双e类逆变器

双e类逆变器

逆变器是UPS的主要组成部分。由于整流器已将交流输入电压变成直流电压，而负载所需的是交流电压，就必须有一种电路再将该直流电压变回交流，执行这个任务的装置就叫逆变器。逆变器电路的种类很多，在UPS中常见的有推挽变换器、半桥逆变器、全桥逆变器、双向变换器等。

1. 直流变换器

直流变换器是一种最简单最基本的逆变器电路，主要应用于后备式UPS中，它分为自激式和它激式两种。

1. 自激式推挽变换器

自激式推挽变换器图1 自激式直流推挽变换器 图1(a)所示是自激式直流推挽变换器电路，所谓自激就是不用外来的触发信号，UPS就可以利用自激振荡的方式输出交流电压，其交流电压的波形为方波，如图1(b)所示的波形UN。UN是当电源电压E为额定值时的输出情况（其中丛御阴影部分除外）。自激直流变换器电路主要用于对电压稳定度要求不高但不能断电的地方，如电冰箱、紧要照明用的白炽灯、高压钠灯和金属卤素灯等，供电条件差的农村居民也有不少采用了这种电路作不间断电源。由于它的电路简单、价格便宜、可靠性高，故也很受欢迎。

该电路的工作原理如下：在时间t=t0加直流电压E，这时由于晶体管V1和V2的基极电压 Ub1=Ub2=0，二者不具备开启条件，但在它们的集电极和发射极之间却都有漏电流，如图中的I1和I2所示，且二电流在变压器绕组中的流动方向相反，由于器件的分散性，使得 I1-I2=ΔI≠0，这个差值电流ΔI就在绕组中产生一个磁通量，于是就在基极绕组中感应出电压Ub1和Ub2，由同名端的标志可以看出，这两个电压的极性是相反的，即一个Ub给晶体管基极加正电压，使其开通，另一个Ub给另一个晶体管基极加负压，使其进一步截止。电路的设计正好是漏电流大的那一个晶体管基极所感应出的Ub给自己基极加正压，而漏电流小的那一个晶体管基极所加的是负压，基极加正压管子的集电极电流进一步增加，又进一步使它的基极电压增大，这样一个雪崩式的过程很快使该管（设为V1）电流达到饱和值，即V1集电极-发射极之间的压降UCE1=0，绕组N1和N2上的电压也达到了最大值UN1=UN2=E，此后由于磁芯进入饱和阶段，磁芯中磁通的变化量减小，各绕组感应的电压也相应减小，原来导通的管子由于集电极电流增大（磁芯饱和所致）和基极电流减小而脱离饱和区，使绕组感应的电压进一步减小，这样一个反变化过程使得V1雪崩式地截止而V2达到饱和，如图1(b)t1所示。而后就再重复上面的过程，于是就形成了如图1(b)所示的方波波形。有时为了使启动更快和更可靠，就加一个RC启动触发环节。

该电路方案的不足之处就在于它的不稳压。它的输出电压随着电源电压E的高低起伏，如图1(b)UH阴影部分所示的情形，如果电源电压E一直这样高，其输出电压也就一直高。若电源电压E降到UL这样低的水平，如图1(b)UL阴影部伍郑枣分所示，则输出电压也跟着低下去。因此，这种电路方案在以后的后备式UPS中就不被采用了。

2. 它激式推挽变换器

由于自激式推挽变换器不能满足输出电压稳定的要求，它激式推挽变换器就得到了广泛地应用。所谓“它激”就是电路的振荡工作是由外加控制信号的激发而实现的。图2(a)所示的就是它激式推挽直流变换器电路原理图。由图中可以看出，前面自激式推挽变换器的基极反馈绕组被取消了，代替它的功能的环节是电源控制组件IC，在早期用的是TDA1060，后来多采用LM3842或LM3845等。采用电源控制组件IC发出方波控制脉冲使UPS工作，在变压器输出端有一个与输出电压成正比的反馈信号回送给IC，使其根据输入端电压的变化和输出负载的变化来调整控制脉冲的宽度，以保证输出电压稳定在设计范围内。

下面就介绍一下该电路的工作原理。

当接通电源控制脉冲时，电源控制组件IC开始工作并发出方波控制脉冲，使推挽变换器的两个功率管按照脉冲的同样宽度输出方波电压，设在E为额定值时，UPS的输出电压也为额定值，如图2(b)输出波形图中粗线所示的波形UN，设此时的输出脉冲宽度为δ2，如果由于某种原因使电源电压升至UH，这时的测量与控制电路就会自动将控制信号的脉冲宽度由δ2减小至δ1，如图2(b)UH阴影所示，以保证输出脉冲电压的面积不变，即

(3)

时，输出电压不变。同样，当由于某种原因使电源电压降低到UL时，这时的测量与控制电路就会自动将控制信号的脉冲宽度由δ2增大到δ3，如图1(b)UL阴影所示，以保证输出脉冲电压的面积不变，即

（4）

由此就得出了维持输出电压稳定的条件为：

（5）

当输出端负载变化时，由于输出线路和UPS内阻的共同作用也必然导致输出电压的变动，这种瞬间地变动通电压过反馈电路送入电源控制组件IC的相应输入端，经比较和转换后，去改变控制脉冲的宽度，以保证输出电压的稳定。

