发布时间:2024-10-18 20:50:17 人气:
自己制作一个简单的电感高频加热线圈
感应加热简介电磁感应加热,或简称感应加热,是加热导体材料比如金属材料的一种方法。它主要用于金属热加工、热处理、焊接和熔化。
顾名思义,感应加热是利用电磁感应的方法使被加热的材料的内部产生电流,依靠这些涡流的能量达到加热目的。感应加热系统的基本组成包括感应线圈,交流电源和工件。根据加热对象不同,可以把线圈制作成不同的形状。线圈和电源相连,电源为线圈提供交变电流,流过线圈的交变电流产生一个通过工件的交变磁场,该磁场使工件产生涡流来加热。
感应加热原理
感应加热表面淬火是利用电磁感应原理,在工件表面层产生密度很高的感应电流,迅速加热至奥氏体状态,随后快速冷却得到马氏体组织的淬火方法,当感应圈中通过一定频率的交流电时,在其内外将产生与电流变化频率相同的交变磁场。金属工件放入感应圈内,在磁场作用下,工件内就会产生与感应圈频率相同而方向相反的感应电流。由于感应电流沿工件表面形成封闭回路,通常称为涡流。此涡流将电能变成热能,将工件的表面迅速加热。涡流主要分布于工件表面,工件内部几乎没有电流通过,这种现象称为表面效应或集肤效应。感应加热就是利用集肤效应,依靠电流热效应把工件表面迅速加热到淬火温度的。感应圈用紫铜管制做,内通冷却水。当工件表面在感应圈内加热到一定温度时,立即喷水冷却,使表面层获得马氏体组织。
感应电动势的瞬时值为:
式中:e——瞬时电势,V;Φ——零件上感应电流回路所包围面积的总磁通,Wb,其数值随感应器中的电流强度和零件材料的磁导率的增加而增大,并与零件和感应器之问的间隙有关。
为磁通变化率,其绝对值等于感应电势。电流频率越高,磁通变化率越大,使感应电势P相应也就越大。式中的负号表示感应电势的方向与的变化方向相反。
零件中感应出来的涡流的方向,在每一瞬时和感应器中的电流方向相反,涡流强度取决于感应电势及零件内涡流回路的电抗,可表示为:
式中,I——涡流电流强度,A;Z——自感电抗,Ω;R——零件电阻,Ω;X——阻抗,Ω。
由于Z值很小,所以I值很大。
零件加热的热量为:
式中Q——热能,J;t——加热时间,s。
对铁磁材料(如钢铁),涡流加热产生的热效应可使零件温度迅速提高。钢铁零件是硬磁材料,它具有很大的剩磁,在交变磁场中,零件的磁极方向随感应器磁场方向的改变而改变。在交变磁场的作用下,磁分子因磁场方向的迅速改变将发生激烈的摩擦发热,因而也对零件加热起一定作用,这就是磁滞热效应。这部分热量比涡流加热的热效应小得多。钢铁零件磁滞热效应只有在磁性转变点A2(768℃)以下存在,在A2以上,钢铁零件失去磁性,因此,对钢铁零件而言,在A2点以下,加热速度比在A2点以上时快。
感应加热具体应用
感应加热设备
感应加热设备是产生特定频率感应电流,进行感应加热及表面淬火处理的设备。
感应加热表面淬火
将工件放在用空心铜管绕成的感应器内,通入中频或高频交流电后,在工件表面形成同频率的的感应电流,将零件表面迅速加热(几秒钟内即可升温800~1000度,心部仍接近室温)后立即喷水冷却(或浸油淬火),使工件表面层淬硬。
与普通加热淬火比较感应加热表面淬火具有以下优点:
1、加热速度极快,可扩大A体转变温度范围,缩短转变时间。
2、淬火后工件表层可得到极细的隐晶马氏体,硬度稍高(2~3HRC)。脆性较低及较高疲劳强度。
3、经该工艺处理的工件不易氧化脱碳,甚至有些工件处理后可直接装配使用。
4、淬硬层深,易于控制操作,易于实现机械化,自动化。
感应加热(高频电炉)制作教程
