可望而逆变器

五菱销量神话的背后：一座城捧热一款网红车

易车原渗清创 踏进柳州这座小城，你会觉得仿佛连空气中都弥漫着螺蛳粉的味道，与螺蛳粉一同高频出现的还有宝骏E100、宝骏E200、五菱宏光MINIEV等小型新能源汽车，它们忙碌穿梭在大街小巷，构筑起一条柳州特有的风景线。一座城捧红一款网红车——柳州是一座常住人口约417万的小城，却以最大的力量托举其广西的工业，是全中国最重要的汽车生产基地之一。作为第一新能源网红车的五菱宏光MINIEV便从这里出发，走进百万寻常百姓家，在全国遍地开花。在2022年，它卖出了55.4万台新车，相当于平均每天就能卖出1518台，它的成功甚至带火了整个A00/A0纯电动车市场。自它推出的2020年起，整个市场份额、选购意向极速攀升，更引来QQ冰淇淋等无数追随者。我们不禁会想到底柳州有怎样的魔力，能生产出全球最畅销之一的新能源汽车？

早在2016年12月，柳州发布《柳州市推进新能源汽车产业发展的若干意见》开始着手发展新能源化，并且为了推广新能源车陆续放出各种“狠招”：比如，建设适合微型车停放的专属小车位、路边专属免费停车、开放公交车道路权、投放上千台宝骏E100用于共享出行……再比如，政企联动为城管配上由宝骏E100改造的智慧政务车。数据统计，自2017年7月宝骏E100上市至2021年6月底，柳州生产的纯电动汽车累计销量已接近50万辆，柳州新能源汽车保有量占比为10.7%，而全国同期为3.23%。柳州在新能源汽车产业的成功，被业内称为“柳州模式”，而它就像五菱汽车的“试验田”，为后来的五菱宏光MINIEV研发、生产、应用积累了实践经验。

网红车是怎样练成的？便宜是五菱宏光MINIEV留给所有人的第一印象，也是它成为爆款的最直接原因，拨开表象来看，其实五菱宏光MINIEV的火爆并不只是“便宜”二字就能解释清楚，而是做对了两件事情。

1. 极致的用户需求挖掘

在五菱汽车的大本营柳州，上汽通用五菱品牌与公关总监张益勤跟笔者分享了五菱宏光MINIEV的开发故事：五菱宏光MINIEV诞生前，国内市场不乏A00/A0纯电动车，诸如知豆D2、众泰E200、长安奔奔E-Star等，其中大多数要么以“油改电”形式赚补贴，要么售价高于5万元，某些车型更是质量堪忧，不少人对此类电动车的发展打上大大的问号。在混沌的市场中，五菱汽车的工程研发团队找到一片清澈的明泉。在全国多个城市的马路上，五菱汽车的研发团队观察过每一台驶过的车辆，同时采访上千名车主，最终得出一个结论：超过80%车辆上乘坐的人数不超过两人；90%的车主出行半径不超过20公里；使用频次多，多以买菜、接娃、通勤使用市场为主。可以说，日常短距离的代步是全国各地人民的强烈刚需。尤其在县城、乡镇交通相对不便，摩托车、老头乐是许多人的代步工具，截至2018年，我国低速电动车的保有量为300万辆，2019年丛运前这个数字飙升到500万辆。基于以上的需求洞察，五菱汽车创造出一个全新悄庆的差异化品类——五菱宏光MINIEV，既可遮风挡雨、载人载物的纯电短途代步车。跟特斯拉坚持的第一性原理有些相似，五菱汽车回归汽车的本质，从用户需求出发，思考人民到底需要怎样一台汽车？用户的使用场景是怎样？答案是便利性、安全、省钱。五菱宏光MINIEV车长3米左右、车宽1.5米左右，停车毫不费劲，且不占地；提供ABS防抱死系统、倒车雷达、胎压监测等等安全配置，更关键的是其起售价不到3万元，综合来看秒杀老头乐、摩托车。通过洞察用户，在细分市场找到差异化，重新定义产品，精细打磨功能和卖点，这是五菱汽车打开爆款之门的密钥。