由这种它激式推挽变换器输出的具有稳压功能的脉冲电压波形称为准方波，以区别于不具稳压功能的自激式直流变换器输出的波形。有的将准方波叫成阶梯波，这是一种误会，所谓阶梯，如图3所示（该图是将上图一种电源电压UN或UH或UL的情况单画出来的波形）。而实际上并非如此，因为输出电压分正半波和负半波，并且每个半波仅有一个台阶，不在阶梯定义范畴之内。是否可以当阶梯来看呢？不可以。因为若把该半波当成阶梯波来看，就必须将基线移到最上端或最下端，不论移到哪一端，电压都变成了单极性的值：正半波或负半波。这和正负半波交替的事实完全不符，因此阶梯波之说是一种误会。

2. 桥式逆变器

桥式逆变器名称的来源是它的电路结构形式很像“惠斯登”电桥。由于对输出电压要求稳定的原因，故桥式逆变器的触发方式几乎都是它激。在线式UPS多采用桥式逆变器，因为它有着比推挽变换器更大的优点。比如推挽变换器功率管上的电压为电源电压的2倍，更加上状态转换时的上冲尖峰，要求该器件的耐压就更高，这样以来不但增加了器件的成本，而且也由于功率管工作电压的提高，降低了它的输出能力，因此用在后备式UPS上居多。桥式逆变器就克服了这些缺点，并且根据要求的不同，电路又分成半桥逆变器和全桥逆变器，下面将分别进行讨论。

1. 半桥逆变器

所谓半桥逆变器实际上电路的结构形式也是桥式的，所差的是两个桥臂上的器件不同。图4所示的是半桥逆变器结构及电原理图，图4(a)是它的电原理图，图4(b)是它的输出波形图。由图中可见，电桥的左边由电容器构成，右边由功率管构成，输出端就设在两电容器连接点和两功率管连接点之间。下面就讨论一下它的简单工作原理。

(a)电原理图

(b)输出波形图4 半桥逆变器结构及电原理图

假设电路已处于工作的准备状态，即电容C1和C2已充满电。在时间t=0功率管V1被打开，电流I1由电容器C1的正极出发，如空心箭头所示，流经功率管V1、变压器Tr初级绕组N1的BA、回到C1的负极，一直到t=t1，形成正半波，如图4(b)所示。在t=t1时，V1由于正触发信号的消失而截止，此时正触发信号加到了V2的控制极，使其开通，电流I2由电容器C2的正极出发流经变压器Tr初级绕组N1的AB，如图中的实心箭头所示，可以看出这时的电流方向是相反的，电流I2通过变压器后流经功率管

变频器的工作原理及其应用

变频器是一种静止的频率变换器，可将电网电源的50Hz频率交流电变成频率可调的交流电，作为电动机的电源装置，目前在国内外使用广泛。使用变频器可以节能、提高产品质量和劳动生产率等。

1．变频器组成原理

（1）变频器的基本结构

调速用变频器构成：主电路、控制电路、保护电路

变频器主电路工作原理

变压变频装置结构框图

按照不同的控制方式，交－直－交变频器可分成以下三种方式：

采用可控整流器调压、逆变器调频的控制方式，其结构框图。

可控整流器调压、逆变器调频的控制方式的特点：

在这种装置中，调压和调频在两个环节上分别进行，在控制电路上协调配合，结构简单，控制方便。但是，由于输入环节采用晶闸管可控整流器，当电压调得较低时，电网端功率因数较低。而输出环节多用由晶闸管组成多拍逆变器，每周换相六次，输出的谐波较大，因此这类控制方式现在用的较少。

采用不控整流器整流、斩波器调压、再用逆变器调频的控制方式，其结构框图。

不控整流器整流、斩波器调压、再用逆变器调频的控制方式的特点：

整流环节采用二极管不控整流器，只整流不调压，再单独设置斩波器，用脉宽调压，这种方法克服功率因数较低的缺点；但输出逆变环节未变，仍有谐波较大的缺点

采用不控制整流器整流、脉宽调制（PWM）逆变器同时调压调频的控制方式，其结构框图。

不控制整流器整流、脉宽调制（PWM）逆变器同时调压调频的控制方式的特点：

在这类装置中，用不控整流，则输入功率因数不变；用（PWM）逆变，则输出谐波可以减小。PWM逆变器需要全控型电力半导体器件，其输出谐波减少的程度取决于PWM的开关频率，而开关频率则受器件开关时间的限制。采用绝缘双极型晶体管IGBT时，开关频率可达10kHz以上，输出波形已经非常逼近正弦波，因而又称为SPWM逆变器，成为当前最有发展前途的一种装置形式。

电压型变频器结构框图：

电压型变频器：

在交－直－交变频器中，当中间直流环节采用大电容滤波时，直流电压波形比较平直，在理想情况下是一个内阻抗为零的恒压源，输出交流电压是矩形波或阶梯波，这类变频器叫做电压型变频器

电流型变频器结构框图：

电流型变频器：

当交－直－交变频器的中间直流环节采用大电感滤波时，直流电流波形比较平直，因而电源内阻抗很大，对负载来说基本上是一个电流源，输出交流电流是矩形波或阶梯波，这类变频器叫做电流型变频器。

