双变压器逆变器电路

最简单的12伏逆变器电路

制作最简单的12伏逆变器电路，你可以参考以下两种方法哦：

使用逆变器模块：

选用模块：选择像UPS250、UPS350或UPS450这样的逆变器模块，它们集成了功率管，无需调试，超级方便！

变压器选择：直接购买现成的双10到12V变压器，匹配你的模块需求。

散热：记得给模块安装散热片，让它保持凉爽，高效工作！

DIY分立元件逆变器：

成本低廉：这种方法成本较低，适合喜欢动手制作的电子爱好者。

电路简单：虽然电路相对简单，但调试可能稍复杂些，需要耐心哦。

功率调节：输出功率主要由变压器和输出功率管决定，W1可以用来调节正负半周的平衡，确保输出稳定。

重点来啦！无论你选择哪种方法，都要确保电路安装正确，安全第一哦！

怎样用双12V的变压器制作简单的逆变器，变压器的功率5W，逆变器功率不限。

如何使用5W功率的12V变压器制作简单的逆变器？

首先，逆变器的工作原理是将直流电通过芯片驱动和功率管的控制，转换成50Hz的交流电。对于电力电子知识不熟悉的爱好者来说，制作过程具有一定的挑战性。但是，如果你对此有热情，这是值得鼓励的。下面我将提供一个简单的指导，希望对你有所帮助。

所需材料包括：

- 两个12V/2200μF电容

- 一个80W高频变压器（12V转300V）

- 两个直流MOS管3205

- 四个交流MOS管740

- 两个PWM驱动芯片TL594

- 一个400V/100μF高压电容

- 一个LM324（用于过欠压控制）

- 一些三极管8050和8550，用于驱动电路

- 一块电路板

虽然可以自行制作，但这个过程仍然相当具有挑战性，且成本控制在100元以内。

你需要一块万用表。

可以通过一个继电器实现逆变和市电的切换，但需要一个控制电路。切换时间由继电器的反应时间决定，通常在20ms以内。

对于不间断电源，通常使用可控硅进行控制，这具有快速的反应时间，可以实现相位跟踪，对于要求较高的设备有益。而电池充电控制可以通过电压采样控制电路实现，加上一个继电器。

希望以上信息对您有所帮助！

简单的逆变器电路图分析

这里提供的逆变器电路图分析，主要由MOS场效应管和电源变压器构成，其输出功率依赖于这些元件的功率，省去了复杂的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作。接下来，将详细介绍逆变器的工作原理及制作过程。

**电路图**


**工作原理**

首先，详细介绍这个逆变器的工作原理。方波信号发生器（见图3）采用六反相器CD4069构成。电路中的R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压变化导致的振荡频率不稳定。电路的振荡是通过电容C1的充放电完成的，其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为fmax=1/2.2×3.3×10^3×2.2×10^-6=62.6Hz，最小频率fmin=1/2.2×4.3×10^3×2.2×10^-6=48.0Hz。由于元件误差，实际值可能略有差异。多余的反相器输入端接地，以避免影响其他电路。

**场效应管驱动电路**

由于方波信号发生器输出的振荡信号电压的最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开关电路，使用TR1和TR2将振荡信号电压放大至0~12V（见图4）。这是该装置的核心部分，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释MOS场效应管的工作原理。

**MOS场效应管工作原理**

MOS场效应管也称为金属氧化物半导体场效应管，其缩写为MOSFET。它通常有耗尽型和增强型两种。本文使用的是增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也称为P沟道型。由图可知，对于N沟道的场效应管，其源极和漏极接在N型半导体上，同样，对于P沟道的场效应管，其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道，一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

**场效应管应用电路工作过程**

对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处于截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。我们也可以想象为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。图8给出了P沟道MOS场效应管的工作过程，其工作原理类似，不再重复。

**逆变器电路部分工作过程**

由以上分析我们可以画出原理图中MOS场效应管电路部分的工作过程（见图10）。工作原理同前所述。这种低电压、大电流、频率为50Hz的交变信号通过变压器的低压绕组时，会在变压器的高压侧感应出高压交流电压，完成直流到交流的转换。需要注意的是，在某些情况下，如振荡部分停止工作时，变压器的低压侧有时会有很大的电流通过，所以该电路的保险丝不能省略或短接。

**制作要点**

电路板见图11。所用元器件可参考图12。逆变器用的变压器采用次级为12V、电流为10A、初级电压为220V的成品电源变压器。P沟道MOS场效应管（2SJ471）最大漏极电流为30A，在场效应管导通时，漏-源极间电阻为25毫欧。此时如果通过10A电流时会有2.5W的功率消耗。N沟道MOS场效应管（2SK2956）最大漏极电流为50A，场效应管导通时，漏-源极间电阻为7毫欧，此时如果通过10A电流时消耗的功率为0.7W。由此我们也可知在同样的工作电流情况下，2SJ471的发热量约为2SK2956的4倍。所以在考虑散热器时应注意这点。图13展示本文介绍的逆变器场效应管在散热器（100mm×100mm×17mm）上的位置分布和接法。尽管场效应管工作于开关状态时发热量不会很大，出于安全考虑这里选用的散热器稍偏大。

