英飞凌逆变器销售



英飞凌公司介绍

英飞凌公司介绍

英飞凌（英文名：Infineon，全称：英飞凌科技股份公司）是一家全球领先的半导体公司。

一、历史沿革

英飞凌的前身是德国西门子集团的半导体部门，具有深厚的行业背景和技术积累。1995年，英飞凌正式进入中国市场，并在1996年在无锡建立了第一家企业，这标志着英飞凌在中国市场的深入布局和长期发展。1999年4月1日，英飞凌在德国慕尼黑正式成立，并于2000年在法兰克福证券交易所和美国柜台交易市场成功上市，股票代码分别为IFX和IFNNY。2002年，英飞凌的中文名称由亿恒科技更名为英飞凌科技，这一更名体现了公司品牌形象的升级和国际化战略的推进。2006年，英飞凌内存部门独立成为全资子公司奇梦达，进一步强化了公司在半导体领域的专业化和竞争力。2019年，英飞凌宣布收购美国赛普拉斯公司，这一收购使英飞凌成为全球十大半导体制造商之一，并跃居成为全球第一的车用半导体供应商，彰显了公司在全球半导体行业的领先地位和持续扩张的雄心。

二、业务领域

英飞凌在多个业务领域具有显著的优势和影响力，主要包括：

汽车电子：英飞凌为汽车行业提供全面的半导体产品和解决方案，涵盖动力系统（如混合动力汽车/电动汽车的主逆变器、车载电池充电器等）、车身和舒适安全（如电动助力转向、分散式前车灯模块等）以及面向卡车的车辆解决方案等。这些产品和解决方案有助于提升汽车的性能、安全性和能效。工业功率：在工业领域，英飞凌提供适用于各种应用场景的功率半导体器件和系统解决方案，助力实现工业设备的高效运行和能源节约。例如，在太阳能系统和家电工业功率驱动等方面，英飞凌的产品和技术能够显著提高能源利用效率和设备性能。芯片卡和安全：英飞凌在芯片卡和安全应用方面拥有先进的技术和产品，包括用于身份认证、支付、政务识别等领域的芯片和解决方案。这些产品和解决方案能够保障信息的安全传输和存储，为各种应用场景提供可靠的安全保障。通信：英飞凌还为通信领域提供相关的半导体产品，支持蜂窝通信基础设施等通信设备的运行。这些产品和技术有助于提升通信网络的性能和稳定性，推动通信行业的发展和进步。

三、技术创新

英飞凌不断进行技术创新，在功率半导体领域取得了多项突破。例如，英飞凌率先推出全球首款300mm功率氮化镓技术，这一技术的推出推动了氮化镓市场的快速增长，为功率半导体领域带来了新的发展机遇。此外，英飞凌还推出了超薄功率半导体晶圆加工技术，这一技术突破了技术极限，提高了能效，为半导体行业的发展注入了新的活力。

四、全球布局

英飞凌在全球多个地区设有研发中心、生产工厂和分支机构，形成了完善的全球布局。在欧洲，英飞凌拥有多个生产基地和研发中心，为欧洲市场提供高效的产品和服务。在亚洲，英飞凌在新加坡、日本东京等地设有子公司，积极开拓亚洲市场。在美国，英飞凌在加利福尼亚州的米尔皮塔斯设有分支机构，为北美市场提供全面的支持和服务。这种全球布局使英飞凌能够更好地满足不同市场的需求，提升公司的全球竞争力。

五、公司规模

截至2023年9月，英飞凌全球员工人数约为58600人，这一庞大的员工队伍为公司的快速发展提供了坚实的人才保障。同时，2023年公司销售额达到163.09亿欧元，这一优异的销售业绩彰显了英飞凌在全球半导体行业的领先地位和强劲的市场竞争力。

综上所述，英飞凌作为一家全球领先的半导体公司，在历史沿革、业务领域、技术创新、全球布局和公司规模等方面均表现出色。未来，英飞凌将继续秉承创新、卓越、可持续的发展理念，为全球客户提供更加优质的产品和服务。