几种典型的交－直－交变频器的主电路。

①交－直－交电压型变频电路

常用的交—直—交电压型PWM变频电路。

交—直—交电压型PWM变频电路采用二极管构成整流器，完成交流到直流的变换，其输出直流电压Ud是不可控的；中间直流环节用大电容C滤波；电力晶体管V1～V6构成PWM逆变器，完成直流到交流的变换，并能实现输出频率和电压的同时调节，VD1～VD6是电压型逆变器所需的反馈二极管。

②交－直－交电流型变频电路

常用的交－直－交电流型变频电路。

交－直－交电流型变频电路：整流器采用晶闸管构成的可控整流电路，完成交流到直流的变换，输出可控的直流电压U，实现调压功能；中间直流环节用大电感L滤波；逆变器采用晶闸管构成的串联二极管式电流型逆变电路，完成直流到交流的变换，并实现输出频率的调节。

③交－直－交电压型变频器与电流型变频器的性能比较

绝缘门极晶体管（IGBT）

1．IGBT的结构和基本工作原理

绝缘门极晶体管IGBT也称绝缘栅极双极型晶体管，是一种新发展起来的复合型电力电子器件。

由于它结合了MOSFET和GTR的特点，既具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有输入通态电压低，耐压高和承受电流大的优点，这些都使IGBT比GTR有更大的吸引力。

在变频器驱动电机，中频和开关电源以及要求快速、低损耗的领域，IGBT有着主导地位。

（1） IGBT的基本结构与工作原理

1）基本结构

IGBT也是三端器件，三个极为漏极（D）、栅极（G）和源极（S）。

（a) 内部结构 （b）简化等效电路（c）电气图形符号

2）工作原理

IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，它是一种压控型器件。

开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的，当UGE为正且大于开启电压UGE（th）时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流使其导通。

当栅极与发射极之间加反向电压或不加电压时，MOSFET内的沟道消失，晶体管无基极电流，IGBT关断。

（2） IGBT的基本特性与主要参数

IGBT的转移特性和输出特性

（a) 转移特性 （b) 输出特性

1）IGBT的基本特性

① 静态特性

IGBT的转移特性，它描述的是集电极电流IC与栅射电压UGE之间的关系，与功率MOSFET的转移特性相似。

开启电压UGE（th）是IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压。

UGE（th）随温度升高而略有下降，温度升高1oC，其值下降5mV左右。在+25oC时，UGE（th）的值一般为2~6V。

IGBT的输出特性，也称伏安特性，它描述的是以栅射电压为参考变量时，集电极电流IC与集射极间电压UCE之间的关系。

IGBT的开关过程

2）主要参数

①集电极—发射极额定电压UCES

②栅极—发射极额定电压UGES

③额定集电极电流IC

（3）IGBT的擎住效应和安全工作区

从IGBT的结构可以发现，IGBT电流可能发生失控的现象，就像普通晶闸管被触发以后，即使撤消触发信号晶闸管仍然因进入正反馈过程而维持导通的机理一样，因此被称为擎住效应或自锁效应。

引发擎住效应的原因，可能是集电极电流过大（静态擎住效应），也可能是最大允许电压上升率duCE/dt过大（动态擎住效应），温度升高也会加重发生擎住效应的危险。

动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小，因此所允许的最大集电极电流实际上是根据动态擎住效应而确定的。

根据最大集电极电流、最大集电极间电压和最大集电极功耗可以确定IGBT在导通工作状态的参数极限范围；根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率可以确定IGBT在阻断工作状态下的参数极限范围，即反向偏置安全工作电压（RBSOA）

IGBT的驱动电路

（1)对驱动电路的要求

①IGBT是电压驱动的，具有一个2.5~5.0V的阀值电压，有一个容性输入阻抗，因此IGBT对栅极电荷非常敏感，故驱动电路必须很可靠，保证有一条低阻抗值的放电回路，即驱动电路与IGBT的连线要尽量短。

②用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压UCE有足够陡的前后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。另外，IGBT开通后，栅极驱动源应能提供足够的功率，使IGBT不退出饱和而损坏。

