光伏逆变器经验

光伏逆变器操作安全注意事项有哪些

       光伏逆变器操作安全注意事项有：1.逆变器的操作人员需经过系统培训合格后才可操作此逆变器，非与业操作人员请勿擅自操作。2. 禁止非与业人员自行拆卸、修理、改造逆变器，3.所有的电气安装必须符合当地电气安装标准。4. 使用逆变器并网发电，需征得当地供电单位允许，并由取得相关资格证书的人员进行相关的安装和操作。5. 操作人员在使用该逆变器时请穿着工作服。请使用保护手套、长袖衣服等保护用具，以免造成电击伤害。6. 逆变器工作中或工作终止后，零部件可能仍处于高温状态，请勿马上触摸零部件。请使用指定的电线、电缆，如果使用容量充足的电线、电缆线连接方法不正确，将会引发机器损坏、机器火灾或触电。7. 请勿损伤电源电线以及电缆。请勿踩、拧、拉电缆。电缆损伤会造成触电、短路、起火。8.有焦臭气味、异常声响、异常发热、冒烟等异常现象时请关闭电源已停止运行，开立刻与本公司联系，否则有触电火灾等危险。9. 接地必须可靠，否则在出现故障或者漏电时可能会造成触电。10.请勿触摸不维护保养无关的零部件，以免发生意外。11.使用心脏起搏器的人员请勿接近逆变器， 逆变器工作中会产生磁场，影响起搏器的正常工作。12.逆变器请勿在超过规定的潮湿的环境下使用，电气部分遇水可能会造成触电或短路。13.逆变器应安装在水平无倾斜场所。逆变器倾倒或从安装场所跌落，会造成逆变器的损坏或者故障。14.避免在机箱上放置装有液体的容器。有水洒出会破坏绝缘，腐蚀性液体会腐蚀逆变器。15. 逆变器周围请勿放置可燃、易爆物品。逆变器工作中会产生高温，遇到可燃物、易爆物可能会发生火灾，爆炸。16. 使用中请勿在逆变器上覆盖毛毯、布等纺织品，以免逆变器受热引起火灾。17. 请在逆变器安装的场所内安置灭火器，以防万一。在进行安装和调试运行设备之前，必须阅读和了解光伏逆变器厂家提供的用户手册，并熟悉相关的安全符号。

光伏发电应该怎么选取逆变器的大小？

       取决于屋顶的情况，家庭屋顶或者庭院，装机容量小，一般选择单相组串式逆变器，屋顶面积过大时选择三相组串式逆变器，工商业屋顶，复杂的山地和大棚项目，针对朝向不规则，易发生局部遮挡情况，装机容量较大，低压或中压多种并网电压的场景，一般选择三相组串式逆变器。

       对于低压侧并网的逆变器选择为220V/380V电压输出的逆变器，如易事特逆变器33KW以下功率段的。对于中压并网或高压并网的选择480V输出不带N线的逆变器，如易事特40KW功率以上的逆变器。

       光伏发电注意事项

       为了避免电弧和触电危险，请勿在有负载工作的情况下断开电气连接。必须保持接插头干燥和清洁，确保它们处于良好的工作状态。不要将其他金属物体插入接插头内，或者以其他任何方式来进行电气连接。

       除非组件断开了电气连接并且您穿着个人防护装备，否则，不要触摸或操作玻璃破碎、边框脱落和背板受损的光伏组件。请勿触碰潮湿的组件。

光伏逆变器原理是怎样？了解的麻烦告诉下！

       光伏逆变器的工作原理：全控型光伏逆变器工作原理：为通常使用的单相输出的全桥逆变主电路，交流元件采用IGBT管Q11、Q12、Q13、Q14，并由PWM脉宽调制控制IGBT管的导通或截止。当逆变器电路接上直流电源后，先由Q11、Q14导通，Q1、Q13截止，则电流由直流电源正极输出，经Q11、L或感、变压器初级线圈图1-2，到Q14回到电源负极当Q11、Q14截止后，Q12、Q13导通，电流从电源正极经Q13、变压器初级线圈2-1电感到Q12回到电源负极。此时，在变压器初级线圈上，已形成正负交变方波，利用高频PWM控制，两对IGBT管交替重复，在变压器上产生交流电压。由于LC交流滤波器作用，使输出端形成正弦波交流电压。当Q11、Q14关断时，为了释放储存能量，在IGBT处并联二级管D11、D12使能量返回到直流电源中去。

       光伏逆变器是能够将光伏太阳能板锁产生的可变直流电压转换成为市电频率交流的逆变器，可以反馈回商用输电系统，或是供离网的电网使用。光伏逆变器是光伏阵列系统中重要的系统平衡（BOS）之一，可以配合一般交流供电的设备使用。太阳能逆变器有配合光伏阵列的特殊功能，例如最大功率点追踪及孤岛效应保护的机能。

       太阳电池在阳光照射下产生直流电，然而以直流电形式供电的系统有很大的局限性。例如：日光灯、电视机、电冰箱、电风扇等均不能直接用直流电源供电，绝大多数电动机械也是如此。此外，当供电系统需要升高电压或降低电压时，交流系统只需加一个变压器即可，而在直流系统中升降电压的技术就要复杂得多了。因此，除直接使用直流电源的通信、气象等特殊用户外，在供应生产生活用电的光伏发电系统中都需要配备光伏逆变器。

光伏并网逆变器怎样提高效率，（从开发者的角度去思考）

       电源: 待机时采用降频技术.减小启动电流.

       电感: 采用非晶磁材.

       电容: 采用薄膜电容.

       Boost: 采用零电压开启软开关.

       IGBT: 低Rds(on),低Q.

       二极管: 快恢,低导通电压.

       补充：

       单相拓扑：采用H5,H6，H7，H4+2,(指并网型)

       三相拓扑：采用三电平。

       直流DC-link电容的均压：采用动态均压方法（而不是电阻均压)。电容的损耗与纹波密切相关。与电容本身的损耗角也有关。一般是日本的三个CON的品质较好，应用最多。

       数字IC: 高速CMOS,不用TTL型。

       Boost:采用软开，软关电路。

       IGBT：注意散热。和驱动方法，驱动电压高，CE极的导通压降就低一些。与散热绝缘膜的散热系统也有关系。

       继电器：可以采用PWM驱动，如1KHz。也可是半压维持。以减小功率。

       通信：注意光耦的频率与限流电路。限流电阻阻率稍大，可减小功率。

       磁芯：采用进口的非晶，MPP等。如日立，VAC。

       LED：采用高亮型。

       显示屏：背光亮度调小。或为可调型。

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