成本估算:
紫铜管紫铜带:210元
EE85加厚磁芯2个:60元
高频谐振电容3个:135元
胶木板:60元
水泵及PU管:52元
PLL板:30元
GDT板:20元
电源板:50元
MOSFET:20元
2KW调压器:280元
散热板:80元
共计:997元
总体架构:
串联谐振2.5KW 锁相环追频ZVS,MOSFET全桥逆变;
磁芯变压器两档阻抗变换,水冷散热,市电自耦调压调功,母线过流保护。
先预览一下效果,如下图:
加热金封管3DD15
加热304不锈钢管
加热小金属球
加热铁质垫圈
在开始制作之前,有必要明确一些基础性原理及概念,这样才不致于一头雾水。
1、加热机制(扫盲用,高手跳过)
1.1涡流,只要是金属物体处于交变磁场中,都会产生涡流,强大的高密度涡流能迅速使工件升温。这个机制在所有电阻率不为无穷大的导体中均存在。
1.2感应环流,工件相当于一个短路的1匝线圈,与感应线圈构成一个空心变压器,由于电流比等于匝比的反比,工件上的电流是感应线圈中电流的N(匝数)倍,强大的感应短路电流使工件迅速升温。这个机制在任何导体中均存在,恒定磁通密度情况下,工件与磁场矢量正交的面积越大,工件上感生的电流越大,效率越高。由此可看出,大磁通切割面积的工件比小面积的工件更容易获得高温。
1.3磁畴摩擦(在铁磁体内存在着无数个线度约为10-4m的原本已经磁化了的小区域,这些小区域叫磁畴),铁磁性物质的磁畴,在交变磁场的磁化与逆磁环作用下,剧烈摩擦,产生高温。这个机制在铁磁性物质中占主导。
由此可看出,不同材料的工件,因为加热的机制不同,造成的加热效果也不一样。其中铁磁物质三中机制都占,加热效果最好。铁磁质加热到居里点以上时,转为顺磁性,磁畴机制减退甚至消失。这时只能靠剩余两个机制继续加热。
当工件越过居里点后,磁感应现象减弱,线圈等效阻抗大幅下降,致使谐振回路电流增大。越过居里点后,线圈电感量也跟着下降。LC回路的固有谐振频率会发生变化。致使固定激励方式的加热器失谐而造成设备损坏或效率大减。
2、为什么要采用谐振?应采用何种谐振
2.1先回答第一个问题。我曾经以为只要往感应线圈中通入足够强的电流,就成一台感应加热设备了。也对此做了一个实验,见下图。
实验中确实有加热效果,但是远远没有达到电源的输出功率应有的效果。这是为什么呢,我们来分析一下,显然,对于固定的工件,加热效果与逆变器实际输出功率成正比。对于感应线圈,基本呈现纯感性,也就是其间的电流变化永远落后于两端电压的变化,也就是说电压达到峰值的时候,电流还未达到峰值,功率因数很低。我们知道,功率等于电压波形与电流波形的重叠面积,而在电感中,电流与电压波形是错开一个角度的,这时的重叠面积很小,即便其中通过了巨大的电流,也是做无用功。这是如果单纯的计算P=UI,得到的只是无功功率。
而对于电容,正好相反,其间的电流永远超前于电压变化。如果将电容与电感构成串联或并联谐振,一个超前,一个滞后,谐振时正好抵消掉。因此电容在这里也叫功率补偿电容。这时从激励源来看,相当于向一个纯阻性负载供电,电流波形与电压波形完全重合,输出最大的有功功率。这就是为什么要采取串(并)补偿电容构成谐振的主要原因。
2.2第二个问题,LC谐振有串联谐振和并联谐振,该采用什么结构呢。
说得直白一点,并联谐振回路,谐振电压等于激励源电压,而槽路(TANK)中的电流等于激励电流的Q倍。串联谐振回路的槽路电流等于激励源电流,而L,C两端的电压等于激励源电压的Q倍,各有千秋。
从电路结构来看:
