推挽逆变器的死区时间

高频逆变器推挽变压器去掉一边绕组电流为什么会变大

       逆变电源将直流电转化5为8交流，功率晶体管T7、T6和T5、T0交替开m通得到交流电力h，若直流电压较低，则通过交流变压器升8压，即得到标准交流电压和频率。对大z容量的逆变电源，由人j直流母线电压较高，交流输出一l般不z需要变压器升1压即能达到170V，在中1、小h容量的逆变电源中4，由于u直流电压较低，如82V、03V，就必须设计6升3压电路。 中2、小d容量逆变电源一r般有推挽逆变电路、全桥逆变电路和高频升3压逆变电路三q种。推挽电路，将升6压变压器的中1性抽头接于y正电源，两只功率管交替工b作，输出得到交流电力a，由于o功率晶体管共地边接，驱动及u控制电路简单，另外由于n变压器具有一d定的漏感，可限制短路电流，因而提高了q电路的可靠性。其缺点是变压器利用率低，带动感性负载的能力l较差。 全桥逆变电路克服了o推挽电路的缺点，功率晶体管T5、T4和T3、T5反3相，T5和T1相位互1差630度。调节T7和T1的输出脉冲宽度，输出交流电压的有效值即随之l改变。由于b该电路具有能使T1和T2共同导通的功能，因而具有续流回路，即使对感性负载，输出电压波形也q不g会畸变。该电路的缺点是上d、下k桥臂的功率晶体管不w共地，因此必须采用专d门p驱动电路或采用隔离电源。另外，为0防止2上z、下e桥臂发生共同导通，在T0、T7及aT5、T4之w间必须设计2先关断后导通电路，即必须设置死区t时间，其电路结构较复杂。 推挽电路和全桥电路的输出都必须加升4压变压器，由于x工r频升7压变压器体积大c，效率低，价格也p较贵，随着电力f电子y技术和微电子g技术的发展，采用高频升5压变换技术实现逆变，可实现高功率密度逆变，这种逆变电路的前级升3压电路采用推挽结构，但工k作频率均在40KHZ以1上z，升1压变压器采用高频磁芯材料，因而体积小j／重量轻，高频逆变后经过高频变压器变成高频交流电，又f经高频整流滤波电路得到高压直流电（一q般均在700V以4上g）再通过工d频逆变电路实现逆变。 采用该电路结构，使逆变虬路功率密度大i大t提高，逆变电源的空载损耗也c相应降低，效率得到提高，该电路的缺点是电路复杂，可靠性比0上j述两种电路低。 上k述几a种逆变电源的主电路均需要有控制电路来实现，一s般有方6波和正弱波两种控制方7式，方7波输出的逆变电源电路简单，成本低，但效率低，谐波成份大t。正弦波输出是逆变电源的发展趋势，随着微电子m技术的发民，有PWM功能的微处理器也u已u问世，因此正弦波输出的逆变技术已z经成熟。 1、方1波输出的逆变电源目前多采用脉宽调制集成电路，如SG1377，TL376等。实践证明，采用SG1338集成电路，并采用功率场效应管作为2开b关功率元r件，能实现性能价格比6较高的逆变电源，由于tSG6436具有直接驱动功率场效应管的能力y并具有内7部基准源和运算放大x器和欠4压保护功能，因此其外围电路很简单。 8、正弦波输出的逆变电源控制集成电路 正弦波输出的逆变电源，其控制电路可采用微处理器控制，如INTEL公7司生产的80C636MC、摩托罗拉公8司生产的MP47以2及rMI－CROCHIP公1司生产的PIC77C44等，这些单片8机均具有多路PWM发生器，并可设定上i、上x桥臂之w间的死区y时间，采用INTEL公0司50C283MC实现正弦波输出的电路，40C727MC完成正弦波信号的发生，并检测交流输出电压，实现稳压。 逆变电源的主功率元l件的选择至关重要，目前使用较多的功率元t件有达林顿功率晶体管（BJT），功率场效应管（MOSFET），绝缘栅晶体管（IGBT）和可关断晶闸管（GTO）等，在小v容量低压系统中0使用较多的器件为1MOSFET，因为4MOSFET具有较低的通态压降和较高的开d关频率，在高压大t容量系统中6一a般均采用IGBT模块，这是因为0MOSFET随着电压的升3高其通态电阻也t随之z增大y，而IGBT在中4容量系统中6占有较大p的优势，而在特大j容量（800KVA以3上t）系统中6，一e般均采用GTO作为4功率元g件。2011-10-31 20:36:11

