输出极性连接是否合理,对调输出把线极性可减少飞溅。
igbt和mos管的区别有哪些 igbt和mos管能互换吗
一、igbt和mos管的区别有哪些
1、什么是igbt
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是一种复合型半导体器件,由晶体三极管和MOS管组成。
2、mos管是什么
MOS管即MOSFET,又称为绝缘栅场效应管,是一种场效应管类型,分为N沟耗尽型、增强型、P沟耗尽型和增强型四大类。
3、igbt和mos管的区别
(1)在结构上,MOSFET和IGBT虽然外观相似,但内部结构不同。IGBT拥有发射极、集电极和栅极端子,而MOSFET则包含源极、漏极和栅极端子。IGBT内部含有PN结,而MOSFET没有。
(2)在导通电压方面,MOSFET在低电流区的导通电压低于IGBT,在大电流区IGBT则具有更好的正向电压特性。
(3)IGBT在高温特性方面表现更佳,其导通电压低于MOSFET。
(4)IGBT适用于中到极高电流的传导和控制,而MOSFET适用于低到中等电流的传导和控制。
(5)IGBT在高频应用中的性能较差,适合在千赫兹频率范围内运行。MOSFET特别适合高频应用,可在兆赫兹频率下运行。
(6)IGBT的开关速度较低,而MOSFET的开关速度非常高。
(7)IGBT可以承受极高的电压和大功率,而MOSFET仅适用于低至中压应用。
(8)IGBT的关断时间较长,而MOSFET的关断时间较小。
(9)IGBT能够处理瞬态电压和电流,但在瞬态电压出现时,MOSFET的运行会受到影响。
(10)MOSFET器件成本较低,价格便宜,而IGBT至今仍属于较高成本器件。IGBT适用于高功率交流应用,MOSFET适用于低功率直流应用。
二、igbt和mos管哪个好
IGBT和MOSFET各有优势和缺点,选择时主要根据实际应用场合来决定:
1、IGBT的主要优势在于能够处理和传导中至超高电压和大电流,拥有出色的栅极绝缘特性,且在电流传导过程中产生极低的正向压降。即使在浪涌电压出现时,IGBT也能正常运行。与MOSFET相比,IGBT的开关速度较慢,关断时间较长,不太适合高频应用,但更适合高压大电流应用。
2、MOSFET的优点在于非常适合高频且开关速度要求高的应用。在开关电源(SMPS)中,MOSFET的寄生参数至关重要,它决定了转换时间、导通电阻、振铃(开关时超调)和背栅击穿等性能,这些都与SMPS的效率密切相关。对于门驱动器或逆变器应用,通常需要选择低输入电容(利于快速切换)以及较高驱动能力的MOSFET。
三、igbt和mos管能互换吗
不能。
IGBT和MOSFET的工作特性不同,一般情况下不能互换。但在考虑具体技术细节的情况下,可以用IGBT替代MOSFET,但需要考虑以下问题:
1、电路的工作频率
IGBT的工作频率较低,通常25KHz是上限。如果电路的工作频率超过IGBT的频率上限(以具体管子数据手册为准),则不能替换。
2、驱动电路的关断方式
MOSFET可以通过零压关断或负压关断。而IGBT只能通过负压关断。如果电路的驱动电路仅支持零压关断,则不能替代。
3、功率管并联
MOSFET具有正温度特性,可以直接并联以扩大电流。而IGBT具有负温度特性,不能直接并联。如果电路中使用了多个并联的MOSFET,则不能用IGBT简单替换。
4、电路是否需要开关器件续流二极管
MOSFET自带寄生二极管,而IGBT则需要额外添加。为了保险起见,应选择带有续流二极管的IGBT。
5、IGBT输入电容
IGBT的输入电容应接近原电路中MOSFET的输入电容。这只是考虑驱动电路的驱动能力,与MOSFET和IGBT的特性无关。
6、过流保护电路
对于过流保护电路,IGBT的要求更高。如果没有电路图,则可以通过短路试验来确定能否替换。
对于常见的简单电路,考虑上述因素后,可以使用符合功率耐压要求的IGBT替代MOSFET。
简单的逆变器电路图分析
这里提供的逆变器电路图分析,主要由MOS场效应管和电源变压器构成,其输出功率依赖于这些元件的功率,省去了复杂的变压器绕制,适合电子爱好者业余制作。接下来,将详细介绍逆变器的工作原理及制作过程。
**电路图**

**工作原理**
首先,详细介绍这个逆变器的工作原理。方波信号发生器(见图3)采用六反相器CD4069构成。电路中的R1是补偿电阻,用于改善由于电源电压变化导致的振荡频率不稳定。电路的振荡是通过电容C1的充放电完成的,其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为fmax=1/2.2×3.3×10^3×2.2×10^-6=62.6Hz,最小频率fmin=1/2.2×4.3×10^3×2.2×10^-6=48.0Hz。由于元件误差,实际值可能略有差异。多余的反相器输入端接地,以避免影响其他电路。