对于恒压源激励(半桥,全桥),应该采用串联谐振回路,因为供电电压恒定,电流越大,输出功率也就越大,对于串联谐振电路,在谐振点时整个回路阻抗最小,谐振电流也达到最大值,输出最大功率。串联谐振时,空载的回路Q值最高,L,C两端电压较高,槽路电流白白浪费在回路电阻上,发热巨大。
对于恒流源激励(如单管电路),应采用并联谐振,自由谐振时LC端电压很高,因此能获得很大功率。并联谐振有个很重要的优点,就是空载时回路电流最小,发热功率也很小。值得一提的是,从实验效果来看,同样的谐振电容和加热线圈,同样的驱动功率,并联谐振适合加热体积较大的工件,串联谐振适合加热体积小的工件。
3、制作过程
明白了以上原理后,可以着手打造我们的感应加热设备了。我们制作的这个设备主要由调压整流电源、锁相环、死区时间发生器、GDT电路、MOS桥、阻抗变换变压器、LC槽路以及散热系统几大部分组成,见下图。
我们再来对构成系统的原理图进行一些分析,如下:
槽路部分:
从上图可以看出,C1、C2、C3、L1以及T1的次级(左侧)共同构成了一个串联谐振回路,因为变压器次级存在漏感,回路的走线也存在分布电感,所以实际谐振频率要比单纯用C1-C3容量与L1电感量计算的谐振频率略低。图中L1实际上为1uH,我将漏感分布电感等加在里面所以为1.3uH,如图参数谐振频率为56.5KHz。
从逆变桥输出的高频方波激励信号从J2-1输入,通过隔直电容C4及单刀双掷开关S1后进入T1的初级,然后流经1:100电流互感器后从J2-2回流进逆变桥。在这里,C4单纯作为隔直电容,不参与谐振,因此应选择容量足够大的无感无极性电容,这里选用CDE无感吸收电容1.7uF 400V五只并联以降低发热。
S1的作用为阻抗变换比切换,当开关打到上面触点时,变压器的匝比为35:0.75,折合阻抗变比为2178:1;当开关打到下面触点时,变压器匝比为24:0.75,折合阻抗变比为1024:1。为何要设置这个阻抗变比切换,主要基于以下原因。(1)铁磁性工件的尺寸决定了整个串联谐振回路的等效电阻,尺寸越大,等效电阻越大。(2)回路空载和带载时等效电阻差别巨大,如果空载时变比过低,将造成逆变桥瞬间烧毁。
T2是T1初级工作电流的取样互感器,因为匝比为1:100,且负载电阻为100Ω,所以当电阻上电压为1V时对应T1初级电流为1A。该互感器应有足够小的漏感且易于制作,宜采用铁氧体磁罐制作,如无磁罐也可用磁环代替。在调试电路时,可通过示波器检测J3两端电压的波形形状和幅度而了解电路的工作状态,频率,电流等参数,亦可作为过流保护的取样点。
J1端子输出谐振电容两端的电压信号,当电路谐振时,电容电压与T1次级电压存在90°相位差,将这个信号送入后续的PLL锁相环,就可以自动调节时激励频率始终等于谐振频率。且相位恒定。(后文详述)
L1,T1线圈均采用紫铜管制作,数据见上图,工作中,线圈发热严重,必须加入水冷措施以保证长时间安全工作。为保证良好的传输特性以及防止磁饱和,T1采用两个EE85磁芯叠合使用,在绕制线圈时需先用木板做一个比磁芯舌截面稍微大点的模子,在上面绕制好后脱模。如下图:
PLL锁相环部分:
上图为PLL部分,是整个电路的核心。关于CD4046芯片的结构及工作原理等,我不在这里详述,请自行查阅书籍或网络。
以U1五端单片开关电源芯片LM2576-adj为核心的斩波稳压开关电路为整个PLL板提供稳定的,功率强劲的电源。图中参数可以提供15V2A的稳定电压。因为采用15V的VDD电源,芯片只能采用CD40xx系列的CMOS器件,74系列的不能在此电压下工作。