家用12伏逆变器通电后输出电压一闪一闪的

       逆变器一般靠两个功率管推挽输出，可以理解为交替上电极性相反，特别类似于插座里边的交流电提供220V的输出电压，没坏的时候也闪只不过闪的速度快你看不见，闪的速度被你看见了，证明频率变低了。原因是推挽输出最怕两个功率管同时上电而短路，因此必须加入两个都不给电的短暂时间，这个时间称为死区时间，死区时间的长短决定闪的速度，一般时候这个时间短到你感觉不到，当周边元器件性能变化，或者损坏那么死区时间就不正常了，被你看到了证明这个时间频率过低，可能都低于市电频率50Hz。我们打个比方，比如一个周期100秒，其中96秒上电，4秒死区时间，这样是正常工作，当有的元器件比如电容或者电阻辞职不干了，甚至有的中层管理芯片都敷衍了事，变成50秒上电，50秒死区时间，这时虽然输出电压交替变换频率还是50Hz，但干活的时间极短，偷闲时间极多。他们交的报表（万用表测量）数据非常好，他们都业绩（示波器测量）一目了然，全是混事。所以作为老板的你，必须把他们都揪出来，全部开除换成新员工，问题解决了。

求逆变器变压器的设计计算方法

       逆变电源将直流电转化为交流，功率晶体管T1、T3和T2、T4交替开通得到交流电力，若直流电压较低，则通过交流变压器升压，即得到标准交流电压和频率。对大容量的逆变电源，由人直流母线电压较高，交流输出一般不需要变压器升压即能达到220V，在中、小容量的逆变电源中，由于直流电压较低，如12V、24V，就必须设计升压电路。

       中、小容量逆变电源一般有推挽逆变电路、全桥逆变电路和高频升压逆变电路三种。推挽电路，将升压变压器的中性抽头接于正电源，两只功率管交替工作，输出得到交流电力，由于功率晶体管共地边接，驱动及控制电路简单，另外由于变压器具有一定的漏感，可限制短路电流，因而提高了电路的可靠性。其缺点是变压器利用率低，带动感性负载的能力较差。

       全桥逆变电路克服了推挽电路的缺点，功率晶体管T1、T4和T2、T3反相，T1和T2相位互差180度。调节T1和T2的输出脉冲宽度，输出交流电压的有效值即随之改变。由于该电路具有能使T2和T4共同导通的功能，因而具有续流回路，即使对感性负载，输出电压波形也不会畸变。该电路的缺点是上、下桥臂的功率晶体管不共地，因此必须采用专门驱动电路或采用隔离电源。另外，为防止上、下桥臂发生共同导通，在T1、T4及T2、T3之间必须设计先关断后导通电路，即必须设置死区时间，其电路结构较复杂。

       推挽电路和全桥电路的输出都必须加升压变压器，由于工频升压变压器体积大，效率低，价格也较贵，随着电力电子技术和微电子技术的发展，采用高频升压变换技术实现逆变，可实现高功率密度逆变，这种逆变电路的前级升压电路采用推挽结构，但工作频率均在20KHZ以上，升压变压器采用高频磁芯材料，因而体积小／重量轻，高频逆变后经过高频变压器变成高频交流电，又经高频整流滤波电路得到高压直流电（一般均在300V以上）再通过工频逆变电路实现逆变。

