电镀用逆变器电源厂家

逆变电焊机什么牌子好

       1、奥太

       山东奥太电气有限公司是国家级重点高新技术企业，是目前国内规模最大的逆变焊接设备制造企业。从2001年开始，连续7年，企业的增长速度都远远高于行业的平均发展速度和主要竞争对手的发展速度，其电焊机质量较好。

       2、ESAB伊萨

       伊萨焊接切割器材（上海）管理有限公司，科尔法公司旗下，始于1904年，焊接产品与先进的切割系统领域供应商，其电焊机质量较好。

       3、米勒Miller

       1929年米勒电气制造公司成立于美国安普敦，具有八十多年的焊机制造技术。1993年正式加盟ITW集团并取得ISO国际质量体系认证。典型的革新发明有：风洞技术应用，输入电压自适应技术，精确脉冲及波形控制技术等，其电焊机质量较好。

       4、时代TIME

       北京时代科技股份有限公司成立于2001年初。它是由时代集团公司发起并联合清华紫光、联想集团、大恒集团、四通集团等公司共同创建的一个全新的股份公司，主要从事逆变焊机、大型焊接成套设备、专用焊机及数控切割机的开发、生产与销售，其电焊机质量较好。

       5、通用TAYOR

       上海通用重工集团有限公司，电焊机十大品牌，创立于1998年，参与焊接行业标准的制定与修订，集电焊机研发、制造、销售、服务于一体的高新技术企业，其电焊机质量较好。

电镀电源可以改逆变器

       一般来说是不行的，电源是整流器，与逆变器原理相反。 通常逆变器的输入电压为12V、24V、36V、48V也有其他输入电压的型号，而输出电压一般多为220V，当然也有其他型号的可以输出不同需要的电压。逆变器的关键参数是：输出功率、转换效率、输出波形质量。只要比较一下这些参数就知道这款逆变器质量如何了。逆变器是一种常用设备，只要是属于常用型号，一般在电气维修点以及几乎所有的电子市场都会有售的，而且只要是技术还可以的电气维修店都是可以维修的，电子市场就更可以维修了。如果是非常用型号或者功率很大的情况下就只能去电子市场或者网上定制了。

       逆变器是把直流电能转换为交流电能（一般情况下为220V,50Hz的正弦波）的设备。它与整流器的作用相反，整流器是将交流电能转换为直流电能。逆变器由逆变桥、控制单元和滤波电路组成。广泛应用于空调、电动工具、电脑、电视、洗衣机、冰箱，、按摩器等电器中。

       逆变器在选择和使用时必须注意以下几点：

       1）直流电压一定要匹配；

       每台逆变器都有标称电压，如12V，24V等，

       要求选择蓄电池电压必须与逆变器标称直流输入电压一致。如12V逆变器必须选择12V蓄电池。

       2）逆变器输出功率必须大于用电器的最大功率；

       尤其是一些启动能量需求较大的设备，如电机、空调等，需要额外留有功率裕量。

       3）正负极必须接线正确

       逆变器接入的直流电压标有正负极。一般情况下红色为正极（+），黑色为负极（—），蓄电池上也同样标有正负极，红色为正极（+），黑色为负极（—），连接时必须正接正（红接红），负接负（黑接黑）。连接线线径必须足够粗，并且应尽可能减少连接线的长度。

       4）充电过程与逆变过程不能同时进行，以避免损坏设备，造成故障。

       5）逆变器外壳应正确接地，以避免因漏电造成人身伤害。

       6）为避免电击伤害，严禁非专业人员拆卸、维修、改装逆变器。

MOS和SBD应用场景去别

        场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。

       MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。

       MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

       ▲ MOSFET种类与电路符号

       有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。

       关于寄生二极管的作用，有两种解释：1、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

       2、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。

       MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。

       什么是IGBT？

       IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

       IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。

       IGBT的电路符号至今并未统一，画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。

       同时还要注意IGBT有没有体二极管，图上没有标出并不表示一定没有，除非官方资料有特别说明，否则这个二极管都是存在的。

       IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。

       判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。

       IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

       MOS管和IGBT的结构特点

       MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。

       IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。

       IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。

       另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。

       选择MOS管还是IGBT？

       在电路中，选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管，这是工程师常遇到的问题，如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑，可以总结出以下几点：

       也可从下图看出两者使用的条件，阴影部分区域表示MOSFET和IGBT都可以选用，“？”表示当前工艺还无法达到的水平。

       总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。

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