CD4046锁相环芯片的内部VCO振荡信号从4脚输出,一方面送到U2为核心的死区时间发生器,用以驱动后级电路。另一方面回馈到CD4046的鉴相器输入B端口3脚。片内VCO的频率范围由R16、R16、W1、C13的值共同决定,如图参数时,随着VCO控制电压0-15V变化,振荡频率在20KHz-80KHz之间变化。
从谐振槽路Vcap接口J1送进来的电压信号从J4接口输入PLL板,经过R14,D2,D3构成的钳位电路后,送入CD4046的鉴相器输入A端口14脚。这里要注意的是,Vcap电压的相位要倒相输入,才能形成负反馈。D2,D3宜采用低结电容的检波管或开关管如1N4148、1N60之类。
C7、C12为CD4046的电源退耦,旁路掉电源中的高频分量,使其稳定工作。
现在说说工作流程,我们选用的是CD4046内的鉴相器1(XOR异或门)。对于鉴相器1,当两个输人端信号Ui、Uo的电平状态相异时(即一个高电平,一个为低电平),输出端信号UΨ为高电平;反之,Ui、Uo电平状态相同时(即两个均为高,或均为低电平),UΨ输出为低电平。当Ui、Uo的相位差Δφ在0°-180°范围内变化时,UΨ的脉冲宽度m亦随之改变,即占空比亦在改变。从比较器Ⅰ的输入和输出信号的波形(如图4所示)可知,其输出信号的频率等于输入信号频率的两倍,并且与两个输入信号之间的中心频率保持90°相移。从图中还可知,fout不一定是对称波形。对相位比较器Ⅰ,它要求Ui、Uo的占空比均为50%(即方波),这样才能使锁定范围为最大。如下图。
由上图可看出,当14脚与3脚之间的相位差发生变化时,2脚输出的脉宽也跟着变化,2脚的PWM信号经过U4为核心的有源低通滤波器后得到一个较为平滑的直流电平,将这个直流电平做为VCO的控制电压,就能形成负反馈,将VCO的输出信号与14脚的输入信号锁定为相同频率,固定相位差。
关于死区发生器,本电路中,以U2 CD4001四2输入端与非门和外围R8,R8,C10,C11共同组成,利用了RC充放电的延迟时间,将实时信号与延迟后的信号做与运算,得到一个合适的死区。死区时间大小由R8,R8,C10,C11共同决定。如图参数,为1.6uS左右。在实际设计安装的时候,C10或C11应使用68pF的瓷片电容与5-45pF的可调电容并联,以方便调整两组驱动波形的死区对称性。
下图清晰地展示了死区的效果。
关于图腾输出,从死区时间发生器输出的电平信号,仅有微弱的驱动能力,我们必须将其输出功率放大到一定程度才能有效地推动后续的GDT(门极驱动变压器)部分,Q1-Q8构成了双极性射极跟随器,俗称图腾柱,将较高的输入阻抗变换为极低的输出阻抗,适合驱动功率负载。R10.R11为上拉电阻,增强CD4001输出的“1”电平的强度。有人会问设计两级图腾是否多余,我开始也这么认为,试验时单用一级TIP41,TIP42为图腾输出,测试后发现高电平平顶斜降带载后比较严重,分析为此型号晶体管的hFE过低引起,增加前级8050/8550推动后,平顶斜降消失。
GDT门极驱动电路:
上图为MOSFET的门极驱动电路,采用GDT驱动的好处就是即便驱动级出问题,也不可能出现共态导通激励电平。
留适当的死区时间,这个电路死区大到1.6uS。而且MOSFET开关迅速,没有IGBT的拖尾,很难炸管。而且MOS的米勒效应小很多。
电路处于ZVS状态,管子2KW下工作基本不发热,热击穿不复存在。