③驱动电路中的正偏压应为+12~+15V，负偏压应为-2~-10V。

④IGBT多用于高压场合，故驱动电路应整个控制电路在电位上严格隔离。

⑤驱动电路应尽可能简单实用，具有对IGBT的自保护功能，并有较强的抗干扰能力。

⑥若为大电感负载，IGBT的关断时间不宜过短，以限制di/dt所形成的尖峰电压，保证IGBT的安全。

（2)驱动电路

因为IGBT的输入特性几乎与MOSFET相同，所以用于MOSFET的驱动电路同样可以用于IGBT。

在用于驱动电动机的逆变器电路中，为使IGBT能够稳定工作，要求IGBT的驱动电路采用正负偏压双电源的工作方式。

为了使驱动电路与信号电隔离，应采用抗噪声能力强，信号传输时间端的光耦合器件。

基极和发射极的引线应尽量短，基极驱动电路的输入线应为绞合线

为抑制输入信号的振荡现象，基极和发射极并联一阻尼网络。

驱动电路的输出级采用互补电路的形式以降低驱动源的内阻，同时加速IGBT的关断过程。

IGBT基极驱动电路

a) 阻尼滤波 （b) 光电隔离

（3)集成化驱动电路

IGBT有与其配套的集成驱动电路。

这些专用驱动电路抗干扰能力强，集成化程度高，速度快，保护功能完善，可实现IGBT的最优驱动。

IGBT的保护电路

因为IGBT是的保护主要是栅源过电压保护、静电保护、采用R-C-VD缓冲电路等等。

在IGBT电控系统中设置过压、欠压、过流和过热保护单元，以保证安全可靠工作。

必须保证IGBT不发生擎住效应；具体做法是，实际中IGBT使用的最大电流不超过其额定电流。

1）缓冲电路

几种用于IGBT桥臂的典型缓冲电路。

（a) （ b) （c)

a)图是最简单的单电容电路，适用于50A以下的小容量IGBT模块，由于电路无阻尼组件，易产生LC振荡，故应选择无感电容或串入阻尼电阻RS；

b)图是将RCD缓冲电路用于双桥臂的IGBT模块上，适用于200A以下的中等容量IGBT；

c)图中，将两个RCD缓冲电路分别用在两个桥臂上，该电路将电容上过冲的能量部分送回电源，因此损耗较小，广泛应用于200A以上的大容量IGBT。

（2）IGBT的保护

过电流保护措施主要是检测出过电流信号后迅速切断栅极控制信号来关断IGBT。

实际使用中，要求在检测到过电流后，通过控制电路产生负的栅极驱动信号来关断IGBT。只要IGBT的额定参数选择合理，10内的过电流一般不会使之损坏。

采用集电极电压识别方法的过流保护电路。

集电极电压识别方法的过流保护电路

为了避免IGBT过电流的时间超过允许的短路过电流时间，保护电路应当采用快速光耦合器等快速传送组件及电路。

检测发射极电流过流的保护电路。

IGBT是什么

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

定义

IGBT结构图左边所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

[编辑本段]工作特性

静态特性

IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示 Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh 式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。 通态电流Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos 式中Imos ——流过MOSFET 的电流。 由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。

动态特性

IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。 IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。 IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间 t(off)=td(off)+trv十t(f) 式中，td(off)与trv之和又称为存储时间。 IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。 正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。

[编辑本段]发展历史

1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构（P-N-P-N四层组成），其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。 80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS（双扩散形成的金属-氧化物-半导体）工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT（非穿通）型设计。后来，通过采用PT（穿通）型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进，这是随着硅片上外延的技术进步，以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的[3]。几年当中，这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其设计规则从5微米先进到3微米。 90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成（LSI）工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通（PT）型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。 硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是采用非穿通（NPT）结构，继而变化成弱穿通（LPT）结构，这就使安全工作区（SOA）得到同表面栅结构演变类似的改善。 这次从穿通（PT）型技术先进到非穿通（NPT）型技术，是最基本的，也是很重大的概念变化。这就是：穿通（PT）技术会有比较高的载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面，非穿通（NPT）技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率，不过其载流子注入系数却比较低。进而言之，非穿通（NPT）技术又被软穿通（LPT）技术所代替，它类似于某些人所谓的“软穿通”（SPT）或“电场截止”（FS）型技术，这使得“成本—性能”的综合效果得到进一步改善。 1996年，CSTBT（载流子储存的沟槽栅双极晶体管）使第5代IGBT模块得以实现[6]，它采用了弱穿通（LPT）芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。目前，包括一种“反向阻断型”（逆阻型）功能或一种“反向导通型”（逆导型）功能的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。 IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。 现在,大电流高电压的IGBT已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,现在已制造出集成化的IGBT专用驱动电路.其性能更好,整机的可靠性更高及体积更小。

[编辑本段]输出特性与转移特性

IGBT与MOSFET的对比MOSEFT全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

[编辑本段]模块简介

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

[编辑本段]等效电路

IGBT模块的选择

IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。

使用中的注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点： 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。 在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。

保管时的注意事项

一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75％左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合； 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方； 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物； 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。 IGBT模块由于具有多种优良的特性，使它得到了快速的发展和普及，已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能，了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。

武汉5000w车载逆变器价格

逆变器根据发电源的不同，分为煤电逆变器，太阳能逆变器，风能逆变器，核能逆变器。根据用途不同，分为控制逆变器，并网逆变器。世界上太阳能逆变器，欧美效率较高，欧洲标准是97.2%，但价格较为昂贵，国内其他的逆变器效率都在90%以下，但价格比进口要便宜很多。除了功率，波形以外，武汉5000w车载逆变器价格，武汉5000w车载逆变器价格，武汉5000w车载逆变器价格，选择逆变器的效率也非常重要，效率越高则在逆变器身上浪费的电能就少，用于电器的电能就更多，特别是当你使用小功率系统时这一点的重要性更明显。逆变器把直流电逆变成交流电的电路称为逆变电路。武汉5000w车载逆变器价格