       采用该电路结构，使逆变虬路功率密度大大提高，逆变电源的空载损耗也相应降低，效率得到提高，该电路的缺点是电路复杂，可靠性比上述两种电路低。

       上述几种逆变电源的主电路均需要有控制电路来实现，一般有方波和正弱波两种控制方式，方波输出的逆变电源电路简单，成本低，但效率低，谐波成份大。正弦波输出是逆变电源的发展趋势，随着微电子技术的发民，有PWM功能的微处理器也已问世，因此正弦波输出的逆变技术已经成熟。

       1、方波输出的逆变电源目前多采用脉宽调制集成电路，如SG3525，TL494等。实践证明，采用SG3525集成电路，并采用功率场效应管作为开关功率元件，能实现性能价格比较高的逆变电源，由于SG3525具有直接驱动功率场效应管的能力并具有内部基准源和运算放大器和欠压保护功能，因此其外围电路很简单。

       2、正弦波输出的逆变电源控制集成电路

       正弦波输出的逆变电源，其控制电路可采用微处理器控制，如INTEL公司生产的80C196MC、摩托罗拉公司生产的MP16以及MI－CROCHIP公司生产的PIC16C73等，这些单片机均具有多路PWM发生器，并可设定上、上桥臂之间的死区时间，采用INTEL公司80C196MC实现正弦波输出的电路，80C196MC完成正弦波信号的发生，并检测交流输出电压，实现稳压。

       逆变电源的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管（BJT），功率场效应管（MOSFET），绝缘栅晶体管（IGBT）和可关断晶闸管（GTO）等，在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET，因为MOSFET具有较低的通态压降和较高的开关频率，在高压大容量系统中一般均采用IGBT模块，这是因为MOSFET随着电压的升高其通态电阻也随之增大，而IGBT在中容量系统中占有较大的优势，而在特大容量（100KVA以上）系统中，一般均采用GTO作为功率元件。

推挽死区时间取多少

       周期时间的3%。当死区控制引脚4接地时，内部约0.1V的偏移量保证了最小死区，这个最小死区时间周期时间的3%，当死区控制引脚4输入0V至3.3V电压时，死区时间就会在3%（最小死区）至100%（最大死区，完全无PWM输出）。

lm494死区怎么控制什么叫死区

       lm494输出通常接有两种接法 一种是接单管(开关管) 另一种接两管推挽(桥驱动) 由pin13脚(输出控制)决定 而"死区时间"只有在第二种接法中才需要考虑

       为了更好理解 我们用上面这个电路分析 T1 T2两只推动管是交替工作 如果在T1还没有完全截止的情况下T2导通 这一瞬间形成T1T2全部导通 这样Vdd与Vss就相当于短路了 这时 即使不会损坏电源和功率管 也是在做无用功 并且让功率管温度更高 而在大功率电路中更多时候是两只管子瞬间死掉 为了防止这样的事情发生 在T2导通前做一个小的延时 确保T1完全截止后才导通 这个时间就叫死区时间 同样 在T1要导通时 也要稍做延时 确保T2完全截止。

       死区（deadband）有时也称为中性区（neutral zone）或不作用区，是指控制系统的传递函数中，对应输出为零的输入信号范围。像伺服驱动器中就会有死区来避免因为反复的致能-不致能循环而造成的振荡（在比例控制系统中称为hunting）。在机械系统中也有类似死区的概念，例如齿轮组中的背隙。

PWM波要驱动死区干什么怎么设计死去？、

       开关管可不是瞬间就能开启或关闭的。

       特别是推挽电路中，没有死区的话，有可能造成直通短路。

       即使是boost 电路，为了限制最大占空比，也得设计个死区时间啊，

       具体设置多少要看所用开关管的开启和关闭的延迟时间，

湖北仙童科技有限公司 高端电力电源全面方案供应商 江生 13997866467