逆变器驱动芯片

IR2104国产替代芯片ID7U603SEC-R1 600V高压半桥栅极驱动

ID7U603SEC-R1是一款国产替代芯片，专门用于IR2104，具备高压、高速性能，适用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动逆变器、全桥驱动逆变器等领域。

其特点如下：浮动工作电压可达600V，具有210mA/360mA的典型拉灌电流值，兼容3.3V/5V输入逻辑电平，抗dV/dt干扰能力为±50 V/nsec，工作电压范围为10V~20V，具备VCC和VBS欠压保护功能，防直通逻辑保护，死区时间典型值520ns，所有通道延时匹配。

ID7U603SEC-R1主要用于驱动2个N型功率MOSFET和IGBT构成的半桥拓扑结构。由于ID7U603SEC-R1只能控制H桥一侧的2个MOS管，因此在采用半桥驱动芯片时，需要两块该芯片来控制一个完整的H桥。

该芯片在高压风机和泵、步进马达等领域有广泛的应用，是IR2104的优秀国产替代选择。

IR2110国产替代芯片ID7S625高压逆变器驱动芯片

IR2110替代ID7S625芯片在高压逆变器驱动领域具有广泛的应用。驱动方式包括非隔离直接驱动、自举驱动、隔离变压器驱动及光耦隔离驱动。

IR2110驱动芯片替代ID7S625，具备以下特征：

1. 工作电压范围为10V至20V。

2. 兼容3.3V、5V及15V的输入逻辑。

3. 输出电流能力高达2.5A。

4. 高侧浮动偏移电压达到600V。

5. 具备自举工作的浮地通道。

6. 所有通道均具有延时匹配功能。

7. 每个通道均配备欠压保护功能(UVLO)。

ID7S625芯片具有独立的高低侧输出通道，其浮地通道能在高压环境下正常工作，适用于驱动N沟道功率MOSFE或IGBT半桥拓扑结构，特别适合硬开关逆变器驱动器及DCDC变换器。

与ID7S625相比，IR2110芯片的驱动方式采用外部自举电容上电，这种设计优势在于体积小、启动速度快，有效减少驱动电源路数目，降低成本，提升系统可靠性。因此，IR2110已成为多数中小功率变换装置中驱动器件的首选。

逆变器常用芯片有哪些

逆变器芯片：EG8010、EG8025、EG8011、

三相逆变器芯片：EG8030

全桥驱动：EG2126

半桥驱动：EG2113、EG2110、EG2131、EG2104、EG2136、EG2133、EG2134、EG2103、EG2106、EG2181、EG2183、EG3112、EG3113、EG2003、EG3013、EG3014

带SD（使能）功能的半桥驱动：EG27324、EG27325、EG3002、EG3001、EG2130

人体感应：EG0001、EG4002

电源芯片：EG3525、EG1165、EG7500、EG6599、EG3846、EG1611

DC-DC降压芯片：EG1163、EG1187、EG1182、EG1186、EG1185、EG1188

逆变器的损耗是多少？

逆变器在工作过程中，其损耗大致占总功率的80%左右。损耗主要分为两部分：驱动损耗和开关损耗。驱动损耗由功率开关管的栅极特性决定，而开关损耗则与功率开关管的控制方式紧密相关。这种损耗与开关频率成正比，频率越高，损耗增长越快。当开关管在导通和关断之间切换时，若电压或电流不为零，就会产生硬开关损耗，这涉及到逆变桥、控制逻辑和滤波电路的运行。

逆变器的设计通常采用脉宽调制（PWM）技术，例如Adapter采用UC3842控制器，而逆变器则使用TL5001芯片。TL5001的工作电压范围宽泛，内置了误差放大器、调节器、PWM发生器等多种功能。然而，使用方波逆变器输出的交流电质量较差，正负峰值几乎同时出现，给负载和逆变器稳定性带来挑战。它负载能力有限，通常只能达到额定负载的40-60%，且不适合带感性负载，否则可能因三次谐波的增加而损害负载的滤波电容。