从PLL板图腾柱输出的两路倒相驱动信号,从GDT板的J1,J4接口输入,经过C1-C4隔直后送入脉冲隔离变压器T1-T4。R5,R6的存在,降低了隔直电容与变压器初级的振荡Q值,起到减少过冲和振铃的作用。从脉冲变压器输出的±15V的浮地脉冲,通过R1-R4限流缓冲(延长对Cgs的充电时间,减缓开通斜率)后,齐纳二极管ZD1-ZD8对脉冲进行双向钳位,最后经由J2,J3,J5,J6端子输出到四个MOS管的GS极。这里因为关断期间为-15V电压,即便有少量的电平抖动也不会使MOS管异常开通,造成共态导通。注意,J2,J3用以驱动一个对角的MOS管,J5,J6用于驱动另一个对角的mos管。
为了有效利用之前PLL板图腾输出的功率以及减小驱动板高度,这里采用4只脉冲变压器分别对4支管子进行驱动。脉冲变压器T1-T4均采用EE19磁芯,不开气隙,初级次级均用0.33mm漆包线绕制30T,为提高绕组间耐压起见,并未采用双线并绕。而是先绕初级,用耐高温胶带3层绝缘后再绕次级,采用密绕方式,注意图中+,-号表示的同名端。C1-C4均采用CBB无极性电容。其余按电路参数。
电源部分:
上图为母线电源部分,市电电压经过自耦调压器后从J2输入,经过B1全波整流后送入C1-C4进行滤波。为了在MOS桥开关期间,保持母线电压恒定(恒压源),故没有加入滤波电感。C1,C2为MKP电容,主要作用为全桥钳位过程期间的逆向突波吸收。整流滤波后的脉动直流从J1输出。
全桥部分:
上图为MOSFET桥电路,结构比较简单,不再赘述。强调一下,各个MOS管的GS极到GDT板之间的引线,尽可能一样长,但应小于10cm。必须采用双绞线。MOS管的选取应遵循以下要求:开关时间小于100nS、耐压高于500V、内部自带阻尼二极管、电流大于20A、耗散功率大于150W。
4、散热系统
槽路部分的阻抗变换变压器次级以及感应线圈部分,在满功率输出时,流经的电流达到500A之巨,如果没有强有力的冷却措施,将在短时间内过热烧毁。
该系统宜采用水冷措施,利用铜管本身作为水流通路。泵采用隔膜泵,一是能自吸,二是压力高。电路采用的是国产普兰迪隔膜泵,输出压力达到0.6MPa,轻松在3mm内径的铜管中实现大流量水冷。
5、组装
按下图组装,注意GDT部分,输出端口的1脚接G,2脚接S,双绞线长度小于10cm。
6、调试
该电路的调试比较简单,主要分以下几个步骤进行。
1. PLL板整体功能检测。电路组装好后,先断开高压电源,将PLL板JP1跳线的2,3脚短路,使VCO输出固定频率的方波。然后用示波器分别检测四个MOS管的GS电压,看是否满足相位和幅度要求。对角的波形同相,同一臂的波形反相。幅度为±15V。如果此步骤无问题,进行下一步。如果波形相位异常,检测双绞线连接是否有误。
2. 死区时间对称性调整。用示波器监测同一臂的两个MOS的GS电压,调节PLL板C10或C11并联的可调电容,使两个MOS的GS电压的高电平宽度基本一致即可。死区时间差异过大的话,容易造成在振荡的前几个周期内,就造成磁芯的累计偏磁而发生饱和炸管,隔直电容能减轻这一情况。
3. VCO中心频率调整。PLL环路中,VCO的中心频率在谐振频率附近时,能获得最大的跟踪捕捉范围,因此有必要进行一个调整。槽路部分S1切换到上方触点,PLL板JP1跳线的2,3脚短路,使VCO控制电压处于0.5VCC,W2置于中点。通过自耦调压器将高压输入调节在30VAC。用万用表交流电流档监测高压输入电流,同时用示波器监测槽路部分J3接口电压,缓慢调节PLL板的W1,使J3电压为标准正弦波。此时,电流表的示数也为最大值。这时谐振频率与VCO中心频率基本相等。
谐振时的波形如下图,电流波形标准正弦波,与驱动波形滞后200nS左右。