一种应用于200kW+组串式光伏逆变器的IGBT模块方案

一种应用于200kW+组串式光伏逆变器的IGBT模块方案

针对200kW+组串式光伏逆变器，推荐采用基于ANPC（Active Neutral-Point Clamped）拓扑的IGBT模块方案，特别是英飞凌推出的F3L400R10W3S7F_B11模块。以下是对该方案的详细阐述：

一、拓扑结构选择

在1500Vdc系统光伏逆变器中，NPC1、NPC2和ANPC是三种主流的三电平拓扑结构。其中，ANPC拓扑由于所有器件都是低耐压器件，且可以通过优化换流回路以及损耗在不同器件上的均分来提高效率，因此被认为是最好的解决方案之一。特别是基于950V晶圆的NPC1和ANPC拓扑，更是被认为是当前的最佳选择。

二、ANPC模块的优势

与NPC1拓扑相比，ANPC拓扑在功率密度、损耗分布以及调制灵活性方面具有以下优势：

功率密度提高：ANPC拓扑通过增加两个IGBT（T5，T6），使得钳位二极管（D5，D6）的规格可以明显变小，从而有利于SiC二极管的应用。较小的SiC二极管可以降低成本，并提高系统的整体功率密度。损耗降低：ANPC的调制策略非常灵活，可以优化损耗在各管子上的分布。特别是在有功和无功情况下，都可以通过短换流回路换流，从而解决了长换流回路时由于杂散电感较大导致的器件电压应力过大的问题。调制灵活性：ANPC拓扑的调制策略多样，可以根据实际应用场景进行优化选择。例如，在光伏逆变器中，可以根据功率因素和输出电压的变化来调整调制策略，以实现更高的效率和更低的损耗。

三、SiC二极管的应用

SiC二极管具有反向恢复电流小、损耗低、稳定性好等优点，可以显著提高逆变器的运行效率。在ANPC拓扑中，钳位二极管（D5，D6）采用SiC二极管可以进一步降低模块的损耗。与Si二极管相比，SiC二极管在反向恢复瞬间产生的电流非常小，因此拥有可以忽略不计的反向恢复损耗。同时，SiC二极管还可以降低反向恢复带来的噪音，起到降噪的效果。

四、F3L400R10W3S7F_B11模块的特点

F3L400R10W3S7F_B11是英飞凌推出的一款基于ANPC拓扑的功率模块，具有以下特点：

封装形式：采用EASY 3B封装，便于集成和安装。晶圆配比：内管（T2，T3）采用慢速低饱和压降的晶圆L7，外管（T1，T4）以及钳位管(T5，T6)采用高速晶圆S7，通过快慢速晶圆搭配的方式降低模块的损耗。调制策略：推荐采用四块两慢的调制方式，并可根据实际应用场景进行优化选择。在低电压穿越（LVRT）时，推荐采用改进的调制策略，以降低钳位二极管的电流和热应力。

五、调制策略推荐

为了充分发挥F3L400R10W3S7F_B11模块的优势，推荐采用以下调制策略：

四块两慢调制方式：在调制波上半周时，拓扑下半部分所有的管子（T3，T4，T6）都是关断状态；反之，负半周时，拓扑上半部分的所有管子（T1，T2，T5）都处于关断状态。内管（T2，T3）为工频切换，外管（T1，T4）以及钳位管(T5，T6)为高频动作。改进的调制策略：在正常工况下，可以自由选择四块两慢调制方式或改进的调制方式。但在低电压穿越（LVRT）时，强烈推荐采用改进的调制方式，以降低钳位二极管的电流和热应力。改进的调制方式下，T5和T6在整个工频周期内都是高频动作，形成两个零电平回路，有利于损耗在不同器件上的分布。

六、结论

综上所述，基于ANPC拓扑的F3L400R10W3S7F_B11模块方案是应用于200kW+组串式光伏逆变器的理想选择。该方案通过优化拓扑结构、采用SiC二极管以及合理的调制策略，可以显著提高逆变器的运行效率和可靠性。同时，该方案还具有易于集成和安装、成本低廉等优点，适用于大规模光伏电站的建设和运维。