不具备自关断能力， 元器件在导通后即失去控制作用， 故称之为“半 控型”普通晶闸管即属于这一类；后者，则具有自关断能力，即无器件的导通和关断均可由 控制极加以控制，故称之为“全控型”，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管（IGBT） 等均属于这一类。 1．按直流电源分，可分为电压源型逆变器（VSI）和电流源型逆变器（CSI）。 前者，直流电压近于恒定，输出电压为交变方波；后者，直流电流近于恒定，输也电流为交 变方波。 2．按逆变器输出电压或电流的波形分，可分为正弦波输出逆变器和非正弦波输出逆 变器。 3．按逆变器控制方式分，可分为调频式（PFM）逆变器和调脉宽式（PWM）逆 变器。 4．按逆变器开关电路工作方式分，可分为谐振式逆变器，定频硬开关式逆变器和定 频软开关式逆变器。集中式逆变器价格逆变器应定期检查逆变器各部分的接线是否牢固。

测试方法：a.连接线路；b.把控制面板上的AC_I的端子拔掉，在AC_I端子的2、4脚加入对应等效电流的交流电压信号。如图4。电流等效电压的关系：5A=1V。交流过电流整定值24A对应的等效交流电压为4.8Vrms.c.电网频率为50Hz，加入对应频率的交流电压信号，从整定值的90%缓慢（0.1V步长）增加到过流保护点，记录此时电压V1，换算成电流值；d.交流电压信号跳变：从0V开始跳变到V1+0.2,从0V开始跳变到过流保护整定值110%,从0V开始跳变到过流保护整定值的150%,分别测量保护动作的时间；e.电网的频率设为60Hz，重复c～d步骤；

逆变器维护检修要点：1、逆变器投运前，要仔细阅读说明书，按照说明书上的要求严格执行设备的连接和安装工作。2、仔细检查逆变器各个部件以及端子在运输的过程中是否有松动脱落问题。3、仔细检查逆变器各线径是否符合要求；绝缘性能是否良好；系统接地是否符合规定。注意：在使用时，要严格按照逆变器的使用维护说明来操作，逆变器上的警示标识应该完好无损。逆变器投运过程维护逆变器投运过程中，定期检查逆变器各连线是否牢固，检查防尘网、风扇、功率模块、各端子等部件功能是否正常。2、逆变器机柜内有高压，平时应注意检查柜门是否锁死。3、在室温超过30?C时，应采取有效的散热降温措施，防止逆变器过热烧坏。4、逆变器结构和电气连接应保持完整，不得存在锈蚀、积灰等现象，逆变器在运行过程中不应有较大振动和异常噪声。5、定期将逆变器交流输出侧断路器断开一次。6、逆变器中直流母线电容温度过高或超过使用年限时，应及时发现并更换。注意：非专业人员不得擅自拆装检修逆变器。逆变器一般均有短路、过电流、过电压、过热等项目逆变器即逆变时不可将充电插头插入逆变输出的电气回路中。

应用编辑逆变电源普遍运用于各类：电力、通讯、工业设备、卫星通信设备、军 用车载、医疗救护车、警车、船舶、太阳能及风能发电领域。“屏蔽”为了抑 制开关电源产生的辐射，消除电磁干扰对医疗设备内其他电子设备的影响，较好的办法就是对电源的磁场进行屏蔽，然后将整个屏蔽罩与医疗设备的机壳或地连为一体，这是个事半功倍的办法。认证现阶段一般医疗设备类电源都需要经过FCC-B、CISPR22-B、EN55011550226120461000等电磁兼容性及抗电磁干扰能力测试。选择完成这些测试的产品不仅能确保不对设备内其它电子元器件产生电磁影响，而且能减少医疗设备研发周期及推向市场前的受检时间。逆变器转换效率高、启动快。青岛高频逆变器厂家推荐

逆变器请用干布或防静电布擦拭以保持机器整洁。武汉5000w车载逆变器价格

如何安装光伏逆变器需要确认以下几点：1、当得到当地电力部门许可后并由专业技术人员完成所有电气连接后才可将逆变器并网。2、在进行任何维修工作前，应首先断开逆变器与电网的电气连接，然后断开直流侧电气连接。3、等待至少5分钟直到内部元件放电完毕方可进行维修工作。4、任何影响逆变器安全性能的故障必须立即排除方可再次开启逆变器。5、避免不必要的电路板接触。6、遵守静电防护规范，佩戴防静电手环。7、注意并遵守产品上的警告标识。8、操作前初步目视检查设备有无损坏或其它危险状态。9、注意逆变器热表面。例如功率半导体的散热器等，在逆变器断电后一段时间内，仍保持较高温度。武汉5000w车载逆变器价格

深圳市保益新能电气有限公司位于大浪街道浪口社区华荣路496号德泰工业区1号厂房4层402，交通便利，环境优美，是一家生产型企业。公司是一家有限责任公司企业，以诚信务实的创业精神、专业的管理团队、踏实的职工队伍，努力为广大用户提供的产品。公司业务涵盖UPS/EPS电源，双向逆变器，安防电源，激光储能电源，价格合理，品质有保证，深受广大客户的欢迎。保益新能自成立以来，一直坚持走正规化、专业化路线，得到了广大客户及社会各界的普遍认可与大力支持。

