发布时间：2024-06-15 08:40:15 人气：
简单的逆变器电路分析
这里介绍的逆变器（见图）主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。 电路图工作原理
这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。方波信号发生器（见图3）
这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。
场效应管驱动电路
这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。场效应管驱动电路
由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开关电路，这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V。如图4所示。
MOS场效应管电源开关电路。
这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS场效应管的工作原理。
图5
MOS场效应管也被称为MOSFET，既MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。图6
为解释MOS场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。
图7a图7b
对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。图8给出了P沟道的MOS场效应管的工作过程，其工作原理类似这里不再重复。
图8
下面简述一下用C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图9）。电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。由以上分析我们可以画出原理图中MOS场效应管电路部分的工作过程（见图10）。工作原理同前所述。这种低电压、大电流、频率为50Hz的交变信号通过变压器的低压绕组时，会在变压器的高压侧感应出高压交流电压，完成直流到交流的转换。这里需要注意的是，在某些情况下，如振荡部分停止工作时，变压器的低压侧有时会有很大的电流通过，所以该电路的保险丝不能省略或短接。
制作要点
电路板见图11。所用元器件可参考图12。逆变器用的变压器采用次级为12V、电流为10A、初级电压为220V的成品电源变压器。P沟道MOS场效应管（2SJ471）最大漏极电流为30A，在场效应管导通时，漏-源极间电阻为25毫欧。此时如果通过10A电流时会有2.5W的功率消耗。N沟道MOS场效应管（2SK2956）最大漏极电流为50A，场效应管导通时，漏-源极间电阻为7毫欧，此时如果通过10A电流时消耗的功率为0.7W。由此我们也可知在同样的工作电流情况下，2SJ471的发热量约为2SK2956的4倍。所以在考虑散热器时应注意这点。图13展示本文介绍的逆变器场效应管在散热器（100mm×100mm×17mm）上的位置分布和接法。尽管场效应管工作于开关状态时发热量不会很大，出于安全考虑这里选用的散热器稍偏大。逆变器的性能测试
测试电路见图14。这里测试用的输入电源采用内阻低、放电电流大（一般大于100A）的12V汽车电瓶，可为电路提供充足的输入功率。测试用负载为普通的电灯泡。测试的方法是通过改变负载大小，并测量此时的输入电流、电压以及输出电压。其测试结果见电压、电流曲线关系图（图15a）。可以看出，输出电压随负荷的增大而下降，灯泡的消耗功率随电压变化而改变。我们也可以通过计算找出输出电压和功率的关系。但实际上由于电灯泡的电阻会随受加在两端电压变化而改变，并且输出电压、电流也不是正弦波，所以这种的计算只能看作是估算。以负载为60W的电灯泡为例： 假设灯泡的电阻不随电压变化而改变。因为R灯=V2/W=2102/60=735Ω，所以在电压为208V时，W=V2/R=2082/735=58.9W。由此可折算出电压和功率的关系。通过测试，我们发现当输出功率约为100W时，输入电流为10A。此时输出电压为200V。逆变器共模电压产生原因
逆变器共模电压产生原因、输出滤波电容的不对称性。
1、电源的负载不均匀：逆变器中的电源单元和控制单元都会造成负载不均匀的问题，这就会导致逆变器输出的电流、电压不平衡，进而产生共模电压。
2、输出滤波电容的不对称性：在逆变器输出端的LC滤波电路中，电感器和电容器是对称放置的，但在实际运用中由于生产工艺、选材等原因，电容的阻抗往往存在一定的不对称性，会产生共模电压。
电流型逆变器 直流侧为什么呈现高阻抗
直流侧电源的类型可以分为电压型逆变器（VSI）和电流型逆变器（CSI）两种类型。
这个你是知道的，就不多解释了！
关键说下面这个，
电流型的特征是直流侧采用大电感进行直流储能，从而使直流侧呈现高阻抗的电流源特性。
电压型的特征是直流侧采用大电容进行直流储能，从而使直流侧呈现低阻抗的电压源特性。
懂了吗？就是储能器件的不通而已，不需要过多的注意！
逆变电路中为什么电容越大滤波效果越好
逆变电路中使用的电容主要是作为滤波电容，能够滤除电路中的高频噪声等杂波信号。当电容器的容值越大时，其在电路中具有的阻抗值越小，反之则阻抗值较大。因此，电容器容值越大，则其能够滤除的杂波频率范围越广，即滤波效果越好。
同时，大电容也能够缩短电源波动的时间，提供更加稳定的电源电压，从而保证电路的性能和稳定性。
需要注意的是，在实际应用中，电容器的容值过大也有可能会导致电路的其他问题，如启动时间延长、电容器泄漏等。因此，需要根据具体电路设计及要求来选择合适的电容器容值。
光伏逆变器电解电容在低温下会会冻住吗？
其实电解液在零下40度也不会冻住，但是电解液的导电性随着温度的降低而降低，从而会导致电解液阻抗的增加，并因此增加阻抗。以古瑞瓦特光伏逆变器为例，低于温度限值的工作并不会损坏电容，尤其是当逆变器运行时，有电流流经器件时，会产生的热量提高电容器温度，使其远大于环境温度，使电容可维持设备运行。
逆变器功率太低，想加个电容，应该怎么加，机器自带CBB61电容，还想再加个CBB60电容，应该是串
功能太低加电容，效果不明显，可以试试吧变压器的功率加大，就是把变压器的线圈铜线加粗。如果输入的直流电不是纯直流的，就可以在输入端并联两个点解电容（一个也可以的，两个主要是为了减少阻抗，耐压一定要是两倍实际电压。）如果输入得是纯直流电，我还是建议你改变变压器吧！这样效果明显，你现在给的我看不见线路连接，所以只能这样了。
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