以下是相关展示：

美国总统钦点的半导体网红，拒绝英飞凌下聘礼！

美国总统阻止了英飞凌对科锐（CREE）旗下Wolfspeed公司的收购。具体事件如下：

收购背景：2016年7月15日，德国半导体公司英飞凌宣布，计划以8.5亿美元现金收购美国科锐公司旗下的Wolfspeed公司。Wolfspeed是科锐的子公司，专注于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等化合物半导体材料的研发和生产。

美国政府反对：在收购交易公布后，美国政府以国家安全为由表示反对。时任美国总统特朗普亲自拒绝了这项收购，理由是Wolfspeed的射频业务涉及国家安全，不能出售给德国的英飞凌。

收购终止：由于美国政府的反对，英飞凌最终放弃了收购Wolfspeed的计划，交易未能完成。

后续发展：

科锐反向收购英飞凌业务：2018年3月，科锐反而收购了英飞凌的射频功率半导体部门。此次收购增强了科锐在射频氮化镓（GaN-on-SiC）技术领域的领导地位。

长期供货协议：在收购前，科锐与英飞凌签署了一份碳化硅晶圆的长期供货协议。根据协议，科锐将向英飞凌长期供应150毫米（6英寸）碳化硅晶圆，满足英飞凌在光伏逆变器和电动汽车等领域的需求。

科锐公司在碳化硅领域的地位：

技术领先：科锐是全球碳化硅半导体研发和生产的领先者，拥有多项关键技术和专利。

广泛应用：其产品广泛应用于电力电子、光电子等领域，包括新能源汽车、智能电网等国家关键设备。

政府重视：美国政府高度重视科锐的发展，前任总统奥巴马曾三次到访科锐，称赞其在清洁能源革命中的引领作用。

英飞凌650V混合SiC IGBT单管助力户用光伏逆变器提频增效

在户用光伏逆变器领域，英飞凌公司推出了650V混合SiC IGBT单管，旨在通过这一创新解决方案，提高频率、增加效率并助力系统性能提升。

户用光伏系统每年的安装量显著增长，单相光伏逆变器的功率范围一般在3至10kW。在设计上，为了实现紧凑体积、轻巧重量、方便安装与维护、融合储能以提高用电效率，并在光照不足时保证高效能，逆变器需要具备这些特点。在功率器件的选择上，传统方案基于TO-247封装的分立器件，而英飞凌与客户合作引入的650V高速IGBT方案，旨在解决成本竞争与性能优化的双重需求。

在电路拓扑方面，常见的设计包括H4、H5、H6、H6.5和HERIC等，均旨在解决共模电压跳变导致的系统对地漏电流问题，满足电气安全标准的同时兼顾光照不足时的高效率，基本达到最大效率98%，加权效率97%以上。尽管不同拓扑在设计上有细微差异，但本质上趋向于平衡效率与成本。

面对650V单管功率器件市场缺乏创新的压力，英飞凌提出了一种结合IGBT低成本与SiC高性能的解决方案——650V混合SiC IGBT。这一器件将IGBT与SiC二极管封装于同一个TO247-3/4封装中，实现成本效益与性能优势的结合。该方案提供40A、50A和75A三种规格，以满足户用光伏逆变器的需求。

具体而言，650V混合SiC IGBT包括RH5（内置半电流SiC二极管）与SS5（内置全电流SiC二极管）两种型号。TRENCHSTOP™ H5芯片以其快速开关速度、低关断损耗与高效率，适用于30kHz至100kHz的高频应用；而TRENCHSTOP™ S5则在中等开关速度下，具有较低的饱和压降，适用于10kHz至40kHz的应用。内置SiC二极管特性与IGBT进行电流最佳匹配。

该混合SiC IGBT单管的关键技术特点包括使用英飞凌的650V H5/S5 IGBT晶圆与第六代SiC二极管，SiC二极管具有极小的Qrr（反向恢复电流）与降低的反向恢复损耗Erec。IGBT的开通损耗受温度影响较小，有助于降低电磁干扰（EMI）。

具体分析表明，RH5中的SiC二极管在If=50A时虽有较高的正向压降，但实际应用中的结温较低，二极管电流较小，因此对功耗影响不大。SiC二极管对IGBT的开通损耗影响显著，相比EH5方案，Ic=25A时降低70%，总开关损耗降低55%。这表明在高频与效率提升方面，650V SiC混合单管具有明显的技术优势，尤其是在小容量户用光伏逆变器领域。