**逆变器的性能测试**

测试电路见图14。这里测试用的输入电源采用内阻低、放电电流大（一般大于100A）的12V汽车电瓶，可为电路提供充足的输入功率。测试用负载为普通的电灯泡。测试的方法是通过改变负载大小，并测量此时的输入电流、电压以及输出电压。其测试结果见电压、电流曲线关系图（图15a）。可以看出，输出电压随负荷的增大而下降，灯泡的消耗功率随电压变化而改变。我们也可以通过计算找出输出电压和功率的关系。但实际上由于电灯泡的电阻会随受加在两端电压变化而改变，并且输出电压、电流也不是正弦波，所以这种的计算只能看作是估算。以负载为60W的电灯泡为例：

假设灯泡的电阻不随电压变化而改变。因为R灯=V^2/W=210^2/60=735Ω，所以在电压为208V时，W=V^2/R=208^2/735=58.9W。由此可折算出电压和功率的关系。通过测试，我们发现当输出功率约为100W时，输入电流为10A。此时输出电压为200V。

最简单的逆变器电路

 最简单的逆变器电路:

下图是一个简单逆变器的电路图.其特点是共集电极电路,可将三极管的集电极直接安装在机壳上,便于散热.不易损坏三极管.,我的简单逆变器用了十多年了,没出现过一次烧管的事.现给大家介绍一下制作方法.

变压器的制作:

可根据自己的需要选用一个机床用的控制变压器.我用的是100W的控制变压器.将变压器铁芯拆开,再将次级线圈拆下来.并记录下每伏圈数.然后重新绕次级线圈.用1.35mm的漆包线,先绕一个22V的线圈,在中间抽头,这就是主线圈.再用0.47的漆包线线绕两个4V的线圈为反馈线圈,线圈的层间用较厚的牛皮纸绝缘.线圈绕好后插上铁芯.将两个4V次级分别和主线圈连在一起,注意头尾的别接反了.可通电测电压.如果4V线圈和主线圈连接后电压增加说明连接正确,反之就是错的.

可换一下接头.这样变压器就做好了. 电阻的选择.两个与4V线圈串联的电阻可用电阻丝制作.可根据输出功率大小选择电阻的大小,一般的几个欧姆.输出功率大时,电阻越小,偏流电阻用1W的300欧姆的电阻.不接这个电阻也能工作.但由

于管子的参数不一致有时不起振,最好接一个. 三极管的选择:每边用三只3DD15并联.共用六只管子.电路连接好后检查无错误,就可以通电调整了. 接上蓄电池,找一个100W的白炽灯做负载.打开开关,灯泡应该能正常发光.如果不能正常发光,可减小基极的电阻.直到能正常发光为止.再接上彩电看能否正常启动.不能正常启动也是减小基极的电阻.

调整完毕后就可以正常使用了. 我的逆变器和充电器做在了一个机壳内,输出并联在了家里的交流电源上.并安装上了继电器,停电时可自动切换为逆变器供电,并切断外电路,来电时自动接上交流电切断逆变器供电并转入充电状态.如果没有停电来电状态指示灯的话，停电来电时无感觉.

典型的双向全桥dc-dc变换电路2种控制方式有何区别?

在探讨典型的双向全桥直流-直流变换电路的两种控制方式时，关键在于理解每种方法的原理和特性。控制方法的差异对电路的性能有着直接影响。

第一种控制方式采用两套控制系统，整流器执行电压源型变换（VSR），逆变器则执行电压源型逆变（VSI）。这使得控制逻辑更为复杂，但优势在于能够通过在DQ变换后为Q轴设定0的参考值来精确控制功率因数。这种控制方式下，占空比会发生变化，但其调压范围受限，因为变压器只能实现升压和隔离功能，而交流侧电压的幅度不能超过直流侧电压。因此，交流侧电压需要通过LC滤波接近正弦波形。

第二种控制方式则采用传统双相移控制的双主动/半桥结构，其设计相对简化，仅需采样输出电压，占空比固定为50%。通过DSP对副边进行脉宽调制（EPWM）时设置相移延迟，便能实现电流波形的生成。然而，电流波形并非正弦波。

在变压器的设计与应用中，不仅要考虑升降压和隔离功能，还需考虑利用漏感进行储能。理论上，当原副边的折算变比接近1时，电路能实现零电压开关（ZVS）和零电流开关（ZCS）。然而，实际操作中，由于死区效应的存在，输出电压并不能精确为零。为了改善性能，可以通过调整设计参数、引入电容形成LLC拓扑结构，或采用更先进的控制策略如双相移控制。

此外，值得注意的是，传统的双主动/半桥控制方式还存在交流电流零漂和死区极性反转的问题。深入研究这些现象，有助于优化电路设计，提高变换效率和稳定性。

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