**场效应管驱动电路**
由于方波信号发生器输出的振荡信号电压的最大振幅为0~5V,为充分驱动电源开关电路,使用TR1和TR2将振荡信号电压放大至0~12V(见图4)。这是该装置的核心部分,在介绍该部分工作原理之前,先简单解释MOS场效应管的工作原理。
**MOS场效应管工作原理**
MOS场效应管也称为金属氧化物半导体场效应管,其缩写为MOSFET。它通常有耗尽型和增强型两种。本文使用的是增强型MOS场效应管,其内部结构见图5。它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也称为P沟道型。由图可知,对于N沟道的场效应管,其源极和漏极接在N型半导体上,同样,对于P沟道的场效应管,其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道,一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管,其输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。
**场效应管应用电路工作过程**
对于场效应管(见图7),在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应管处于截止状态(图7a)。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中(见图7b),从而形成电流,使源极和漏极之间导通。我们也可以想象为两个N型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。图8给出了P沟道MOS场效应管的工作过程,其工作原理类似,不再重复。
**逆变器电路部分工作过程**
由以上分析我们可以画出原理图中MOS场效应管电路部分的工作过程(见图10)。工作原理同前所述。这种低电压、大电流、频率为50Hz的交变信号通过变压器的低压绕组时,会在变压器的高压侧感应出高压交流电压,完成直流到交流的转换。需要注意的是,在某些情况下,如振荡部分停止工作时,变压器的低压侧有时会有很大的电流通过,所以该电路的保险丝不能省略或短接。
**制作要点**
电路板见图11。所用元器件可参考图12。逆变器用的变压器采用次级为12V、电流为10A、初级电压为220V的成品电源变压器。P沟道MOS场效应管(2SJ471)最大漏极电流为30A,在场效应管导通时,漏-源极间电阻为25毫欧。此时如果通过10A电流时会有2.5W的功率消耗。N沟道MOS场效应管(2SK2956)最大漏极电流为50A,场效应管导通时,漏-源极间电阻为7毫欧,此时如果通过10A电流时消耗的功率为0.7W。由此我们也可知在同样的工作电流情况下,2SJ471的发热量约为2SK2956的4倍。所以在考虑散热器时应注意这点。图13展示本文介绍的逆变器场效应管在散热器(100mm×100mm×17mm)上的位置分布和接法。尽管场效应管工作于开关状态时发热量不会很大,出于安全考虑这里选用的散热器稍偏大。
**逆变器的性能测试**
测试电路见图14。这里测试用的输入电源采用内阻低、放电电流大(一般大于100A)的12V汽车电瓶,可为电路提供充足的输入功率。测试用负载为普通的电灯泡。测试的方法是通过改变负载大小,并测量此时的输入电流、电压以及输出电压。其测试结果见电压、电流曲线关系图(图15a)。可以看出,输出电压随负荷的增大而下降,灯泡的消耗功率随电压变化而改变。我们也可以通过计算找出输出电压和功率的关系。但实际上由于电灯泡的电阻会随受加在两端电压变化而改变,并且输出电压、电流也不是正弦波,所以这种的计算只能看作是估算。以负载为60W的电灯泡为例:
假设灯泡的电阻不随电压变化而改变。因为R灯=V^2/W=210^2/60=735Ω,所以在电压为208V时,W=V^2/R=208^2/735=58.9W。由此可折算出电压和功率的关系。通过测试,我们发现当输出功率约为100W时,输入电流为10A。此时输出电压为200V。
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