在系统电路拓扑与仿真分析中，以HERIC电路为主，该拓扑结构有效隔离了零电平时交流滤波电感与寄生电容之间的无功交换，提升系统效率，并降低寄生电容上的电压高频分量，消除漏电流。通过换流分析，可以发现工频管中反向恢复二极管特性影响高频管的开通损耗，通过利用SiC的低开关损耗特性，650V混合管可以有效降低损耗，提升系统效率。

以8kW户用光伏逆变器为例，基本电路仿真工作条件为Vdc=360V、V0=230V、fs=20kHz、Io=35A、PF=1、Th=100℃。在不同开关频率下，系统损耗与效率的变化显示，单纯提升至30kHz和40kHz只会增加系统损耗，降低效率。而采用650V混合SiC器件替换工频交流管后，方案2相比方案1，系统效率提升0.24%至0.34%，总损耗降低19.6W至27.2W。器件中高频管T1的结温降至140.3oC，工频管T5的结温降至106.2oC，SiC二极管D6的结温降至108oC。

总结而言，650V混合SiC IGBT单管通过简化替换过程，无需变更PCB和电路，即可在最短时间内实现系统效率提升和增加开关频率，同时降低散热设计要求与成本。这一解决方案在大范围内有效提升HERIC拓扑电路的开关频率，增加系统效率，降低并网电感尺寸，减少电流谐波对电网的污染。采用单一器件替换即可带来显著优势，无需复杂专利拓扑或软开关技术。

国产SiC材料“加速跑”，这两家厂商打入英飞凌供应链

国产SiC材料厂商天岳先进和天科合达已成功打入英飞凌供应链，分别供应碳化硅衬底、晶棒、晶圆及晶锭，助力英飞凌向200毫米直径碳化硅晶圆过渡，并满足中国市场对碳化硅半导体产品的需求。

一、签约背景与核心内容签约时间与主体：2023年5月3日，天岳先进和天科合达同时宣布与国际半导体巨头英飞凌签订长期供货协议。此次合作是继博世集团之后，国产SiC材料再次打入国际大厂供应链。供应产品类型：

天岳先进：提供150毫米碳化硅衬底和晶棒，第一阶段聚焦150毫米材料，后续可能扩展至200毫米。

天科合达：提供150毫米碳化硅晶圆和晶锭，同时具备200毫米材料的供应能力，第一阶段以150毫米为主。

供应份额：两家企业的供应量均占英飞凌长期需求量的两位数份额，成为其核心供应商之一。△Source：天岳先进官微二、合作意义与影响保障供应链稳定：英飞凌通过与两家国产厂商合作，可降低对单一供应商的依赖，增强供应链韧性，应对全球SiC材料短缺风险。推动技术升级：天岳先进和天科合达将协助英飞凌向200毫米直径碳化硅晶圆过渡。200毫米晶圆可大幅降低单位成本（较150毫米降低约30%-40%），提升生产效率，是下一代SiC器件的关键技术方向。满足中国市场需求：合作产品将优先用于中国市场的汽车、光伏、储能等领域。例如：

汽车电子：SiC功率器件可提升电动汽车充电效率、降低能耗，支持800V高压平台普及。

可再生能源：在光伏逆变器和风电变流器中，SiC器件可提高转换效率，减少能量损耗。

△Source：天科合达官微三、国产SiC材料产业崛起政策与市场驱动：

政策支持：中国“碳达峰、碳中和”战略及第三代半导体产业规划，为SiC材料提供资金、税收等扶持。

市场需求：新能源汽车、5G通信、光伏风电等下游应用爆发，推动SiC市场规模快速增长。据TrendForce预测，2023年全球SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，2026年将增至53.3亿美元，年复合增长率超30%。