4. PLL锁定调整。将PLL板JP1跳线的1,2脚短路,使VCO的电压控制权转交给鉴相滤波网络。保持高压输入为30VAC,用示波器监测槽路部分J3接口电压波形形状和频率。此时用改锥在±一圈范围内调整W1,若示波器波形频率保持不变,形状仍然为良好的正弦波。则表示电路已近稳定入锁,如果无法锁定,交换槽路部分J1的接线再重复上述步骤。当看到电路锁定后,在加热线圈中放入螺丝刀杆,这时因为有较大的等效负载阻抗,波形幅度下降,但仍然保持良好的正弦波。如果此时失锁,可微调W1保持锁定。
5. 电流滞后角调整。电路锁定后,用示波器同时监测槽路部分J3接口电压以及PLL板GDT2或GDT1接口电压,缓慢调节W2,使电流波形(正弦波)稍微落后于驱动电压波形,此时全桥负载呈弱感性,并进入ZVS状态。
6. 工件加热测试,上述步骤均成功后,即可开始加热工件。先放入工件,用万用表电流档监测高压电流。缓慢提升自耦调压器输出电压,可以看到工件开始发热,应保证220VAC高压下,电流小于15A。这时功率达到2500W。当加热体积较大的工件时,因为等效阻抗大,须将槽路部分S1切换至下方触点。
至此,整个感应加热电路调试完毕。开始感受高温体验吧。
逆变器原理图讲解
逆变器原理如下:1、当逆变器电路接上直流电源后,先由Q11、Q14导通,Q1、Q13截止;2、电流由直流电源正极输出,经Q11、L或感、变压器初级线圈到Q14回到电源负极;3、当Q11、Q14截止后,Q12、Q13导通,电流从电源正极经Q13、变压器初级线圈电感到Q12回到电源负极;4、此时,在变压器初级线圈上,已形成正负交变方波,利用高频PWM控制,两对IGBT管交替重复,在变压器上产生交流电压;5、由于LC交流滤波器作用,使输出端形成正弦波交流电压。当Q11、Q14关断时,为了释放储存能量,在IGBT处并联二级管D11、D12,使能量返回到直流电源中去。
工频逆变器串联电感多大
工频逆变器串联电感在50A左右。电感量太大在实际应用中不合理,需要电感器和电容器两者相互协调,两者都选择适宜的值,当然如果电感值大了你可以选择更小的电容,可是你现在的值会造成电感器体积很大。工频逆变器的电感
工频逆变器可以加两个电感,因为电感都是通过直流电或低频交流电频率,也就是要考虑电感量,也要考虑通过直流电的电流大小,不至于电流过大时烧毁电感,所以不管是串联还是并联,都要考虑电感值的大小。
工频逆变器是一种DCAC的转换器,采用高频脉宽调制技术和微电脑控制技术设计,将电池组的直流电源转化成输出电压和频率稳定的交流电源。而具有较高的转换效率,同时还有很强的非线性负载驱动能力,该逆变电源还可对输入电压、电流和输出电压、电流进行检测监控,从而实现免人看守维护的功能。
逆变器工作原理 看看这专业的解释
逆变器是把直流电能(电池、蓄电瓶)转变成交流电(一般为220V,50Hz正弦波)。它由逆变桥、控制逻辑和滤波电路组成。下面让我们来深入的了解逆变器工作原理。一、逆变器工作原理
1、全控型逆变器工作原理:为通常使用的单相输出的全桥逆变主电路,交流元件采用IGBT管Q11、Q12、Q13、Q14。并由PWM脉宽调制控制IGBT管的导通或截止。
当逆变器电路接上直流电源后,先由Q11、Q14导通,Q1、Q13截止,则电流由直流电源正极输出,经Q11、L或感、变压器初级线圈图1-2,到Q14回到电源负极。当Q11、Q14截止后,Q12、Q13导通,电流从电源正极经Q13、变压器初级线圈2-1电感到Q12回到电源负极。此时,在变压器初级线圈上,已形成正负交变方波,利用高频PWM控制,两对IGBT管交替重复,在变压器上产生交流电压。由于LC交流滤波器作用,使输出端形成正弦波交流电压。