时间回到21世纪初期，国内经济腾飞，商品流通活跃，五菱汽车的工程师们就在思考目标用户会搬运哪些货物，会量下啤酒箱、建筑板材等物品的标准规格尺寸，以求让用户在车上放下尽可能多的货物……最终定下相比同品类更宽大、更合理的车身空间。再到五菱宏光，一改微面固有的车身形态，同时采用前置后驱的动力形式，满足家商两用，后来便有了最高月销8万+的销量奇迹。来到新能源时代，五菱汽车曾在柳州投放超1000辆宝骏E100用于公共出行，在调研过程中，用户向该团队反馈车上没有位置适合放下打包的螺蛳粉或者食品等。于是，后来的宝骏E200研发团队特意为新车设计了两个挂钩，被内部笑称“吃粉专用挂钩”。虽然这些功能配置没有华丽的黑科技噱头加持，并不高大上，但却都是用户实际所需。从五菱宏光，再到宏光MINIEV，这两款现象级车型背后都有两大共性：一是基于新需求、新时代的洞察，五菱汽车走上了自己的路，实现对细分市场的重新定义；二是以用户为本，实用至上，造出符合最广大人民利益的产品。这就是“人民需要什么，五菱就造什么”的诠释。虽然道理大家都懂，但却只有五菱汽车等少数派能理解透，能从第一性原理造车。

2. 极致的成本控制

五菱汽车曾提出过“低成本，高价值”的造车理念，后者“高价值”很容易被复制，靠堆料就能给消费者带来不少价值感、满足感，更难的是有效的成本控制。当五菱宏光MINIEV推出时，许多人惊讶为何五菱汽车能把一台新能源车卖到3万元以下。就连日本人也无比诧异，日本某大学教授就特意拆解过一台五菱宏光MINIEV，他本人直呼日本很难造出一台成本如此低的新车。五菱宏光MINIEV将电机水冷改成空气冷却，将直流电变为交流电逆变器，充电器、芯片、轴承等零部件采用非车规级零件，甚至还采用“模块化”的思路，一旦某些零件坏掉，更换方便，维修成本低。而在功能配置上，五菱宏光MINIEV相当“实用质朴”，后视镜需要手动来调节，收音机替代大屏，仅有慢充……这些看似是槽点，但别忘了这是一台3万元起的四轮汽车。据介绍，在五菱宏光MINI EV研发之初，研发团队对用户各种需求进行优先排序。短途代步是它诞生的初衷，因此好开、好停、好省钱被设立为首选项，摒弃一些冗余配置（如智能化），在有限的成本下选择“有所为而有所不为”。再者是规模效应的最大化。五菱宏光MINIEV虽然卖得便宜，五菱汽车表示前期研发成本挺高，基本上是亏钱卖车。但售价亲民的五菱宏光MINIEV能以最快的速度撬动市场，当产量实现一定规模，便能实现规模效应。英国的乔治·马克西和奥布里·西耳伯斯通在《汽车工业》一书曾提出，在生产规模扩大的初级阶段，厂家取得的节约效果最大，年产量从1000两增加到5万辆时，成本可望下降40%。年产量翻一番，达到10万辆时，成本下降15%。产量再提高一倍，为20万辆时，可进一步节约10%。跃升到40万辆时，又在进一步节约5%。”如今的五菱

科普l 13种常用的功率半导体器件介绍-icspec

电力电子器件，即功率半导体器件，是用于电能变换与控制的高功率电子器件，适用于电流数十至数千安培，电压数百伏以上的电路。它们主要分为半控型、全控型和不可控型。晶闸管作为半控型器件，具有最高承受电压和电流的特性；电力二极管则为不可控器件，具有结构简单、工作可靠的优点。按照驱动方式，还可分为电压驱动型和电流驱动型，如GTO、GTR属于电流驱动型，而IGBT、电力MOSFET属于电压驱动型。

MCT（MOS控制晶闸管）是一种结合了MOSFET的低驱动电流与高阻抗、晶闸管的高压与大电流特性的新型复合型器件。它能通过门极脉冲控制导通或关断，具有高压、大电流容量、低通态压降、高dv/dt和di/dt耐量、快速开关速度等优点，适用于高压、大功率应用。