国内厂商布局：

产能扩张：三安光电、露笑科技、烁科晶体等企业纷纷建厂扩产。例如，三安光电湖南SiC项目规划产能达36万片/年。

订单增长：

三安光电截至2023年4月已签署超70亿元SiC MOSFET长期采购协议。

天岳先进2022年与博世集团签订长期协议，成为其SiC衬底供应商。

技术突破：国内厂商已实现150毫米SiC晶圆量产，并向200毫米技术迈进，缩小与国际领先水平的差距。

四、全球SiC需求井喷式发展应用领域扩展：

新能源汽车：SiC器件在电机控制器、车载充电机（OBC）中渗透率提升，支持高压快充技术。

能源转型：光伏逆变器采用SiC器件后，转换效率可从96%提升至98%以上，降低度电成本。

工业控制：轨道交通、智能电网等领域对高效、耐高温器件需求增长，推动SiC应用。

国际厂商合作：英飞凌、ON Semi等与汽车、能源企业合作项目增多，加速SiC器件商业化进程。例如，英飞凌与现代汽车合作开发SiC逆变器，提升电动车续航里程。五、未来展望技术迭代：200毫米SiC晶圆将成为主流，国内厂商需加快设备研发和工艺优化，降低缺陷率，提升良品率。生态构建：加强与下游应用厂商合作，推动SiC器件在更多场景落地，形成“材料-器件-系统”协同创新。国际竞争：国产SiC材料需突破海外专利壁垒，提升品牌影响力，逐步扩大全球市场份额。

此次天岳先进和天科合达打入英飞凌供应链，标志着国产SiC材料在国际市场竞争力显著提升，为全球能源转型和半导体产业升级贡献中国力量。

英飞凌将投资20亿欧元提高芯片制造能力

英飞凌计划投资超过20亿欧元，通过在马来西亚居林工厂建造第三个模块来提升芯片制造能力，具体信息如下：

投资领域与目的：英飞凌聚焦于宽带隙（SiC和GaN）半导体领域，旨在通过增加重要生产能力，巩固其在功率半导体市场的领先地位。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，具有高频率、高效率、耐高温等特性，适用于新能源汽车、光伏逆变器、5G通信等高增长领域。此次投资将直接扩大英飞凌在高端功率半导体市场的份额，满足全球对低碳技术日益增长的需求。图：英飞凌马来西亚居林工厂扩建效果图（来源：全球TMT）

投资规模与预期收益：总投资额超过20亿欧元，主要用于新建第三个生产模块。该模块建成后，预计每年可创造20亿欧元的额外收入，主要来自碳化硅和氮化镓基产品的销售。这一收益目标反映了英飞凌对宽带隙半导体市场需求的乐观预期，尤其是新能源汽车和可再生能源领域对高效功率器件的强劲需求。

项目时间表：施工将于2022年6月正式启动，第一批晶圆计划于2024年下半年下线。这一时间表体现了英飞凌对项目执行效率的重视，通过快速投产抢占市场先机。从施工到量产仅需两年多时间，表明英飞凌在半导体工厂建设方面具备成熟的经验和技术储备。

制造战略协同：此次扩建将充分利用居林200毫米制造厂的规模经济优势，降低单位生产成本。同时，该模块将与英飞凌在奥地利维拉赫和德国德累斯顿的300毫米硅基生产基地形成互补。维拉赫和德累斯顿工厂专注于传统硅基功率半导体的大规模生产，而居林新模块则专注于宽带隙半导体的高端制造，形成“硅+化合物半导体”的双轮驱动战略。

技术路线选择：英飞凌选择碳化硅和氮化镓作为核心方向，与其技术积累和市场定位密切相关。碳化硅适用于高压、高温场景，如电动汽车充电桩和光伏逆变器；氮化镓则更适合高频、低功耗应用，如5G基站电源和快充充电器。通过同时布局两种材料，英飞凌可覆盖更广泛的功率半导体市场，满足不同客户的差异化需求。

市场背景支撑：全球功率半导体市场正处于快速增长期，尤其是新能源汽车和可再生能源领域对高效功率器件的需求持续攀升。据市场研究机构预测，2022-2027年全球碳化硅功率器件市场规模将以年均30%以上的速度增长，氮化镓市场增速甚至更高。英飞凌此次投资正是为了抓住这一历史性机遇，通过产能扩张和技术升级巩固其市场领导地位。