16703芯片是断点续传的吗

16703芯片不是断点续传的。

16703芯片是NXP公司生产的一种16位精度、3相半桥逆变器，它具有较高的精度、低噪声和较小的体积等优点。它是一种无刷直流电机驱动器，适用于各种交流电机。但是，16703芯片不是断点续传的。

断点续传（Continuous Memory，CMOS）是一种用于存储器存储的电路设计技术。它可以在存储器中的数据发生错误时，自动进行重新存储，从而保证数据的完整性。

16703芯片虽然可以存储和处理大量数据，但它并不具备断点续传的功能。

模拟芯片SG3525：PWM驱动设计

SG3525是一款广泛应用的PWM控制器，由多家制造商生产，如ST Microelectronics、Fairchild Semiconductors、On Semiconductors等。它广泛用于DC-DC转换器、DC-AC逆变器、家用UPS系统、太阳能逆变器、电源、电池充电器等众多应用。在进行详细描述和应用前，我们先来看看其框图和引脚布局。

SG3525的引脚介绍如下：

1. 引脚1（反相输入）和2（非反相输入）是板载误差放大器的输入，实现对PWM关联的“反馈”的占空比的增加或减少。

2. Pin1和Pin2用于负反馈，实现输出的稳定。当INV IN和NINV IN电压相等时，SG3525产生的占空比不再变化。通过调整电路输出到INV IN，NINV IN接到VREF，可实现INV IN跟随VREF。通过调整分压比例实现对输出的稳压控制。

3. Pin5连接电容CT再接地，Pin6连接电阻RT再接地，Pin7和Pin5之间接电阻RD用于电容CT放电，决定死区时间。PWM的频率取决于定时电容和定时电阻。定时电容（CT）连接在引脚5和地之间。定时电阻（RT）连接在引脚6和地之间。引脚5和7（RD）之间的电阻决定了死区时间（也会稍微影响频率）。频率与RT、CT和RD的关系如下：

4. 频率公式：RT和RD以Ω为单位，CT以F为单位，f以Hz为单位。RD的典型值在10Ω至47Ω范围内。可用值的范围（由SG3525制造商指定）为0Ω至500Ω。RT必须在2kΩ至150kΩ范围内。CT必须在1nF（代码102）至0.2μF（代码224）范围内。振荡器频率必须在100Hz至400kHz范围内。

5. PIN8是软起动功能，连接在引脚8和地之间的电容提供软启动功能。电容越大，软启动时间越长。这意味着从0%占空比变为所需占空比或最大占空比所需的时间更长。通过调整分压比例实现对输出的稳压控制。

6. PIN16是电压参考部分的输出，SG3525包含一个额定电压为+5.1V的内部电压参考模块，经过调整可提供±1%的精度。此参考通常用于向误差放大器提供参考电压，以设置反馈参考电压。它可以直接连接到其中一个输入，也可以使用分压器进一步降低电压。

7. PIN15是VCC芯片供电引脚，使SG3525运行。VCC必须在8V至35V范围内。SG3525具有欠压锁定电路，当VCC低于8V时，该电路可阻止运行，从而防止错误操作或故障。

8. PIN13是VC驱动电压，引脚13是SG3525驱动器级的电源电压，连接到输出图腾柱级中的NPN晶体管的集电极。因此得名VC。VC必须在4.5V至35V的范围内。输出驱动电压将比VC低一个晶体管的电压降。因此，在驱动功率MOSFET时，VC应在9V至18V的范围内（因为大多数功率MOSFET需要至少8V才能完全导通，并且最大VGS击穿电压为20V）。对于驱动逻辑电平MOSFET，可以使用较低的VC。必须小心确保不超过MOSFET的最大VGS击穿电压。同样，当SG3525输出馈送到另一个驱动器或IGBT时，必须相应地选择VC，同时牢记馈送或驱动设备所需的电压。当VCC低于20V时，通常将VC连接到VCC。