当Q11、Q14关断时,为了释放储存能量,在IGBT处并联二级管D11、D12,使能量返回到直流电源中去。
2、半控型逆变器工作原理:半控型逆变器采用晶闸管元件。改进型并联逆变器的主电路如图4所示。图中,Th1、Th2为交替工作的晶闸管,设Th1先触发导通,则电流通过变压器流经Th1,同时由于变压器的感应作用,换向电容器C被充电到大的2倍的电源电压。按着Th2被触发导通,因Th2的阳极加反向偏压,Th1截止,返回阻断状态。这样,Th1与Th2换流,然后电容器C又反极性充电。如此交替触发晶闸管,电流交替流向变压器的初级,在变压器的次级得到交流电。
在电路中,电感L可以限制换向电容C的放电电流,延长放电时间,保证电路关断时间大于晶闸管的关断时间,而不需容量很大的电容器。D1和D2是2只反馈二极管,可将电感L中的能量释放,将换向剩余的能量送回电源,完成能量的反馈作用。
二、逆变器分类详解
1、按逆变器输出交流电能的频率分,可分为工频逆变器、中频逆器和高频逆变器。工频逆变器的频率为50~60Hz的逆变器;中频逆变器的频率一般为400Hz到十几kHz;高频逆变器的频率一般为十几kHz到MHz。
2、按逆变器输出的相数分,可分为单相逆变器、三相逆变器和多相逆变器。
3、按照逆变器输出电能的去向分,可分为有源逆变器和无源逆变器。凡将逆变器输出的电能向工业电网输送的逆变器,称为有源逆变器;凡将逆变器输出的电能输向某种用电负载的逆变器称为无源逆变器。
4、按逆变器主电路的形式分,可分为单端式逆变器,推挽式逆变器、半桥式逆变器和全桥式逆变器。
5、按逆变器主开关器件的类型分,可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为“半控型”逆变器和“全控制”逆变器两大类。前者,不具备自关断能力,元器件在导通后即失去控制作用,故称之为“半控型”普通晶闸管即属于这一类;后者,则具有自关断能力,即无器件的导通和关断均可由控制极加以控制,故称之为“全控型”,电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管(IGBT)等均属于这一类。
6、按直流电源分,可分为电压源型逆变器(VSI)和电流源型逆变器(CSI)。前者,直流电压近于恒定,输出电压为交变方波;后者,直流电流近于恒定,输也电流为交变方波。
7、按逆变器输出电压或电流的波形分,可分为正弦波输出逆变器和非正弦波输出逆变器。
8、按逆变器控制方式分,可分为调频式(PFM)逆变器和调脉宽式(PWM)逆变器。
9、按逆变器开关电路工作方式分,可分为谐振式逆变器,定频硬开关式逆变器和定频软开关式逆变器。
10、按逆变器换流方式分,可分为负载换流式逆变器和自换流式逆变器。
以上对逆变器工作原理及分类进行了详解,希望对你的理解能有帮助。更多请持续关注土巴兔装修网。土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”,还有装修避坑攻略!点击此链接:/yezhu/zxbj-cszy.phpto8to_from=seo_zhidao_m_jiare&wb,就能免费领取哦~
高频环节逆变技术与低频环节逆变技术的区别
高频逆变器工作原理 高频逆变器是一种DC to AC的变压器,它其实与转化器是一种电压逆变的过程。