IGCT（集成门极换流晶闸管）结合了GTO、IGBT等技术，适用于高压大容量变频系统，是一种新型的电力半导体器件。它通过集成GTO芯片、反并联二极管和门极驱动电路，结合了晶闸管和晶体管的优点，在导通阶段发挥晶闸管性能，在关断阶段呈现晶体管特性。

IEGT（电子注入增强栅晶体管）是耐压达4kV以上的IGBT系列电力电子器件，通过增强注入结构实现了低通态电压，大幅提高了大容量电力电子器件的性能。它具有低损耗、高速动作、高耐压和有源栅驱动智能化等优点，适用于大、中容量变换器应用。

IPEM（集成电力电子模块）是将半导体器件MOSFET、IGBT或MCT与二极管集成在一起的模块，实现了电力电子技术的智能化和模块化，降低了电路接线电感、系统噪声和寄生振荡，提高了系统效率和可靠性。

PEBB（电力电子积木）是集成了功率半导体器件、门极驱动电路、电平转换、传感器、保护电路、电源和无源器件的可处理电能集成的器件或模块。它具有能量接口和通讯接口，可以简单或复杂地组成电力电子系统，完成电压转换、能量储存和转换、阻抗匹配等功能。

超大功率晶闸管（SCR）自从问世以来，其功率容量已经提高了近3000倍。目前许多国家能稳定生产8kV/4kA的晶闸管，日本和美国等国家生产电触发晶闸管，晶闸管在HVDC、静止无功补偿（SVC）、大功率直流电源及超大功率和高压变频调速应用方面仍占有重要地位。GTO关断期间dv/dt必须限制在500～1kV/μs，为此需要使用体积大、昂贵的吸收电路，但目前已有额定开关功率36MVA（6kV/6kA）用的高压大电流GTO。

脉冲功率闭合开关晶闸管特别适用于传送极强峰值功率、极短持续时间的应用场合，如激光器、高强度照明、放电点火、电磁发射器和雷达调制器等。它能在数kV高压下快速开通，具有长使用寿命，体积小、价格低，有望取代高压离子闸流管、引燃管、火花间隙开关或真空开关等。

新型GTO器件-集成门极换流IGCT晶闸管具有不用缓冲电路的可靠关断、存贮时间短、开通能力强、关断门极电荷少和应用系统总功率损耗低等优点。它在高压（VBR》3.3kV）、大功率（0.5～20MVA）牵引、工业和电力逆变器中应用广泛。

高功率沟槽栅结构IGBT（TrenchIGBT）模块在高功率IGBT模块中采用沟槽栅结构，提高了元胞密度。与平面栅结构相比，沟槽栅结构具有更高的导通电阻和更高效的芯片两端散热方式。特别有意义的是，避免了大电流IGBT模块内部大量的电极引出线，提高了可靠性和减小了引线电感。

电子注入增强栅晶体管IEGT兼有IGBT和GTO的优点，具有低饱和压降、宽的安全工作区、低栅极驱动功率和高工作频率。该器件采用平板压接式电极引出结构，可望有较高可靠性。与IGBT相比，IEGT结构的主要特点是栅极长度较长，从集电极注入的空穴在N长基区形成一层空穴积累层，发射极必须通过N沟道向N长基区注入电子，形成与GTO中类似的载流子分布，较好地解决了大电流、高耐压的矛盾。

MOS门控晶闸管通过MOS场控晶闸管（MCT）、基极电阻控制晶闸管（BRT）及射极开关晶闸管（EST）等结构，充分利用晶闸管的特性，有望具有优良的自关断动态特性、非常低的通态电压降和耐高压。EST可能是MOS门控晶闸管中最有希望的一种结构，但要真正成为商业化实用器件，取代GTO的水平，还需较长时间。

砷化镓二极管具有优越的高频开关特性，但因其耐压较低，应用受到限制。Motorola公司已成功研制出高压砷化镓高频整流二极管，与硅快恢复二极管相比，具有反向漏电流随温度变化小、开关损耗低、反向恢复特性好等优点。

碳化硅（SiC）功率器件是新型半导体材料制成的功率器件中最有潜力的。SiC器件具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、低介电常数和高热导率等优异物理特性，适用于高温、高频率、高功率应用。SiC高频功率器件已应用于微波和射频装置，ABB公司正在研发高功率、高电压的SiC整流器和其他SiC低频功率器件，用于工业和电力系统。

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