9. PIN12是接地连接，应连接到电路接地。它必须与其驱动的设备共用接地。

10. PIN11和PIN14是输出，驱动信号将从这些输出中获取。它们是SG3525内部驱动器级的输出，可用于直接驱动MOSFET和IGBT。它们的连续电流额定值为100mA，峰值额定值为500mA。当需要更大的电流或更好的驱动时，应使用使用分立晶体管的进一步驱动器级或专用驱动器级。同样，在驱动导致SG3525功率耗散和发热过多的设备时，应使用驱动器级。当以桥式配置驱动MOSFET时，必须使用高低侧驱动器或栅极驱动变压器，因为SG3525仅设计用于低侧驱动。

11. PIN10是高电平时快速关断，通常接低电平。引脚10为关机。当此引脚为低电平时，PWM启用。当此引脚为高电平时，PWM锁存器立即设置。这为输出提供了最快的关机信号。同时，软启动电容器通过150μA电流源放电。关闭SG3525的另一种方法是将引脚8或引脚9拉低。但是，这不如使用关机引脚那么快。因此，当需要快速关机时，必须向引脚10施加高信号。此引脚不应悬空，因为它可能会拾取噪声并导致问题。因此，此引脚通常通过下拉电阻保持在低电平。

12. PIN9为补偿，与PIN1一起用于补偿反馈信号。引脚9为补偿，可与引脚1配合使用，提供反馈补偿。

在了解了每个引脚的功能后，我们来设计一个实际应用电路。为了设计一个以50kHz运行的电路，驱动MOSFET（采用推挽配置），该MOSFET驱动铁氧体磁芯，然后升压高频交流电，然后整流和滤波，以产生290V稳压输出直流电，可用于运行一个或多个CFL。电路设计包含以下参数和步骤：

1. 电源电压已提供，并已接地。VC已连接到VCC。在电源引脚上添加了一个大容量电容器和一个去耦电容器。去耦电容器（0.1μF）应尽可能靠近SG3525。始终在所有设计中使用它。也不要省略大容量电容器，尽管您可以使用较小的值。

2. 引脚5、6和7提供了死区时间。在引脚6和地之间连接RT，在引脚5和地之间连接CT。RD=22Ω，CT=1nF（代码：102），RT=15kΩ。这给出了振荡器频率：由于振荡器频率为94.6kHz，开关频率为0.5*94.6kHz=47.3kHz，这足够接近我们的目标频率50kHz。如果需要50kHz的精度，可以使用电位器（可变电阻器）与RT串联并调整电位器，或者使用电位器（可变电阻器）作为RT，尽管我更喜欢第一种方法，因为它允许微调频率。

3. 引脚8提供了一个小型软启动电容，避免使用过大的软启动，因为使用CFL时，占空比缓慢增加（因此电压缓慢增加）会导致问题。

4. 引脚10通过上拉电阻上拉至VREF。因此，PWM被禁用并且不运行。但是，当开关打开时，引脚10现在处于接地状态，因此PWM被启用。我们利用了SG3525关机选项（通过引脚10），开关就像一个开/关开关。

5. 引脚2连接至VREF，因此电位为+5.1V（±1%）。转换器的输出通过电阻为56kΩ和1kΩ的分压器连接至引脚1。电压比为57:1。在反馈“平衡”时，引脚1处的电压为5.1V，这也是误差放大器的目标-调整占空比以调整引脚1处的电压，使其等于引脚2处的电压。因此，当引脚1处的电压为5.1V时，输出电压为5.1V*57=290.7V，这足够接近我们的290V目标。如果需要更高的精度，可以将其中一个电阻器替换为电位器或与电位器串联，并调整电位器以提供所需的读数。

6. 引脚1和9之间的电阻和电容的并联组合提供反馈补偿。反馈补偿是一个大话题，这里不详细讨论。

7. 引脚11和14驱动MOSFET。栅极上串联有电阻，用于限制栅极电流。栅极至源极的电阻可确保MOSFET不会意外开启。

总之，参考《EDA设计智汇馆高手速成系列_SABER电路仿真及开关电源设计》，也有SG3525的Saber仿真实例。搬运链接：Using the SG3525 PWM Controller - Explanation and Example: Circuit Diagram / Schematic of Push-Pull Converter

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