车载

车载逆变器

试驾超混电驱奇骏，驾乘感受变化大，传奇SUV回归

作为一名地道北方人，每提起江西，总会想到云雾之中的山谷与竹林，白墙与青瓦，久聚不散的梅雨，辛辣发汗的菜肴，无论何种，都是阡陌交通与鸡犬相闻间的写意江南。可当三个司机首次以试驾之由初见这片鱼米宝地，却也是城市的高楼林立、田间的正午艳阳，未在空气中嗅到小龙虾的味道，也未体验到阴雨数日中的云雾靡靡。

可见，三个司机不应凭借刻板印象去进一步揣度“印象”，对江西如此，对试驾车型超混电驱版奇骏亦是如此。

试驾路线始于共青城（九江），终于湖北武汉，尽管是全程几百公里的长途，但也仅是此次超混电驱奇骏3000公里行游中国接力试驾的一部分。而当三个司机驾车身处吴越荆楚之间的文化交隔地带时，所谓越山踏湖，观雨听澜那种矫揉造作的心绪，远不如长驱于永武高速的柏油路面、盘绕于庐山柘林水库南岸的百丈青山中来得爽快。

动力不急不浮，底盘守而必固

一年多前曾首次试驾轩逸e-POWER，其4开头的油耗和全程电驱带来的NVH增益让三个司机感触颇深。功率型闪充放电池体积小、作用大，放电效率是普通动力电池的5倍，且不会成为质心标定中的累赘，加之极快的电机响应速度，车身轻盈有力。

三个司机在半年前也体验过Ariya，e-4ORCE双电机全轮控制技术使用独立前后电机，通过在前端电机施加再生制动的基础上增加后端电机的再生制动辅助，使车辆摇晃最小化，给日产首款纯电SUV平添一股勇烈持重。

而在二代e-POWER和e-4ORCE双双加持下，仅从命名上便区别于二者的超混电驱奇骏应运而生。所谓电混，即采用全程电驱，车轮百分百由电机驱动，内燃机全程不参与直驱，而日系“两田”大可定义为机械混，不仅内燃机参与直驱频率更高，且结构更复杂。举个例子，超混电驱奇骏采用集成化逆变器，让电驱模块体积更小。

当然，1.5T 可变压缩比发动机为基础的增程器具备不错的发电效率。以九江、共青城一带29度的艳阳为例，原地着车开空调，在电池电量下降至一半以下增程器开始工作，起步轻盈畅快的同时不出几公里，电量即可回复并稳定在60%左右，无论进行几次动力请求，其急加速效果只由电机呈现，动力依然轻快异常，而增程器时不时地转速飙高也仅在为你充盈电量。

换言之，增程器用理性的转速回应你感性的油门踏板角度，用更丰沛的电力储备应对不时之需，至于其他，皆交由电机。

于高速之上，并非以增程为技术原理车型的强项，但超混电驱奇骏仍然保持相对亢奋，开始全时稳定工作的增程器并未表达出该有的存在感，80km/h以下提速迅猛，虽然时速来到120km/h后电机的扭矩迸发感稍有衰减，但也未曾像燃油车一样挣扎嘶吼至目标车速，除非刻意观察仪表盘跳动的指针，否则早已全然忘记它是蓝牌车。

谈及动力，不可不谈底盘。老牌合资劲旅在做一款合格产品时会不遗余力照顾底盘质感，超混电驱奇骏在小颠簸下，其悬挂的弹跳韧性极见功底。在材料与技术层面，已然打在前麦弗逊后多连杆结构，并且采用钢制下摆臂，带冲压镂空降低簧下质量。

除此之外，e-4ORCE能进一步优化前后扭矩分配，系统还在每个车轮上应用独立的制动控制，极大提高了每个轮胎的转向力，在山路攻弯极限更高。与此同时，能控制前后电机的扭矩和制动，比如急加速急减速时，能更好地抑制车身前后摇晃，为驾乘舱全员的舒适感负责。

于山路攻弯，其车身后半段的循迹性异常优秀，这同样是搭载小电池、摒弃变速箱后的正向收益。无独有偶，方向盘一圈半的设定符合运动味，让开惯了“两圈半”车型的三个司机顿感省力，找到劈弯角度后转动并不算大的盘幅，指向性和循迹性都没让人失望，再加上足够跟脚的油门刹车踏板，这段速度并不算快的跑山依旧散发着只有驾驶者能懂的小乐趣。

就这样在市区、高速、山路相互夹杂的工况后，超混电驱奇骏以百公里6.8L的成绩为首日收官。

次日，在九江－武汉的高速工况试驾途中，属于华中5月的专属天气转瞬而至，永武高速骤然间上演远山雾气腾，接天连地白。震风陵雨敲打在前风挡，被车内的静谧感无限放大。

虽然主办方给每台试驾车配了一部分贝仪，但三个司机认为读取数值远不如感官体验得力。再低的读数，也不如滂沱大雨下，用语音轻声唤醒车机后，那驾乘人员耳中清晰的歌词来得直接，而此时车机音量才调到三分之一。

再转瞬，雨势稍缓，按下方向盘右侧的蓝色标识，打开久违的ProPilot驾驶辅助。有别于部分品牌的L2系统，日产ProPilot可一键开启待机、一键运行、一键退出，早在传统车企抢夺L2滩头阵地的几年前，ProPilot凭借全速域和操作便利等特点，甩开按键颇多的Honda sensing和自适应启停不够聪明的丰田TSS一条街。