转换器是将电网的交流电压转变为稳定的12V直流输出,而逆变器是将Adapter输出的12V直流电压转变为高频的高压交流电;两个部分同样都采用了用得比较多的脉宽调制(PWM)技术。
其核心部分都是一个PWM集成控制器,Adapter用的是UC3842,逆变器则采用TL5001芯片。TL5001的工作电压范围3.6~40V,其内部设有一个误差放大器,一个调节器、振荡器、有死区控制的PWM发生器、低压保护回路及短路保护回路等。
1.输入接口部分:输入部分有3个信号,12V直流输入VIN、工作使能电压ENB及Panel电流控制信号DIM。VIN由Adapter提供,ENB电压由主板上的MCU提供,其值为0或3V,当ENB=0时,逆变器不工作,而ENB=3V时,逆变器处于正常工作状态;而DIM电压由主板提供,其变化范围在0~5V之间,将不同的DIM值反馈给PWM控制器反馈端,逆变器向负载提供的电流也将不同,DIM值越小,逆变器输出的电流就越大。
2.电压启动回路:ENB为高电平时,输出高压去点亮Panel的背光灯灯管。
3.PWM控制器:有以下几个功能组成:内部参考电压、误差放大器、振荡器和PWM、过压保护、欠压保护、短路保护、输出晶体管。
4.直流变换:由MOS开关管和储能电感组成电压变换电路,输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动MOS管做开关动作,使得直流电压对电感进行充放电,这样电感的另一端就能得到交流电压。
5.LC振荡及输出回路:保证灯管启动需要的1600V电压,并在灯管启动以后将电压降至800V。
6.输出电压反馈:当负载工作时,反馈采样电压,起到稳定I逆变器电压输出的作用。
高频逆变器和低频的区别 1、按照电气和电子工程师学会(IEEE)制定的频谱划分表,低频频率为30~300kHz,中频频率为300~3000kHz,高频频率为3~30MHz,频率范围在30~300MHz的为甚高频,在300~1000MHz的为特高频。相对于低频信号,高频信号变化非常快、有突变;低频信号变化缓慢、波形平滑。
2、电源与信号是不一样的,电源板提供的电压一般频率为0(直流电源)或者50Hz(交流电源)。信号可以说是高频还是低频(或者其他频率),电源板就不好说了,因为它只是用来供电的,频率很低,一定要说的话也只是低频。
3、高频逆变器的的好处主要是重量轻体积小,待机功率小,效率比较高(相对会省电一些)。缺点是抗冲击性不如工频逆变器(也就是你说的低频)好,可能带不了食物搅拌机,手电钻之类的电器。 低频的缺点是比较重,比较大,价格可能也会略贵,自身损耗会稍大一些(有点费电)。优点是比较皮实,带冲击性电器的能力会好一些。
以上,我们知道变压器的工作原理,它通常分为高频升压变压器和高频降压变压器两种,一个用来升压后进入输送电路,一个是将高频交流变为低频直流供用户使用,这样巧妙的设计是为了在那段最长的线路将低压直流电逆变为高频低压交流电,以此来减少减少功率的损耗。其次,变压器油高频低频之分,他们在频率和信号频率是不一样的,但是两者是各有优缺点,适用于不同的场合。高频逆变器
工频逆变器电感制作电磁炉上的电感能在工频逆变器*甩吗
不可以。电感线圈的绕制若是不符合工频逆变器的输出频率和电压,就不能最佳的电磁效果,电感线圈的绝缘和耐压性能不够,电磁炉使用过程中发生电击等危险。家用电磁炉是采用磁场感应电流(又称为涡流)的加热原理的厨具市场的一种新型灶具。
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