区域布局考量：马来西亚居林工厂的选址具有战略意义。东南亚地区具备成本优势和稳定的供应链环境，同时靠近中国、印度等主要消费市场，有利于缩短产品交付周期。此外，马来西亚政府对半导体产业提供税收优惠等政策支持，进一步降低了英飞凌的投资风险。

此次投资是英飞凌长期制造战略的关键一步，通过技术升级、产能扩张和区域布局优化，英飞凌有望在功率半导体领域保持领先地位，并为全球低碳转型提供关键技术支撑。

选择合适逆变器方案需要考量的三个重要因素，附英飞凌、ST高效逆变器方案！

选择合适的逆变器方案时，需重点考量以下三个核心因素：

一、功率要求和负载容量核心逻辑：逆变器的功率容量需与实际电力需求精准匹配，避免过载或资源浪费。具体要求：

确定设备的最大功率需求，选择能稳定承载该负载的逆变器。例如，工业设备可能需要200KW以上的三相组串式逆变器，而家庭光伏系统可能仅需5KW的微型逆变器。

考虑负载的动态变化，如峰值功率需求，确保逆变器在短时间内能提供超额功率。

避免“小马拉大车”导致的效率下降或设备损坏，或“大材小用”造成的成本浪费。

英飞凌三相组串式逆变器方案：

支持高达200KW的功率输出，适用于大型光伏电站或工业场景。采用CoolSiC Easy模块和三电平Easy模块，覆盖600V/650V/1200V电压范围及6A至200A电流范围，满足全功率需求。图源：Infineon二、转换器的效率核心逻辑：高效率逆变器可减少能量损耗，提升系统整体性能，降低长期运营成本。具体要求：

优先选择效率额定值更高的逆变器（如90%以上），尤其在光伏、风电等可再生能源场景中，效率直接影响发电收益。

关注逆变器在不同负载条件下的效率曲线，确保其在部分负载时仍能保持高效。

考虑散热设计对效率的影响，高效逆变器通常采用优化散热结构，减少因过热导致的效率下降。

ST高效逆变器方案（基于STM32G474的400W微型逆变器）：

采用ST第三类SiC半导体，支持高频操作，缩小体积的同时提升效率。通过PLL锁相环进行环路控制，优化输出波形，减少谐波损耗。

小华HC32F334光伏微型逆变器方案：

峰值效率达94.7%，入网电流THD（总谐波失真）仅3.2%，功率因数（PF）>0.99，性能指标优异。采用交错反激式设计，谷底开通断续模式提高系统效率，全桥逆变采用工频开关进一步降损。三、与特定应用需求的兼容性核心逻辑：不同应用场景对逆变器的输出波形、接口标准、保护功能等有差异化需求，需针对性选择。具体要求：

输出波形：敏感电子设备（如医疗仪器）可能需要纯正弦波输出，而简单负载（如照明）可接受改进型正弦波。

接口标准：电网并网需符合当地规范（如电压、频率、相位同步），离网系统需支持储能接口。

保护功能：包括过压、过流、短路、过热保护等，确保系统安全运行。

环境适应性：如温度范围、防护等级（IP等级）需匹配应用场景（如户外光伏电站需高IP等级）。

英飞凌方案兼容性：

提供EiceDRIVER栅极驱动器和XMC微控制器，支持复杂控制算法，适配多种应用需求。三电平拓扑结构减少输出谐波，兼容电网对波形质量的高要求。

ST方案兼容性：

隔离型MPPT设计符合安全规范，适用于住宅光伏系统。单一MCU实现MPPT与逆变控制，简化系统设计，降低成本。

小华方案兼容性：

支持25~60V PV电压范围和200~240V电网电压，适配不同地区的光伏标准。经典扰动式MPPT算法快速准确跟踪最大功率点，提升发电效率。总结

选择逆变器方案时，需从功率匹配、效率优化、应用兼容三方面综合评估。英飞凌的三相组串式方案适合高功率工业场景，ST和小华的微型逆变器方案则更适用于住宅或商业光伏系统。用户可根据实际需求，结合方案规格（如输入电压范围、输出功率、效率曲线）和优势（如散热设计、控制算法、保护功能）进行选型。

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