欣慰的是，还是那个味。车道居中保持不偏不倚，自适应跟车细腻丝滑，路面颇重的水汽会让视野稍显模糊，偶尔触发的车道偏离预警系统不再像以往城市中那么惹人厌，反之，三个司机能切实体验到L2驾驶辅助的确是驾驶安全的第二道保险。

外形静中有动

三个司机向来不喜欢对内外装设计做细致评价，所谓萝卜白菜与见仁见智的言论不无道理。人的审美会迭代，设计师的灵感亦会随之迭代，若在精进途中设计出不惹人厌且符合80%受众审美的外形，已然算作完美。

超混电驱奇骏与燃油版保持较高相似度，仅在为数不多的地方贴上e-POWER标识，包括前门铰链柱下方和尾部右侧，不抢戏且不偏仄。三个司机反而觉得该搞一套类似混动专属的蓝色车标，着重区分超混电驱与燃油版，以不至于使e-POWER的功劳稍有遗漏。

车身侧面黑色侧裙将前后黑色轮眉相连，黑色视觉一直延续到尾杠，不难看出设计师尽可能多地用黑色装饰进一步缩小门板视觉厚度。假如他想告诉三个司机，它是一台紧凑型SUV但并不笨重，那么设计师的目的达到了。

与描述外形相比，三个司机用来描述内饰的词汇更是乏善可陈，诸如悬浮屏、平底方向盘、运动型座椅等均是全民车评时代的名词开发而已，只能表达单个物体，无法表达体感。而三个司机能给予的信息，是0.92平方米全景天窗的采光面积，是可全部拉开的遮阳帘，是不输老一代2.5L奇骏那种通透的座舱开扬感。

同样，与老款相比硬了不少的坐垫，不至于让三个司机像陷在轩逸座椅中姿态那么低，方向盘四向调节，也给三个司机足够的身材宽容度。

此时屏幕前的你会问，这些不都是平平无奇的配置和功能吗？没错，但扪心自问。作为居家代步出行工具，也座位一款紧凑型SUV，除了这些难道你是否真的需要其他功能来徒增成本？换一种问法，你到底需求扎实的功能配置，还是花哨的赏心悦目？

所谓一款车对应一种需求，一种需求对应一种态度。就像这篇试驾报告，若非景色怡人，三个司机绝不会以杂志风格开场。

三个司机观点：

e-POWER与e-4ORCE，堪称超混电驱奇骏手中的利矛与坚盾，其动力轻盈感和静谧感，犹如此季节江西为数不多的艳阳天，清爽且不粘腻。不过这次东风日产开始避虚务实，不再让“大沙发”等词汇充斥于超混电驱奇骏的前期宣发环节，甚至连试驾前的workshop也对其只字未提，这已然流露出东风日产想摒弃虚浮，将精力集中于质量和质感的决心。当然，也希望东风日产赋予超混电驱奇骏足够诚意的价格，为“技术日产”的slogan打上更厚的夯土。

本文来自易车号作者三个司机，版权归作者所有,任何形式转载请联系作者。内容仅代表作者观点，与易车无关

试驾雷克萨斯全新RZ，体验豪华品牌的电气化新时代！

前段时间去试驾了纯电中型豪华SUV雷克萨斯RZ，作为全新雷克萨斯首款基于原生纯平台打造的车型，其搭载全新一代雷克萨斯高频智能安全系统LSS+3.0（Lexus Safety System+3.0），标志着品牌进化的新步伐，那么全新的RZ又给我带来哪些新体验了，今天跟大家分享一下试验雷克萨斯RZ的心得。

外观上，全新RZ基于全新的LEXUS雷克萨斯设计语言，新车以动态性能激发设计灵感，打造独特设计风格与和谐的车身比例，展现出雷克萨斯纯电车型的个性风范。

整车的外型显得比较稳健低矮，从侧面45度的视角来看，比较的犀利。由于是纯电动车，前脸的功能设计也进行了改变。雷克萨斯标志性的纺锤形设计元素也从格栅的造型演变为全新的“纺锤形车身”，立体感十足。中央纺锤形车身的两侧为三维立体造型的前翼子板，体现品牌出众的设计实力和制造技术。夺目的前大灯组设计，整体以黑色为底色，凝眸阵列式LED日间行车灯，突出雷克萨斯标志性的L形元素特征。部分车型还配备了LEXUS雷克萨斯首次采用的发光车头徽标，当充电或解锁时，可实现人车互动。

从侧面看起来，前翼子板仿佛将轮毂和轮胎包裹在内，向后延展的线条传递蓄势待发的力量感。而后翼子板的三维立体造型更令人瞩目，通过凸显轮胎的宽大沉稳，表达DIRECT4系统所带来的卓越动态表现。车门造型展现出鲜明的雕塑美感，呈现流光溢彩的惊艳型面。

车尾采用简约利落的横向设计，赋予全新RZ更加宽阔大气的姿态，同时表现新车卓尔不凡的性能表现和源源不断的充沛动力。纤薄贯穿式尾灯组上方，是更具辨识度的LEXUS雷克萨斯字母徽标，一字形红色灯带延伸至车身两侧的几何渐变造型，为尾部营造出更强的整体感和宽绰感。

内饰上，雷克萨斯RZ还是继承了雷克萨斯的优良传统，采用化繁为简的设计理念，将干净利落的现代格调与简单纯粹的饰面设计相融合，配合恰到好处的智能系统，为用户营造简洁而富有现代感的雅致空间。

雷克萨斯为全新RZ打造了Animal-Free生态环保座舱，大面积应用环保生态材质，强调材质本身的肌理表达，而非依赖于人工创造的图案，以自然环保的材质，呈现全新的触感体验。其中，Ultrasuede®*7类麂皮高级绒面采用30%生物基可持续材料，追求温润细腻的触感，同时具备高水准透气性和耐久性，奢华质感与环保理念并存，为驾乘者创造温暖而细腻的感官体验。

中央液晶触控屏采用14英寸防眩工艺，画面很清晰，由于车机系统导航等需要另行付费才能使用，在试驾中我们一直使用carplay，整体来说运行还是比较的流畅。

除此之外，在内部还有一个印象比较深刻的地方，就是雷克萨斯为了最大限度地续航里程和驾乘舒适度，全新RZ配备了前排膝部红外加热系统，可在保持温和空气体感的前提下，实现前排膝部区域的快速升温。由于红外加热系统的存在，其取消了前排手扶箱，让我们也是找了一阵子才发现被取消了。

驾乘跟续航上，雷克萨斯RZ没有让我们失望。先说大家关注的续航吧，我们试驾的是RZ 450e低配版，CLTC续航里程为520公里。我们真正在市区跟高速道路上进行了试驾测试，在开着空调以及市区道路拥堵的情况下，全新RZ的基本上能做到1公里的续航跟实际道路行进1公里相差很小，对于经常试驾各新能源车型来说，相比之下全新RZ太实诚了。

当然这跟雷克萨斯的全新纯电力系统有关系，全新RZ搭载230千瓦双永磁同步电机，以及由新型锂离子电池构成的大容量电池组。首次引入全新DIRECT4电子动态四驱系统，匹配创新研发的高功率eAxle电驱单元，使车辆可轻松应对多种路面和驾驶情境。全新eAxle电驱单元全面集成电机、驱动桥和逆变器，紧凑的单元尺寸，在增加续航里程的同时，营造充裕的内室空间，呈现迷人的外观设计。前eAxle电驱单元采用了较短的前后布局，而较低矮的后eAxle电驱单元则进一步提升了座舱及后备箱空间。此外，后eAxle电驱单元的控制元件采用新型半导体材料——碳化硅（SiC），通过增加电子间带隙，提升元件效率，可有效降低动力系统的电能损耗，与传统逆变器相比，能耗降低了72%。

优秀的操控还得益于DIRECT4，DIRECT4电子动态四驱系统基于车辆轮速、加速踏板和转向角度传感器所收集的信息精准控制前后轮驱动力分配，分配比例在0:100到100:0之间。起步加速表现和操控稳定性得以提高，同时兼顾出色的能效水平。在车辆起步和直线加速时，系统的前后轮驱动力分配比例约在60:40到40:60之间，可有效降低车辆俯仰，带来更直接的加速感。

在弯道中，系统可基于车速和转向角度等重要信息，根据行车状态实时调整驱动力，实现卓越的操控稳定性。转向入弯时，系统将更多驱动力分配至前轮（驱动力分配比例在75:25到50:50之间），赋予全新RZ敏捷的响应速度和优异的转向体验。出弯时，分配至后轮的扭矩则会进一步增强（分配比例在50:50到20:80之间），在有效控制车辆俯仰，并提供充足的牵引力。

当然，除了上述提到的以外，像在安全性，全新RZ在电池可靠性与安全性、车身结构以及智能科技（搭载了LEXUS雷克萨斯高频智能安全系统LSS+ 3.0），都能为车主的安全用车保驾护航。

最后不得不提的是雷克萨斯的高保值承诺，这对于购买电动车的车主来说最能让人心动了。全新RZ车型用户，自购买之日起，最高可享一年置换雷克萨斯品牌90%，置换其它品牌80%；而二年、三年、四年以10%的贬值率减少，相对于其它的电动车来说确实让人心动。

作为雷克萨斯首款基于原生纯电平台打造的车型，全新RZ的到来，标志着品牌进化的新步伐。全新RZ不仅展现了LEXUS雷克萨斯设计风格的进化方向，更融入了雷克萨斯品牌长久积淀的先进电气化技术，从这次试驾来看，不论是外观造型、内饰配置还是驾控续航上，全新RZ都给我们留下的很深刻的印象，当然也有一些不尽如人意的地方，比如车机系统相对比目前很车国产车来说，体验上确实还有提升的空间，不过对于喜欢与想体验雷克萨斯品牌的人来说，全新RZ还是值得一试。

本文来自易车号作者阿毛说车，版权归作者所有,任何形式转载请联系作者。内容仅代表作者观点，与易车无关

湖北仙童科技有限公司 高端电力电源全面方案供应商 江生 13997866467